公开(公告)号：FR2990783A1

公开(公告)日：2013-11-22

申请号：FR1254582

申请日：2012-05-21

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： TAILLIET FRANCOIS

IPC: G06F11/08

Abstract: Procédé de traitement d'une mémoire non volatile destinée à stocker des mots contenant des bits de données et des bits de contrôle permettant une correction d'erreur avec un code correcteur d'erreur, le procédé comprenant un stockage d'une information (INF) dans le plan-mémoire comportant une écriture dans le plan mémoire d'au moins un mot numérique (MTM) modifié par rapport à au moins un mot numérique initial (MTI) n'ayant aucun bit erroné, ledit au moins un mot numérique modifié contenant un bit ayant une valeur modifiée par rapport à la valeur de ce bit dans ledit au moins un mot numérique initial, les autres bits du mot numérique modifié ayant des valeurs identiques à celles de ces mêmes bits dans le mot numérique initial, la position du bit modifié dans ledit au moins un mot numérique modifié (MTM) définissant la valeur de l'information numérique (INF).

公开(公告)号：FR2976403B1

公开(公告)日：2013-11-22

申请号：FR1155050

申请日：2011-06-09

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： TAILLIET FRANCOIS

IPC: H01L21/768

公开(公告)号：FR2980026B1

公开(公告)日：2013-11-15

申请号：FR1158095

申请日：2011-09-12

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： TAILLIET FRANCOIS

IPC: G11C29/50 ,  G01R31/26 ,  G01R31/28 ,  G01R31/30

公开(公告)号：FR2956246B1

公开(公告)日：2013-11-01

申请号：FR1050860

申请日：2010-02-08

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： TAILLIET FRANCOIS

IPC: H01L23/60

公开(公告)号：FR2952227B1

公开(公告)日：2013-09-06

申请号：FR0957623

申请日：2009-10-29

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： TAILLIET FRANCOIS

IPC: H01L27/115 ,  G11C16/10 ,  G11C16/14

公开(公告)号：FR2979468B1

公开(公告)日：2013-08-23

申请号：FR1157659

申请日：2011-08-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： TAILLIET FRANCOIS ,  BAHOUT YVON

IPC: G11C16/08 ,  G11C16/14 ,  G11C16/34

公开(公告)号：FR2955699B1

公开(公告)日：2013-08-16

申请号：FR1050493

申请日：2010-01-26

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： TAILLIET FRANCOIS

IPC: H01L23/62

公开(公告)号：FR2980025A1

公开(公告)日：2013-03-15

申请号：FR1158094

申请日：2011-09-12

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： TAILLIET FRANCOIS

IPC: G11C16/04 ,  G11C16/08 ,  G11C16/14

公开(公告)号：FR2978312A1

公开(公告)日：2013-01-25

申请号：FR1156674

申请日：2011-07-22

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： TAILLIET FRANCOIS

IPC: H03K19/0944 ,  H01L23/58 ,  H03K19/173

Abstract: L'invention concerne un circuit électronique en boîtier (1) comportant deux fonctions, l'orientation du circuit activant une seule des deux fonctions.

公开(公告)号：FR2976115A1

公开(公告)日：2012-12-07

申请号：FR1154718

申请日：2011-05-30

Applicant: ST MICROELECTRONICS ROUSSET

Inventor： TAILLIET FRANCOIS

IPC: G11C11/4094 ,  G11C14/00

Abstract: Procédé de programmation de cellules mémoire dans une mémoire non volatile (M2), comprenant une étape consistant à appliquer une tension de programmation (Vhv) à une première ligne de bit et à mettre une seconde ligne de bit dans un état flottant (FLT). Le procédé comprend également une étape consistant à appliquer une tension de compensation (Vc) à une ligne conductrice écran (CL) couplée à la ligne de bit (BL) mise dans l'état flottant, et mettre dans l'état flottant une ligne conductrice écran (CL) couplée à la ligne de bit (BL) recevant la tension de programmation (Vhv). Application à la réduction du phénomène de programmation parasite de cellules mémoire par couplage capacitif entre lignes de bit.