公开(公告)号：KR101180573B1

公开(公告)日：2012-09-06

申请号：KR1020100017042

申请日：2010-02-25

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 민병권 ,  이상조 ,  이경수 ,  김성호 ,  이원균

IPC: G01D21/02 ,  G01L9/08 ,  G01P5/02 ,  G01F1/34

Abstract: 본 발명은 압전소자를 이용한 다기능센서 및 이를 이용한 모니터링 시스템 및 이의 설치방법에 관한 것으로서, 그 다기능센서는 유체가 흐르는 파이프(5) 내에 설치되어 유체의 흐름을 정면으로 맞받는 수직충돌부(31a,31b,31c,31d,31e,31f,31g); 상기 수직충돌부(31a,31b,31c,31d,31e,31f,31g)의 전면에 설치되어 유체의 가압력에 의해 전기를 발생시키는 압전소자(32); 상기 압전소자(32)와 연결되고 이 압전소자(32)에서 발생된 전압을 측정하여 유압을 측정하는 전기회로(33)로 이루어진 유압센싱발전부(30); 및 상기 수직충돌부(31a,31b,31c,31d,31e,31f,31g)의 후방에 배치되고 유체 흐름과 수평을 이루는 수평충돌부(41); 상기 수평충돌부(41)의 표면에 설치되어 수직충돌부(31a,31b,31c,31d,31e,31f,31g)를 거친 유체의 간접 가압력에 의해 전기를 발생시키는 압전소자(42); 상기 압전소자(42)와 연결되고 이 압전소자(42)에서 발생된 전압을 측정하여 유속을 측정하는 전기회로(43)로 이루어진 유속센싱발전부(40)를 포함하여 구성된다.

公开(公告)号：KR1020110097278A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：KR1020100017042

申请日：2010-02-25

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 민병권 ,  이상조 ,  이경수 ,  김성호 ,  이원균

IPC: G01D21/02 ,  G01L9/08 ,  G01P5/02 ,  G01F1/34

CPC classification number: G01F1/34 ,  G01D21/02 ,  G01L9/08 ,  G01P5/02

Abstract: 본 발명은 압전소자를 이용한 다기능센서 및 이를 이용한 모니터링 시스템 및 이의 설치방법에 관한 것으로서, 그 다기능센서는 유체가 흐르는 파이프(5) 내에 설치되어 유체의 흐름을 정면으로 맞받는 수직충돌부(31a,31b,31c,31d,31e,31f,31g); 상기 수직충돌부(31a,31b,31c,31d,31e,31f,31g)의 전면에 설치되어 유체의 가압력에 의해 전기를 발생시키는 압전소자(32); 상기 압전소자(32)와 연결되고 이 압전소자(32)에서 발생된 전압을 측정하여 유압을 측정하는 전기회로(33)로 이루어진 유압센싱발전부(30); 및 상기 수직충돌부(31a,31b,31c,31d,31e,31f,31g)의 후방에 배치되고 유체 흐름과 수평을 이루는 수평충돌부(41); 상기 수평충돌부(41)의 표면에 설치되어 수직충돌부(31a,31b,31c,31d,31e,31f,31g)를 거친 유체의 간접 가압력에 의해 전기를 발생시키는 압전소자(42); 상기 압전소자(42)와 연결되고 이 압전소자(42)에서 발생된 전압을 측정하여 유속을 측정하는 전기회로(43)로 이루어진 유속센싱발전부(40)를 포함하여 구성된다.

公开(公告)号：KR1020110045988A

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：KR1020090102776

申请日：2009-10-28

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 이상조 ,  민병권 ,  석종원 ,  장경인

IPC: H01L21/304

Abstract: PURPOSE: A diamond-polymer compound pad and manufacturing method thereof, and a silicon wafer polishing method and device thereof are provided to polish a silicon wafer, thereby accurately polishing the silicon wafer by reducing stress concentration on the silicon wafer. CONSTITUTION: A diamond-polymer dispersing object is generated by dispersing and mixing diamond particles with polymer particles. The diamond-polymer dispersing object is formed in a fixed shape to generate a diamond-polymer compound pad(113). A polishing groove(114) is formed on a side of the diamond-polymer compound pad so that the diamond-polymer compound pad is engaged with a silicon wafer(120). The section of the polishing groove has a shape corresponding to the section of the side of the silicon wafer.

Abstract translation: 目的：提供一种金刚石 - 高分子复合衬垫及其制造方法以及硅晶片抛光方法及其装置，以抛光硅晶片，从而通过降低硅晶片上的应力集中度来精确地抛光硅晶片。 构成：通过将金刚石颗粒与聚合物颗粒分散和混合来产生金刚石聚合物分散体。 金刚石 - 聚合物分散体形成为固定形状以产生金刚石 - 高分子化合物垫（113）。 在金刚石 - 高分子复合垫的一侧上形成抛光槽（114），使得金刚石 - 高分子复合垫与硅晶片（120）接合。 抛光槽的截面具有对应于硅晶片侧面截面的形状。

公开(公告)号：KR1020100003782A

公开(公告)日：2010-01-12

申请号：KR1020080063772

申请日：2008-07-02

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 민병권 ,  이상조 ,  김연태 ,  김태곤

IPC: H01L21/3065

Abstract: PURPOSE: A focused ion beam processing apparatus using a multiple aperture, a correcting method thereof, and a process method using the same are provided to implement a three dimensional process shape by controlling a blink state of a plurality of ion beams by a multiple beam blink controller. CONSTITUTION: A penetration hole(200a) divides single ion beam from an ion source unit(100) into a plurality of ion beams. A multiple beam generation aperture(200) is installed on a path through which the ion beam passes. A multiple beam blink controller(300) controls the emission type of the plurality of ion beams. A multiple beam focusing unit(400) focuses a plurality of ion beams so that the ion beams reach the process surface of a process object(10) with a preset shape and angle. A beam activation unit(250) activates the output of the ion beam passing through the penetration hole of the multiple beam generation aperture. The multiple beam generation aperture includes a first electrode(210) through which a plurality of holes pass, a second electrode(220) separately installed on a lower side of the first electrode, and a dielectric substance(230).

Abstract translation: 目的：提供一种使用多孔径的聚焦离子束处理装置，其校正方法及其处理方法，以通过多束眨眼来控制多个离子束的眨眼状态来实现三维处理形状 控制器。 构成：穿透孔（200a）将离子源单元（100）的单个离子束分成多个离子束。 多束生成孔径（200）安装在离子束通过的路径上。 多光束闪烁控制器（300）控制多个离子束的发射类型。 多光束聚焦单元（400）聚焦多个离子束，使得离子束以预定的形状和角度到达处理对象（10）的处理表面。 光束激活单元（250）激活穿过多光束产生孔径的穿透孔的离子束的输出。 多光束产生孔包括多个孔穿过的第一电极（210），分别安装在第一电极的下侧的第二电极（220）和电介质（230）。

公开(公告)号：KR1020090007025A

公开(公告)日：2009-01-16

申请号：KR1020070070602

申请日：2007-07-13

Applicant: 연세대학교 산학협력단

Inventor： 민병권 ,  이상조 ,  정재원 ,  여강우

IPC: C25D11/04 ,  H01G9/04 ,  B82B3/00

CPC classification number: C25D11/34 ,  C25D21/12 ,  H01G9/042

Abstract: A method and an apparatus for manufacturing a hyperfine needle electrode are provided to easily manufacture a hyperfine needle electrode of a desired shape without performing a plurality of tests, and to manufacture a plurality of hyperfine needle electrodes using a plurality of the apparatuses formed in a parallel structure. A method for manufacturing a hyperfine needle electrode comprises: a step(S600) of dipping a tungsten wire into an electrolyte solution; a step(S610) of applying a voltage to the electrodes after connecting a positive electrode to the tungsten wire and connecting a negative electrode to the electrolyte solution; a step(S630) of measuring a current value flowing to the electrolyte solution; a step(S650) of predicting a radius of the tungsten wire; a step(S660) of calculating a drawing length of the tungsten wire; a step(S670) of moving the tungsten wire as long as the calculated drawing length of the tungsten wire; and a step of repeating the step(S630) to the step(S670) until the current value measured in the step(S630) becomes larger than or the same as a set value.

Abstract translation: 提供了一种用于制造超细针电极的方法和装置，以便容易地制造所需形状的超细针电极，而不进行多次测试，并且使用并联形成的多个装置制造多个超精细针电极 结构体。 超细针电极的制造方法包括：将钨丝浸渍到电解液中的工序（S600） 在将正极连接到钨丝并将负极连接到电解液之后，向电极施加电压的步骤（S610） 测量流向电解液的电流值的步骤（S630）; 预测钨丝的半径的步骤（S650）; 计算钨丝的拉丝长度的步骤（S660）; 只要计算出的钨丝的拉丝长度，就移动钨丝的步骤（S670） 以及重复步骤（S630）至步骤（S670）的步骤，直到在步骤（S630）中测量的当前值变得大于或等于设定值。