公开(公告)号：CN1894796A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200480037193.2

申请日：2004-12-14

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  小森美帆 ,  佐藤由里香 ,  细木和江 ,  荻田香

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G06K19/00

CPC classification number: H01L27/1266 ,  G06K19/07749 ,  G06K19/0776 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/13 ,  H01L29/66757

Abstract: 为了提供以低成本大量生产的薄膜集成电路，根据本发明的薄膜集成电路的制造方法包括下列步骤：在衬底上面形成剥离层；在剥离层上面形成底部薄膜；在底部薄膜上面形成多个薄膜集成电路器件；在多个薄膜集成电路器件之间的边界处形成凹槽；以及在凹槽中引入包含卤素氟化物的气体或液体，从而去除剥离层；因而使多个薄膜集成电路器件相互分离。

公开(公告)号：CN1873932A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200610087709.5

申请日：2006-05-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 荻田香 ,  田村友子 ,  丸山纯矢 ,  大力浩二

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/13 ,  H01L21/7813 ,  H01L27/1266 ,  H01L27/1292

Abstract: 本发明提供了低成本、高可靠性的薄的半导体器件的制造方法以及通过该方法制造的半导体器件。在衬底上方依次形成剥离层、晶体管和绝缘层；形成开口以暴露出剥离层的至少一部分；并且通过物理方法从衬底上剥离该晶体管。剥离层通过使用溶液的方法形成金属膜和与该金属膜接触的金属氧化物膜来形成。