公开(公告)号：KR1019990016746A

公开(公告)日：1999-03-15

申请号：KR1019970039413

申请日：1997-08-19

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 이명현 ,  이형종 ,  오민철 ,  안주헌 ,  한선규 ,  원용협

IPC: G02F1/295

Abstract: 본 발명은 광학적 복굴절성이 큰 전기 광학 폴리머를 이용한 편광 조절기 제조방법에 관한 것으로서, 실리콘(Si) 기판 위에 금을 열증착하여 하부 전극을 형성하는 제 1 공정과, 상기 하부 전극 위에 코아층 폴리머보다 굴절률이 낮고 복굴절성이 없는 폴리머를 코팅하여 하부 클래딩을 형성하는 제 2 공정과, 상기 하부 클래딩층 위에 복굴절성이 큰 전기광학 폴리머를 코팅하고 열건조한 후, 활성 이온 식각법과 리쏘그라피로 원하는 패턴을 형성하여 광도파로를 형성하는 제 3 공정과, 상기 광도파로 위에 코아층 폴리머보다 굴절률이 낮고 복굴절성이 없는 폴리머를 코팅하여 상부 클래딩을 형성하는 제 4 공정과, 상기 상부 클래딩층 위에 폴링과 상부 전극을 위해서, 금을 열증착하여 상부 전극용 금을 형성하는 제 5 공정과, 상기 형성된 상부 전극용 금 과 하부 전극을 이용하여 유리전이 온도에서 전계를 가하여 폴링하며 상부에 증착된 금을 리쏘그라피로 원하는 패턴을 형성하는 제 6 공정과, 실리콘(Si) 절단면을 이용한 단면 절개법이나 단면 연마 방법을 이용하여 광파의 입출력을 위한 단면을 형성한 후 양 단면에 광섬유를 부착하는 제 7 공정으로 구성되어, 제작 공정이 손쉬우며, 고성능, 저가의 제품을 만들기에 유리하다.

公开(公告)号：KR1019990010150A

公开(公告)日：1999-02-05

申请号：KR1019970032812

申请日：1997-07-15

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 오민철 ,  이명현 ,  이형종 ,  안주헌 ,  한선규 ,  원용협

IPC: G02B6/00

Abstract: 본 발명은 광학적 복굴절성이 큰 폴리머를 이용한 Y-분기형 광도파로 편광 분리기의 구조 및 제작방법에 관한 것으로서, 복굴절 폴리머가 위치한 가지의 유효 굴절률이 도파광의 편광에 따라 다른 값을 갖도록 복굴절이 큰 폴리머를 Y-분기 폴리머 광도파로 소자의 한쪽 가지에 정렬하여 제작하여 두 가지의 상대적인 유효 굴절률 차이가 도파광의 편광에 따라 다르게 되며, 도파로 구조를 유효 굴절률 값이 TE(Transverse Electric) 편광에 대해서 복굴절 폴리머가 있는 가지가 더 높고 TM(Transverse Magnetic) 편광에 대해서는 반대쪽 가지가 더 높게 디자인하며, Y-분기형 광도파로에서 분기 각도가 충분히 작고 두 가지의 유효 굴절률이 서로 다른 경우에 도파광은 모드 진화 현상에 의해 더 높은 굴절률을 갖는 가지로 완전히 넘어가서 출력하도록 함으로 인해 광도� �로 소자는 임의의 편광 성분을 가지는 광이 입력될 때 TE, TM 편광 성분을 각기 다른 가지로 나뉘어져서 출력시키는 편광 분리기로 동작하도록 함으로써, 편광 분리비가 높고 손실이 작으며, 쉽게 제작 가능한 장점을 가지므로 실용성이 높고, 폴리머를 이용하여 저가의 대량생산이 가능하므로 향후 다 방면의 편광 관련 시스템에 응용될 수 있고, 폴리머 광도파로 소자들과 집적하여 새로운 형태의 광도파로 소자를 제작할 수도 있는 효과를 가진다.

公开(公告)号：KR100152210B1

公开(公告)日：1998-10-15

申请号：KR1019940010422

申请日：1994-05-12

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 김환규 ,  이형종 ,  이명현 ,  원용협

IPC: C07C309/45 ,  G02F2/00

Abstract: 본 발명은 열적으로 안정한 전기광학적 성질을 가지며, 광전송 손실이 아주 낮은 하기 일반식(I)로 표현되는 비선형 광전자 화합물을 유기광전자화합물로 사용하고 폴리머 매질로는 폴리아믹에시트를 사용하여 얻은 호스트-게스트(host-guest)계의 광도파로형 광소자의 제조방법에 관한 것으로, 고분자 매질과의 상용성이 우수하고 전기광학적 성질이 아주 우수하며 250℃ 이상의 온도에서도 열적 분해가 일어나지 않을 뿐만 아니라 승화되지 않고, 광전송 손실이 아주 낮은 비선형 광전자화합물 및 폴리아믹에시트를 사용하여 광도파로형 광소자를 제조할 수 있다.

상기식에서, R
1 은 C
2 ∼C
4 , R
2 는 C
6 ∼C
10 의 알킬기이다.

公开(公告)号：KR100151906B1

公开(公告)日：1998-10-15

申请号：KR1019950021928

申请日：1995-07-24

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 이형종 ,  원용협

IPC: C07D209/82

Abstract: 본 발명은 하기 일반식(I)로 표현되는 비선형 광전자 화합물 및 상기 화합물을 유기광전자 화합물로 사용하고 플리이미드를 폴리머 매질로 사용하여 통상의 방법으로 광도파로형 광소자를 제조하는 방법에 관한 것으로, 전기광학적 성질이 아주 우수하고 250℃이상에서도 열적으로 분해와 승화되지 않는 비선형 광전자 화합물을 얻을 수 있었고, 광전송손실이 아주 낮은 광소자를 제조할 수 있다.

상기식에서 R
1 은 C
1 ∼C
10 의 알킬기, 말단에 알콜기가 치환된 C
2 ∼C
10 의 알킬기, 치환 또는 비치환 페닐기 또는 나프탈렌기이고, R
2 는 니트로기, C
1 ∼C
10 의 알킬 설폰기, 말단에 알콜기가 치환된 C
2 ∼C
10 의 알킬 설폰기, 치환 또는 비치환 페닐 설폰기이며, X는 탄소 또는 질소이다.

公开(公告)号：KR1019970006284A

公开(公告)日：1997-02-19

申请号：KR1019950021928

申请日：1995-07-24

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 이형종 ,  원용협

IPC: C07D209/82

Abstract: 본 발명은 하기 일반식(I)로 표현되는 비선형 광전자 화합물 및 상기 화합물을 유기광전자 화합물로 사용하고 폴리이미드를 폴리머 매질로 사용하여 통상의 방법으로 광도파로형 광소자를 제조하는 방법에 관한 것으로, 전기광학적 성질이 아주우수하고 250℃ 이상에서도 열적으로 분해와 승화되지 않는 비선형 광전자 화합물을 얻을 수 있었고, 광전송손실이 아주 낮은 광소자를 제조할 수 있다.

상기식에서, R
1 은 C
1 ∼C
10 의 알킬기, 말단에 알콜기가 치환된 C
2 ∼C
10 의 알킬기, 치환 또는 비치환 페닐기 또는 나프탈렌기이고, R
2 는 니트로기 C
1 ∼C
10 의 알킬 설폰기, 말단에 알콜기가 치환된 C
2 ∼C
10 의 알킬 설폰기, 치환 또는 비치환 페닐 설폰기이며, X는 탄소 또는 질소이다.

公开(公告)号：KR1019950032088A

公开(公告)日：1995-12-20

申请号：KR1019940010423

申请日：1994-05-12

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 김환규 ,  이형종 ,  이명현 ,  원용협

IPC: C07C245/06

Abstract: 본 발명은 하기 일반식(I)로 표현되는 비선형 광전자 화합물, 상기 화합물을 유기 광전자 화합물로 사용하고 폴리이미드를 고분자 매질로 사용하여 통상의 방법으로 광도파로형 광소자를 제조하는 방법에 관한 것으로, 전기 광학적 성질이 아주 우수하고 250℃이상에서도 열적으로 분해와 승화되지 않는 비선형 광전자 화합물을 얻을 수 있었고, 광전송 손실이 아주 낮은 광소자를 제조할 수 있다.

상기 식에서, R
1 및 R
2 는 각각C
2 ~C
20 의 알킬기, 알켄기, 알킨기, 치환 또는 비치환의 페닐 또는 나프탈렌기이다.