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公开(公告)号：CN107887506A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201710917974.X
申请日：2017-09-27
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 佐佐木智生
Abstract: 本发明提供一种磁阻效应元件，在作为现有的隧道势垒层的材料或比使用了MgAl2O4的TMR元件更低的RA中，产生较高的MR比。磁阻效应元件的特征在于，具有层叠体，该层叠体按顺序层叠有：基底层、第一铁磁性金属层、隧道势垒层、第二铁磁性金属层，上述基底层由TiN、NbN、TaN、ZrN或它们的混晶构成，上述隧道势垒层由具有尖晶石结构的以下述的组成式(1)表示的化合物构成。(1)：AxB2Oy，式中，A为非磁性的二价阳离子，表示选自镁及锌中的1种以上的元素的阳离子，x表示满足0＜x≤2的数，y表示满足0＜y≤4的数。
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公开(公告)号：CN107408626A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201680019561.3
申请日：2016-03-28
Applicant: TDK株式会社
Inventor： 佐佐木智生
IPC: H01L43/10 , G11B5/39 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08
Abstract: 本发明所提供的磁阻效应元件中，具有第一铁磁性金属层、第二铁磁性金属层、以及夹持于上述第一铁磁性金属层及第二铁磁性金属层的隧道势垒层，上述隧道势垒层由化学式AB2Ox表示，是阳离子排列不规则的尖晶石结构，并且A为二价阳离子，为Mg或Zn的任一者，B为三价阳离子，包含选自Al、Ga及In中的多种元素。
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公开(公告)号：CN113659071B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202110928639.6
申请日：2018-01-26
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的磁阻效应元件，具备：自旋流磁化旋转元件、磁化方向被固定的第二铁磁性金属层、夹持于自旋流磁化旋转元件的第一铁磁性金属层与第二铁磁性金属层之间的非磁性体层、以及基板，在基板的第二铁磁性金属层侧的面形成基底层，基底层是选自：包含从Ti、Zr、Nb、V、Hf、Ta、Mo、W、B、Al、Ce中选择的至少一种元素的氮化物的层；以组成式XYO3表示的钙钛矿型导电性氧化物的层；包含从Mg、Al、Ce选择的至少一种元素的氧化物的层；以及，包含从Al、Cr、Fe、Co、Rh、Pd、Ag、Ir、Pt、Au、Mo、W中选择的至少一种元素的层；中的至少一种。
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公开(公告)号：CN117135992A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202211514177.4
申请日：2022-11-30
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种磁阻效应元件及磁阻效应元件的制造方法。该磁阻效应元件具备第一铁磁性层、第二铁磁性层和非磁性层。所述非磁性层位于所述第一铁磁性层与所述第二铁磁性层之间。所述非磁性层具备第一中心区域和位于比所述第一中心区域靠外侧的第一外周区域。所述第一外周区域的最大厚度比所述第一中心区域的平均厚度厚。
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公开(公告)号：CN111512456B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN201980006754.9
申请日：2019-02-26
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的铁磁性层叠膜包括多个第一磁性层、至少一个第二磁性层和至少一个第一非磁性层，第一磁性层与第二磁性层或第一非磁性层交替层叠，构成第一磁性层的材料与构成第二磁性层的材料不同，上述第一磁性层、上述第一非磁性层和上述第二磁性层是在上述第一磁性层与上述第一非磁性层之间产生界面磁各向异性的材料组合，并且是在上述第一磁性层与上述第二磁性层之间产生界面磁各向异性的材料组合。
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公开(公告)号：CN109643690B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201780052563.7
申请日：2017-12-26
Applicant: TDK株式会社
IPC: H10B61/00 , H01L27/105 , H01L29/82 , H10N50/10
Abstract: 本发明的一个实施方式的磁壁利用型模拟存储元件具备磁化沿第一方向取向的磁化固定层(1)、设置于磁化固定层(1)的一面的非磁性层(2)、相对于磁化固定层(1)夹着非磁性层(2)设置的磁壁驱动层(3)、向磁壁驱动层(3)供给沿第一方向取向的磁化的第一磁化供给单元(4)及供给沿与第一方向相反的第二方向取向的磁化的第二磁化供给单元(5)，第一磁化供给单元(4)及第二磁化供给单元(5)中至少一方是与磁壁驱动层(3)相接且沿相对于磁壁驱动层(3)交叉的方向延伸的自旋轨道转矩配线。
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公开(公告)号：CN111279351B
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN201980005310.3
申请日：2019-02-27
Applicant: TDK株式会社
IPC: G06G7/60 , G06N3/063 , H01L29/82 , H01L27/04 , H10B99/00 , H01L21/822 , H01L27/105
Abstract: 本发明提供一种积和运算器(1)，其包括积运算部(10)以及和运算部(11)，所述积运算部(10)包括作为电阻变化元件的多个积运算元件(10AA、10AB)和至少一个参考元件(10AMAX、10AMIN)，所述和运算部(11)至少包括检测来自所述多个积运算元件的输出的合计值的输出检测器(11A)，所述多个积运算元件各自为磁阻效应元件，包括：具有磁壁的磁化自由层；磁化方向被固定的磁化固定层；和由所述磁化自由层与所述磁化固定层夹持的非磁性层，所述参考元件为包括不具有磁壁的磁化自由层的参考磁阻效应元件。
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