광전류를감소시키기위한액정표시장치용박막트랜지스터
    51.
    发明公开
    광전류를감소시키기위한액정표시장치용박막트랜지스터 有权
    用于降低光电流的液晶显示装置用薄膜晶体管

    公开(公告)号:KR1019980085364A

    公开(公告)日:1998-12-05

    申请号:KR1019970021424

    申请日:1997-05-28

    Inventor: 이주형 허재호

    Abstract: 이 발명은 액정 표시 장치(liquid crystal display)용 박막 트랜지스터(TFT : Thin Film Transistor)에 관한 것으로서,
    반도체층이 게이트의 모서리로부터 2㎛보다 더 내부의 영역에 위치하도록 함으로써 광전류의 발생을 감소시킬 수 있다. 또한, 게이트와 소스 및 게이트와 드레인이 교차하는 영역에 부가적으로 형성된 광흡수층에 의해 금속층 사이의 반사를 통해 입사되는 광이 차단된다. 그리고, 역 디귿자 형상의 드레인 구조를 적용함으로써 게이트-소스 사이의 기생 커패시턴스를 감소시킬 수 있는 추가적인 잇점도 있다.

    다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조 방법

    公开(公告)号:KR1019970054516A

    公开(公告)日:1997-07-31

    申请号:KR1019950065936

    申请日:1995-12-29

    Inventor: 허재호

    Abstract: 본 발명은 다결정실리콘 박막 트랜지스터의 제조공정에 있어서 마스크의 수를 줄임과 동시에 공정을 단순화시켜 생산 비용을 절감하는데 그 목적이 있다.
    이를 위해 본 발명은 다결정실리콘 박막 트랜지스터의 제조방법에 있어서, 이온 주입공정에 사용되는 마스크를 나트라이드막으로 구성한 것을 특징으로 한다.
    이와 같은 본 발명에 의하면 이온 도핑 공정시 마스크로서 나이트라이드를 사용함으로써 고온, 고전류 밀도의 도핑이 가능하게 되어 생산성을 향상시킬 수 있다.
    또한 나이트라이드 마스크를 p형 박막트랜지스터에 하나만 형성하여 n형과 p형 박막트랜지스터를 동시에 형성하므로서 마스크 수를 감소시킬 수 있으며, 이온주입 온도와 전류밀도 등에 영향을 받지 않아 공정여유를 증가시키는 효과가 있다.

    저농도 드레인 구조의 형성방법
    53.
    发明公开
    저농도 드레인 구조의 형성방법 失效
    形成低浓度排水结构的方法

    公开(公告)号:KR1019970054462A

    公开(公告)日:1997-07-31

    申请号:KR1019950051051

    申请日:1995-12-16

    Inventor: 허재호 이주형

    Abstract: 신규한 저농도 드레인(LDD) 구조의 형성방법이 개시되어 있다.
    기판의 표면에 제1 도전형의 제1 불순물 이온을 제1 도즈로써 도핑시킨후, 제1 도전형의 제2 불순물 이온을 상기 제1 도즈로써 도핑시킨다.
    상기 제1 불순물 이온의 투사범위를 상기 제2 불순물 이온의 투사범위보다 감소시켜서 도핑한다. LDD영역 형성을 위한 이온 도핑시 고농도 불순물 영역과 같은 도즈로 도핑하되 투사범위를 조절함으로써 실제적으로 필요로 하는 LDD 영역에는 원하는 정도의 도즈만이 도핑될 수 있도록 하면서, 셀프-큐어링이 가능할 만큼 충분한 온도를 얻을 수 있다.

    액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법

    公开(公告)号:KR1019970024302A

    公开(公告)日:1997-05-30

    申请号:KR1019950035198

    申请日:1995-10-12

    Inventor: 허재호

    Abstract: 이 발명은 활성층 내부에 형성되어 있는 n+ 이온 주입 영역 안쪽에 p- 이온주입 영역을 형성함으로써, 누설 전류를 억제할 수 있는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에 관한 것이다. 박막 트랜지스터의 다결정 실리콘막의 내부에 게이트 전극에 대응하는 위치의 좌우에 제1 불순물 이온 주입 영역이 형성되어 있고, 제1 불순물 이온 주입 영역의 안쪽으로 제2 불순물 이온 주입 영역이 형성되어 있어, 제1 불순물 이온 주입 영역과 제2 불순물 이온 주입 영역의 접합면에 공핍층이 형성되어 누설 전류를 억제하는 특징을 갖는다.

    하드디스크 드라이브 검사 방법

    公开(公告)号:KR1019970017362A

    公开(公告)日:1997-04-30

    申请号:KR1019950029843

    申请日:1995-09-13

    Inventor: 허재호

    Abstract: 본 발명은 하드디스크 드라이브 검사 방법에 관하여 개시한다.
    본 발명에 따른 하드디스크 드라이브 검사 방법은 기존의 서보라이트 검사 및 기능 검사 공정을 한 라인으로 단일화하여 자동화시킴으로써 공정과 공정 사이의 인력 및 부품 운반 시간 등을 단축함으로써 생산성 향상 및 효율적인 작업을 실현할 수 있다.

    전자 부품 장착 장치의 부품 위치 오차 검출 방법
    56.
    发明公开
    전자 부품 장착 장치의 부품 위치 오차 검출 방법 无效
    用于检测电子部件安装设备的位置误差的方法

    公开(公告)号:KR1019950025414A

    公开(公告)日:1995-09-15

    申请号:KR1019940001922

    申请日:1994-02-02

    Inventor: 허재호 이종호

    Abstract: 전자부품 장착장치의 부품위치오차 검출방법에 관하여 개시하였다.
    전자부품 장착장치의 흡착기구에 의해 흡착된 부품의 위치오차를 검출하기 위한 본 발명의 방법은, 레이저빔을 이용하여 흡착기구에 의해 흡착된 부품의 외곽치수의 크기를 인식하는 신호를 발생시키고, 이 신호를 화상인식수단을 통해 신호입력 및 변환을 하여 출력시키고, 이 출력된 신호를 표준신호와 비교하여 부품위치 오차를 검출하는 단계를 포함하는 것에 의하여 부품의 정확한 위치오차를 검출할 수 있게 함으로써, 종래의 방법을 적용하는 장치들이 갖는 부품위치오차 검출의 한계성을 극복하여 더욱 신뢰성을 높일 수 있는 효과를 제공할 수 있게 된다.

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