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    保护膜形成用复合片及半导体芯片的制造方法
    53.
    发明公开
    保护膜形成用复合片及半导体芯片的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN113969114A

    公开(公告)日：2022-01-25

    申请号：CN202111233131.0

    申请日：2018-10-25

    Applicant: 琳得科株式会社

    Inventor： 小桥力也 ,  稻男洋一

    IPC: C09J7/24 ,  C09J7/30 ,  C09J133/10 ,  B32B7/06 ,  B32B7/12 ,  B32B27/06 ,  B32B27/30 ,  B32B33/00 ,  H01L21/683 ,  H01L21/78

    Abstract: 本发明为一种保护膜形成用复合片，其含有支撑片与设置在该支撑片上的能量射线固化性的保护膜形成用膜，所述保护膜形成用复合片中，该保护膜形成用膜含有能量射线固化性成分(a0)及非能量射线固化性聚合物(b)，该支撑片的与该保护膜形成用膜接触的层含有树脂成分(X)，该非能量射线固化性聚合物(b)与该树脂成分(X)的HSP距离R12为6.7以上，规定HSP空间，并在该HSP空间内制作该非能量射线固化性聚合物(b)的汉森溶解球时，该能量射线固化性成分(a0)的HSP包含在该非能量射线固化性聚合物(b)的汉森溶解球的区域内。

    保护膜形成用膜及保护膜形成用复合片
    54.
    发明授权
    保护膜形成用膜及保护膜形成用复合片 有权

    公开(公告)号：CN108884244B

    公开(公告)日：2022-01-11

    申请号：CN201780018817.3

    申请日：2017-04-25

    Applicant: 琳得科株式会社

    Inventor： 山本大辅 ,  稻男洋一

    IPC: C08J5/18 ,  B32B7/025 ,  B32B27/18 ,  C09J7/10 ,  H01L21/301 ,  H01L23/00

    Abstract: 本发明提供可防止半导体芯片带电的保护膜形成用膜及保护膜形成用复合片。所述保护膜形成用膜为能量射线固化性的保护膜形成用膜，在照射能量射线而使所述保护膜形成用膜固化时，表面电阻率为1012Ω·cm以下。所述保护膜形成用膜优选含有抗静电剂，所述抗静电剂优选为选自由阴离子表面活性剂类抗静电剂、阳离子表面活性剂类抗静电剂、非离子表面活性剂类抗静电剂、两性离子表面活性剂类抗静电剂及非离子表面活性剂类抗静电剂组成的组中的至少一种。

    扩片方法以及半导体装置的制造方法
    55.
    发明公开
    扩片方法以及半导体装置的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN113366080A

    公开(公告)日：2021-09-07

    申请号：CN202080011754.0

    申请日：2020-01-29

    Applicant: 琳得科株式会社

    Inventor： 布施启示 ,  稻男洋一 ,  山田忠知

    IPC: C09J201/00 ,  H01L21/301 ,  C09J7/38

    Abstract: 本发明提供一种扩片方法，该方法包括：使贴合有多个半导体装置(CP)的第1片(10)伸展，以扩大多个半导体装置(CP)的间隔的工序，多个半导体装置(CP)分别具有第1半导体装置面(W1)、和第1半导体装置面(W1)的相反侧的第2半导体装置面(W3)，多个半导体装置(CP)分别是在第2半导体装置面(W3)与上述第1片(10)之间包含着保护层(100)而贴合的。

    扩片方法及半导体装置的制造方法
    56.
    发明公开
    扩片方法及半导体装置的制造方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN113366079A

    公开(公告)日：2021-09-07

    申请号：CN202080011743.2

    申请日：2020-01-29

    Applicant: 琳得科株式会社

    Inventor： 布施启示 ,  稻男洋一 ,  山田忠知

    IPC: C09J201/00 ,  H01L21/301 ,  C09J7/38

    Abstract: 本发明提供一种扩片方法，该方法包括：在具有第1晶片面和第2晶片面的晶片的第2晶片面粘贴具有第1粘合剂层(12)和第1基材(11)的第1粘合片(10)，切入了深度50μm的切痕的第1基材(11)的拉伸伸长率为300％以上，从第1晶片面侧切入切痕，将晶片单片化为多个芯片(CP)，进一步将第1粘合片(10)的第1粘合剂层(12)切断，使第1粘合片(10)伸展，从而扩大多个芯片的间隔(CP)。

    保护膜形成用复合片
    57.
    发明授权
    保护膜形成用复合片 有权

    公开(公告)号：CN106489189B

    公开(公告)日：2019-10-25

    申请号：CN201580032859.3

    申请日：2015-09-03

    Applicant: 琳得科株式会社

    Inventor： 佐伯尚哉 ,  米山裕之 ,  山本大辅 ,  小桥力也 ,  稻男洋一

    IPC: H01L21/301 ,  C09J7/20 ,  C09J201/00

    Abstract: 本发明涉及一种保护膜形成用复合片，其具有粘合片、和叠层于粘合片的所述粘合剂层侧的保护膜形成膜，所述粘合片是粘合剂层叠层于基材的一面侧而形成的，其中，在对所述基材施加0.1g/mm的载荷并在130℃下加热2小时再冷却至23℃的情况下，所述基材在加热后相对于加热前在MD方向及CD方向的伸缩率均为95～103％，所述基材在23℃下的MD方向及CD方向的拉伸弹性模量均为100～700MPa。

    保护膜形成用薄膜
    58.
    发明授权
    保护膜形成用薄膜 有权

    公开(公告)号：CN106463370B

    公开(公告)日：2019-06-21

    申请号：CN201480078687.9

    申请日：2014-07-04

    Applicant: 琳得科株式会社

    Inventor： 稻男洋一 ,  佐伯尚哉

    IPC: H01L21/301

    Abstract: 本发明提供一种保护膜形成用薄膜，其可以得到保护膜的强度高、有助于带有保护膜的晶片的生产率的提高、且高可靠度的带有保护膜的晶片。本发明的保护膜形成用薄膜，其用于形成保护半导体晶片的保护膜，保护膜形成用薄膜包括环氧类热固化性成分，环氧类热固化性成分包含具有环氧基的缩合环式芳香族化合物。

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