Sb 도핑된 ZrNiSn 하프-호이즐러 합금 및 그 제조방법
    51.
    发明公开
    Sb 도핑된 ZrNiSn 하프-호이즐러 합금 및 그 제조방법 有权
    SB-DOPED ZRNISN HALF-HEUSLER合金及其制备方法

    公开(公告)号:KR1020130047236A

    公开(公告)日:2013-05-08

    申请号:KR1020110112137

    申请日:2011-10-31

    Inventor: 어순철 김일호

    CPC classification number: C22C1/0491 C22C2202/00

    Abstract: PURPOSE: An Sb-doped ZrNiSn half-Heusler alloy and a manufacturing method thereof are provided to manufacture the alloy with high efficiency using a mechanical alloying process with a solid phase change and a vacuum hot press process. CONSTITUTION: An Sb-doped ZrNiSn half-Heusler alloy and a manufacturing method thereof include: a step of manufacturing mixed powder with mixing Zr powder, Ni powder, and Sb powder which are raw materials; a step of implementing a mechanical alloying process on the mixed powder; a step of implementing a vacuum hot press process on the mixed powder; and a step of obtaining a thermoelectric material of which the composition is ZrNiSn1-xSbx(0

    Abstract translation: 目的:提供Sb掺杂的ZrNiSn半合金Heeller合金及其制造方法,以使用具有固相和真空热压工艺的机械合金化工艺高效制造合金。 构成:Sb掺杂的ZrNiSn半合金Heeller合金及其制造方法包括:以混合Zr粉末,Ni粉末和Sb粉末为原料制造混合粉末的步骤; 在混合粉末上实施机械合金化工艺的步骤; 在混合粉末上实施真空热压工艺的步骤; 以及获得组成为ZrNiSn1-xSbx(0

    Mg2Si 열전재료의 제조방법 및 이에 의해 제조된 Mg2Si 열전재료
    52.
    发明公开
    Mg2Si 열전재료의 제조방법 및 이에 의해 제조된 Mg2Si 열전재료 无效
    MG2SI热电材料的制造方法和制造的MG2SI热电材料

    公开(公告)号:KR1020120107804A

    公开(公告)日:2012-10-04

    申请号:KR1020110025547

    申请日:2011-03-22

    CPC classification number: H01L35/14 B22F3/12 H01L35/16 H01L35/34

    Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing an Mg2Si thermoelectric material and the Mg2Si thermoelectric material manufactured thereby are provided to improve a Seebeck coefficient, heat conductivity, and electrical conductivity by additionally doping with Te through alloying. CONSTITUTION: Mg and Si powder are prepared in an element state. The powder is mixed. The mixed powder is reacted into a solid state. Doping with Te is performed by mechanically alloying a product generated by a solid reaction with Te powder. The Te-doped Mg2Si powder is hot compressed.

    Abstract translation: 目的:提供一种制造Mg2Si热电材料的方法和由此制造的Mg2Si热电材料,以通过额外掺杂Te通过合金化来提高塞贝克系数,导热率和导电性。 构成:在元素状态下制备Mg和Si粉末。 粉末混合。 混合粉末反应成固态。 用Te掺杂通过将固体反应产生的产物与Te粉末机械合金化来进行。 Te掺杂的Mg2Si粉末被热压。

    고상 반응법에 의한 Mg2 Si 열전재료 제조방법
    53.
    发明公开
    고상 반응법에 의한 Mg2 Si 열전재료 제조방법 无效
    使用固体反应的MG2SI热电材料的制造方法和制造的MG2SI热电材料

    公开(公告)号:KR1020110117422A

    公开(公告)日:2011-10-27

    申请号:KR1020100036868

    申请日:2010-04-21

    Inventor: 김일호 정재용

    CPC classification number: H01L35/14 H01L35/34

    Abstract: 본 발명은 고상 반응법에 의한 Mg
    2 Si 제조방법 및 이에 의한 열전재료 Mg
    2 Si에 관한 것이다. 이를 위하여, 아래와 같은 단계로 이루어지는 고효율 열전재료 제조방법을 제공한다.
    원소 상태의 Mg 및 Si 분말을 준비하는 단계;
    상기 분말을 혼합하는 단계;
    혼합된 분말을 고상 반응하는 단계;
    상기 고상 반응하여 얻은 분말을 분쇄하는 단계; 및
    상기 분쇄하여 얻은 분말을 열간압축하는 단계.

    In-Co-Fe-Sb 계 스커테루다이트 열전재료 및 그 제조방법
    54.
    发明授权
    In-Co-Fe-Sb 계 스커테루다이트 열전재료 및 그 제조방법 有权
    In-Co-Fe-Sb基于SKUTTERUDITE的热电材料及其制造方法

    公开(公告)号:KR101042575B1

    公开(公告)日:2011-06-20

    申请号:KR1020090073649

    申请日:2009-08-11

    Inventor: 김일호 어순철

    Abstract: 본 발명은 In-Co-Fe-Sb 계 스커테루다이트 열전재료와 밀폐유도용해법과 열처리를 이용하여 In-Co-Fe-Sb 계 스커테루다이트 열전재료를 제조하는 방법에 관한 것이다.
    이를 위하여 본 발명에 의한 스커테루다이트계 열전재료는, CoSb
    3 을 이용한 스커테루다이트계 열전재료에 있어서, 단위격자 내의 공극이 In으로 충전되고 Fe가 도핑되어 In
    z Co
    4-x Fe
    x Sb
    12 의 조성을 가지며, z와 x가 0 z Co
    4-x Fe
    x Sb
    12 의 조성을 가지는 스커테루다이트 열전재료의 제조방법으로서, 원료물질인 Co, Sb, In 및 Fe를 석영관에 장입한 후 진공 하에서 밀폐하는 단계, 상기 장입된 원료물질의 혼합물을 고주파 유도 전력에 의해 밀폐유도용해로에서 가열 용해하는 단계, 상기 재료를 In의 공극 충전과 Fe의 활성화를 위하여 진공 열처리하는 단계를 포함한다.
    열전재료, 열전소재, 고효율 열전재료, 스커테루다이트

    In-Co-Ni-Sb 계 스커테루다이트 열전재료 및 그 제조방법
    55.
    发明授权
    In-Co-Ni-Sb 계 스커테루다이트 열전재료 및 그 제조방법 有权
    In-Co-Ni-Sb基于SKUTTERUDITE的热电材料及其制造方法

    公开(公告)号:KR101042574B1

    公开(公告)日:2011-06-20

    申请号:KR1020090073647

    申请日:2009-08-11

    Inventor: 김일호 어순철

    Abstract: 본 발명은 In-Co-Ni-Sb 계 스커테루다이트 열전재료와 밀폐유도용해법과 열처리를 이용하여 In-Co-Ni-Sb 계 스커테루다이트 열전재료를 제조하는 방법에 관한 것이다.
    이를 위하여 본 발명에 의한 스커테루다이트계 열전재료는, CoSb
    3 을 이용한 스커테루다이트계 열전재료에 있어서, 단위격자 내의 공극이 In으로 충전되고 Ni가 도핑되어 In
    z Co
    4-x Ni
    x Sb
    12 의 조성을 가지며, z와 x가 0 z Co
    4-x Ni
    x Sb
    12 의 조성을 가지는 스커테루다이트 열전재료의 제조방법으로서, 원료물질인 Co, Sb, In 및 Ni를 석영관에 장입한 후 진공 하에서 밀폐하는 단계, 상기 장입된 원료물질의 혼합물을 고주파 유도 전력에 의해 밀폐유도용해로에서 가열 용해하는 단계, 상기 재료를 In의 공극 충전과 Ni의 활성화를 위하여 진공 열처리하는 단계를 포함한다.
    열전재료, 열전소재, 고효율 열전재료, 스커테루다이트

    벌크상 열전재료 및 이를 구비한 열전소자
    56.
    发明公开
    벌크상 열전재료 및 이를 구비한 열전소자 有权
    大容量热电材料和包含其的热电装置

    公开(公告)号:KR1020100045190A

    公开(公告)日:2010-05-03

    申请号:KR1020080104263

    申请日:2008-10-23

    CPC classification number: H01L35/16 H01L35/26

    Abstract: 전자의이동을방해하지않지않으면서, 포논을산란시킬수 있는구조를갖는벌크상열전재료를개시한다. 본발명의일 실시예에따르면, 상기벌크형열전재료는벌크상의결정성열전재료매트릭스; 및상기열전재료매트릭스에임베딩된나노입자를포함한다.

    Abstract translation: 目的:提供体热电材料及其热电元件,以通过使用导电材料涂覆在体结晶热电材料基体内的纳米颗粒来改善热电材料的性能。 构成:热电材料包括其中涂覆本体结晶热电材料基体和导电材料的纳米颗粒。 其中涂覆有导电材料的纳米颗粒嵌入本体结晶热电材料基体内。 纳米颗粒是金属颗粒或陶瓷颗粒。 导电材料包括碳。 导电材料和纳米颗粒之间的相干性大于热电材料基体的晶体结构内的原子间结合力。

    CoSb3 스커테루다이트계 열전재료 및 그 제조방법
    57.
    发明授权
    CoSb3 스커테루다이트계 열전재료 및 그 제조방법 有权
    的CoSb? SKUTTERUDITE热电材料及其制造方法

    公开(公告)号:KR100910173B1

    公开(公告)日:2009-07-30

    申请号:KR1020070091776

    申请日:2007-09-10

    Inventor: 어순철 김일호

    Abstract: 본 발명은 스커테루다이트계 열전재료 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 자세하게는 CoSb
    3 스커테루다이트의 공극에 In을 충진시키고 Te를 Sb와 치환시킨 In
    z Co
    4 Sb
    12
    -
    y Te
    y 스커테루다이트계 열전재료와 밀폐유도용해법과 열처리를 이용하여 In을 충진하고 Te를 도핑하는 그 제조방법에 관한 것이다.
    이를 위하여 본 발명에 의한 스커테루다이트계 열전재료는, CoSb
    3 을 이용한 스커테루다이트계 열전재료에 있어서, 단위격자 내의 공극이 In으로 충진되고 Te가 도핑되어 In
    z Co
    4 Sb
    12-y Te
    y 의 조성을 가지며, 상기 z와 y가 0 3 을 이용한 스커테루다이트계 열전재료 제조방법에 있어서, 원료물질인 Co, Sb, In 및 Te를 석영관에 장입한 후 진공 하에서 밀폐하는 단계, 상기 장입된 원료물질의 혼합물을 고주파 유도 전력에 의해 밀폐유도용해로에서 가열 용해하는 단계, 상기 재료를 In의 공극 충진과 Te의 활성화를 위하여 진공 열처리하는 단계를 포함한다.
    열전재료, 열전소재, 고효율 열전재료, 스커테루다이트, In충진, Te도핑

    Sn 충진 및 Te 도핑된 스커테루다이트계 열전재료 및그 제조방법
    58.
    发明公开
    Sn 충진 및 Te 도핑된 스커테루다이트계 열전재료 및그 제조방법 有权
    SN填充和热镀锌的热电材料及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020090026667A

    公开(公告)日:2009-03-13

    申请号:KR1020070091779

    申请日:2007-09-10

    Inventor: 어순철 김일호

    CPC classification number: H01L35/16 H01L35/18 H01L35/34

    Abstract: A Sn-filled and Te-doped skutterudite thermoelectric material and method for manufacturing the same is provided to increase thermal conductivity by optimizing the concentration of a carrier. An Sn-filled and Te-doped skutterudite thermoelectric material is comprised of the steps: inserting cobalt, antimony, indium, and tellurium into the quartz tube; heating and melting the inserted material with high frequency induction power; rapidly freezing in the water in order to prevent formation of the second phase after melting; perform vacuum heating treatment to fill indium into the aperture and activate Te.

    Abstract translation: 提供Sn填充和Te掺杂的方钴矿热电材料及其制造方法,以通过优化载体的浓度来提高热导率。 Sn填充和Te掺杂的方钴矿热电材料包括以下步骤:将钴,锑,铟和碲插入石英管中; 用高频感应电加热和熔化插入的材料; 在水中快速冷冻,以防止熔化后第二相的形成; 进行真空加热处理以将铟填充到孔中并激活Te。

    스커테루다이트 열전재료 제조방법
    59.
    发明授权
    스커테루다이트 열전재료 제조방법 失效
    生产热电钻头的方法

    公开(公告)号:KR100802152B1

    公开(公告)日:2008-02-11

    申请号:KR1020060103013

    申请日:2006-10-23

    Inventor: 김일호 어순철

    CPC classification number: H01L35/14 H01L35/18 H01L35/22 H01L35/34

    Abstract: A method for producing a thermoelectric skutterudite is provided to improve a thermoelectric characteristic by doping a specific element on CoSb3 and performing an encapsulated induction melting. A thermoelectric skutterudite includes a composition of Co1-xMxSb3. A method for producing the thermoelectric skutterudite includes a process for inserting Co, M, and Sb as raw materials into a quartz tube and encapsulating the quartz tube in a vacuum state. The method further includes a process for heating and melting a mixture of the raw materials within an encapsulated induction melting pot by using radio frequency induction power. The method further includes a vacuum treatment process for the melted materials in order to induce phase uniformity and phase change.

    Abstract translation: 提供一种用于制造热电方钴矿的方法,以通过在CoSb 3上掺杂特定元素并进行封装的感应熔化来改善热电特性。 热电方钴矿包括Co1-xMxSb3的组合物。 制备热电方钴矿的方法包括将Co,M和Sb作为原料插入石英管并将石英管封装在真空状态的工艺。 该方法还包括通过使用射频感应功率来加热和熔化封装的感应熔池内的原料的混合物的方法。 该方法还包括用于熔化的材料的真空处理工艺,以引起相位均匀性和相变。

    기계부품 코팅방법
    60.
    发明公开
    기계부품 코팅방법 有权
    涂布机械部件的方法

    公开(公告)号:KR1020060087113A

    公开(公告)日:2006-08-02

    申请号:KR1020050007943

    申请日:2005-01-28

    Abstract: 본 발명의 기계부품 코팅방법은 니켈을 함유한 그라파이트계 용사 코팅용 분말소재를 마련하는 단계; 상기 분말소재를 상기 기계부품에 고온, 고속으로 용사하여 코팅하는 단계를 포함한다. 코팅의 물성을 향상시키기 위한 추가 공정 및 작업 조건이 제공된다. 이에 의하여, 상대적으로 저렴하고 그 기계적 성질이 우수한 신소재로서의 니켈 함유 그라파이트계 용사 코팅재로 기계부품을 용사 코팅하여 기계적 성질(내마모성 등)을 향상시킬 수 있다.

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