公开(公告)号：KR1020110051850A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：KR1020090108637

申请日：2009-11-11

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 이경미 ,  손정희 ,  홍영주 ,  김광희

IPC: A61N5/10

Abstract: PURPOSE: A method for treating sepsis and septic shock using low level radiation is provided to be usefully used for treating sepsis and septic shock by controlling an acute inflammatory response in an initial stage. CONSTITUTION: A method for treating sepsis and septic shock comprises a step of irradiating low level radiation to a mammal except for a human having sepsis. The low level radiation is selected from a group consisting of alpha ray, beta ray, gamma ray, electronic beam, ultraviolet ray, and X-ray. The low level radiation suppresses the activity increase of immunocyte due to sepsis. The immunocyte is a natural killer cell.

Abstract translation: 目的：使用低水平辐射治疗败血症和败血性休克的方法可用于治疗败血症和败血性休克，通过控制初始阶段的急性炎症反应。 构成：治疗败血症和败血性休克的方法包括向具有败血症的人以外的哺乳动物照射低水平辐射的步骤。 低水平辐射选自由α射线，β射线，γ射线，电子束，紫外线和X射线组成的组。 低水平辐射抑制由于败血症引起的免疫细胞的活性增加。 免疫细胞是一种自然杀伤细胞。

公开(公告)号：KR1020140099964A

公开(公告)日：2014-08-14

申请号：KR1020130012174

申请日：2013-02-04

Applicant: 스마트전자 주식회사 ,  아주대학교산학협력단

Inventor： 정종일 ,  강두원 ,  안규진 ,  진상준 ,  김현창 ,  이경미 ,  백창용 ,  우창수 ,  강태헌 ,  김창구 ,  조성운 ,  김준현

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/44

Abstract: The present invention relates to a manufacturing method of a surge absorber. In particular, according to the manufacturing method of a surge absorber, a thin film with high purity can be formed as a conductive thin film is formed by a low pressure chemical vapor deposition. Numerical ranges, in which critical threshold of pressure, the deposition temperature, a flow volume ratio, and deposition time in a reactor are recognized, are suggested by the present invention. Therefore, a response speed of the surge absorber can be maximized, and an efficiency of a process can be increased.

Abstract translation: 本发明涉及浪涌吸收器的制造方法。 特别地，根据浪涌吸收体的制造方法，可以通过低压化学气相沉积形成导电薄膜，形成高纯度的薄膜。 本发明提出了数值范围，其中压力的临界阈值，沉积温度，流动体积比和反应器中的沉积时间被识别。 因此，浪涌吸收器的响应速度可以最大化，并且可以提高处理的效率。

公开(公告)号：KR101501338B1

公开(公告)日：2015-03-16

申请号：KR1020130012174

申请日：2013-02-04

Applicant: 스마트전자 주식회사 ,  아주대학교산학협력단

Inventor： 정종일 ,  강두원 ,  안규진 ,  진상준 ,  김현창 ,  이경미 ,  백창용 ,  우창수 ,  강태헌 ,  김창구 ,  조성운 ,  김준현

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/44

Abstract: 본 발명은 서지흡수기 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 저압 화학기상증착 방식으로 전도성 박막이 형성되기 때문에 고순도의 박막을 형성할 수 있고, 반응기 내의 압력, 증착온도, 유량비 및 증착시간 등의 조건에 있어서 임계적 의의가 인정되는 각 수치범위를 제시함으로써, 서지 흡수기의 응답속도를 극대화할 수 있고, 공정 효율을 향상시킬 수 있는 서지흡수기 제조방법에 관한 것이다.