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公开(公告)号：CN106165073A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201580018723.7
申请日：2015-03-05
Applicant: 三垦电气株式会社 , 信越半导体股份有限公司
IPC: H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L21/02458 , H01L21/0251 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/283 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/207 , H01L29/42356 , H01L29/7786 , H01L29/7787
Abstract: 本发明是一种半导体基板的制造方法，所述半导体基板具有：基板；所述基板上的初始层；高电阻层，其由所述初始层上的氮化物系半导体构成，且包含碳；以及，通道层，其由所述高电阻层上的氮化物系半导体构成；并且，所述半导体基板的制造方法的特征在于，在形成所述高电阻层的步骤中，使对所述半导体基板进行加热的设定温度具有梯度，并且以将高导电层形成开始时的所述设定温度与高电阻层形成结束时的所述设定温度设为不同温度的方式，来形成所述高电阻层。由此，提供一种半导体基板的制造方法，其能够降低高电阻层中的碳浓度的浓度梯度，并且能够将碳浓度设在所期望的值。
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公开(公告)号：CN106165072A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201580018718.6
申请日：2015-03-05
Applicant: 三垦电气株式会社 , 信越半导体股份有限公司
IPC: H01L21/338 , H01L21/205 , H01L29/207 , H01L29/778 , H01L29/812
Abstract: 本发明是一种半导体基板，其具有：基板；所述基板上的缓冲层；高电阻层，其由所述缓冲层上的氮化物系半导体所构成且包含过渡金属和碳；以及，通道层，其由所述高电阻层上的氮化物系半导体所构成；所述半导体基板的特征在于，所述高电阻层具有减少层，所述减少层邻接于所述通道层，并且所述过渡金属浓度是自所述缓冲层侧朝向所述通道层侧减少；并且，碳浓度朝向所述通道层减少的减少率，比所述过渡金属浓度朝向所述通道层减少的减少率更大。由此，提供一种半导体基板，其能够一面降低通道层内的碳浓度和过渡金属浓度，一面谋求高电阻层的通道层侧区域的高电阻化。
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公开(公告)号：CN106067484A
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：CN201610633098.3
申请日：2014-09-18
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 川尻智司
IPC: H01L29/78 , H01L29/739 , H01L21/336 , H01L21/331 , H01L21/28 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L29/10
CPC classification number: H01L29/7396 , H01L21/2815 , H01L29/0619 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/401 , H01L29/407 , H01L29/42372 , H01L29/42376 , H01L29/4238 , H01L29/66007 , H01L29/7394 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/7802 , H01L29/7811
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，其能够低廉地进行制造且是降低了反馈电容的沟槽栅型。具有：半导体基板，其是层叠第1半导体区、第2半导体区、第3半导体区、以及第4半导体区而成的；绝缘膜，其配置在槽的内壁上，该槽从第4半导体区的上表面延伸，贯通第4半导体区以及第3半导体区而达到第2半导体区；控制电极，其在槽的侧面，与第3半导体区的侧面相对地配置在绝缘膜上；第1主电极，其与第1半导体区电连接；第2主电极，其与第3半导体区以及第4半导体区电连接；底面电极，其在槽的底面中与控制电极分离地配置在绝缘膜上，与第2主电极电连接，其中，在俯视时，槽的延伸方向的长度为槽的宽度以上，且，槽的宽度大于相邻的槽彼此之间的间隔。
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公开(公告)号：CN105987916A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510047796.0
申请日：2015-01-29
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 前田学
IPC: G01N21/88
Abstract: 本发明实施例提供一种图像检查装置和图像检查方法，该图像检查装置包括：复数个光源，其在以所述半导体装置的引线及延长线为轴的周向方向上围绕所述轴而设置，用于从不同方向朝所述半导体装置的引线前端照射光，其中，所述复数个光源照射的光具有多种不同的颜色；图像获取部，其配置在与所述半导体装置的引线前端对置的位置，用于接收从所述半导体装置的引线前端反射的光以形成图像；图像处理部，对所述图像获取部形成的图像进行处理，以获得所述半导体装置的引线的检查结果。根据本发明实施例，能够充分的检查半导体装置的引线。
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公开(公告)号：CN105987718A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201510047085.3
申请日：2015-01-29
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 前田学
IPC: G01D21/00
Abstract: 本发明实施例提供一种运行状态监测装置，包括：多个光传感器，用于感应生产设备的运行状态指示灯的发光变化；具有不同颜色的多个灯罩，多个光传感器分别设置于不同颜色的灯罩上，不同颜色的灯罩分别对应该生产设备的不同的运行状态指示灯；信号控制基板，根据光传感器感应到的生产设备的运行状态指示灯的发光变化，计算生产设备的运行状态参数；显示面板，显示运行状态参数；延长线，连接该多个光传感器和该信号控制基板，将该多个光传感器的输出传送到该信号控制基板；移动架，装载多个光传感器、多个灯罩、信号控制基板、延长线和显示面板。根据本发明实施例，便于监测对生产设备的运行状态，并且，能够缩短设置该运行状态监测装置的时间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103887975B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310705949.7
申请日：2013-12-19
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 中野利浩
CPC classification number: H02M1/36 , H02M2001/0006
Abstract: 本发明提供开关电源装置和起动电路，该开关电源装置具有：控制开关元件（Q10）的接通断开的控制电路（3a）；和对在变压器（T）的三次绕组（P2）中产生的电压进行整流平滑并作为电源电压（Vcc）供给到控制电路（3a）的第2整流平滑电路（二极管D10、电容器C10），且具备起动电路（1a），在电源电压（Vcc）为低于控制电路（3a）的起动电压（Von）（停止电压Voff）的第1阈值电压（V1）以下的情况和超过起动电压（Von）的情况下，将第1恒流（Ia）作为起动电流（Ist）供给到控制电路（3a），并且在电源电压（Vcc）超过第1阈值电压（V1）且为起动电压（Von）以下的情况下，将大于第1恒流（Ia）的第2恒流（Ib）作为起动电流（Ist）供给到控制电路（3a）。
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公开(公告)号：CN102637734B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201210028773.1
申请日：2012-02-09
Applicant: 联华电子股份有限公司 , 三垦电气株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明提供一种使用沟道进行元件分离且抑制了因相邻元件的动作带来的影响的化合物半导体装置及化合物半导体装置的制造方法。该化合物半导体装置具备：半导体衬底；具有载流子渡越层和载流子供给层且配置于半导体衬底上的氮化物半导体层；内部具有上端部位于载流子渡越层与载流子供给层的边界面的上方的空穴、并包围氮化物半导体层的周围而配置的元件分离绝缘膜。
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公开(公告)号：CN103997218B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310051190.5
申请日：2013-02-16
Applicant: 三垦电气株式会社
Abstract: 本发明实施例提供一种开关电源装置及电源控制方法，该开关电源装置包括至少具有一次绕组和二次绕组的变压器，还包括：功率开关元件，对施加到变压器的一次绕组的输入电压进行导通或断开；误差检测单元，将在变压器的二次绕组中感应出的电压进行整流平滑后的输出电压和预定电压进行比较，在输出电压高于第一预定电压、或者低于第二预定电压时生成反馈信号；误差处理单元，根据反馈信号来改变对功率开关元件的导通或断开进行控制的基准电压。通过本发明实施例，不仅能保持较好的调节能力，而且可以尽量降低功耗。
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公开(公告)号：CN105703641A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201510887738.9
申请日：2015-12-07
Applicant: 三垦电气株式会社
CPC classification number: H02M3/33523 , H02M2001/0035 , Y02B70/16
Abstract: 本发明提供一种开关电源装置，该开关电源装置通用性高，能够提高间断振荡动作时的效率。具有：误差放大器，其作为表示负载的状态的FB信号向一次侧发送；OSC(12)，其控制开关动作的开关频率，在连续进行开关动作的通常振荡动作的情况下，从重负载时到轻负载时，根据FB信号，使开关频率从通常时最高频率降低到通常时最低频率；以及比较器COMP(3)，其在负载较轻的情况下，根据FB信号使开关动作停止，从而控制间断振荡动作，在间断振荡动作时，在进行开关动作的间断振荡期间，OSC(12)使开关频率从低于通常时最低频率的第1间断时频率开始增加。
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公开(公告)号：CN103208920B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201210010341.8
申请日：2012-01-13
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor： 中西良太
IPC: H02M3/335
CPC classification number: Y02B70/1433
Abstract: 本发明提供了一种直流变换装置，其包括开幅抑制单元，用于当直流电源的电压或者直流电源的电压的分压超过预定的第一基准电压时，根据电压变化量，对第四开关单元的开幅进行控制，使得第四开关单元的开幅逐渐降低为0％；并且，当直流电源的电压或者直流电源的电压的分压低于预定的第一基准电压时，根据电压变化量，对第四开关单元的开幅所进行的控制，使得第四开关单元的开幅逐渐增加至与第一开关单元的开幅相同为止。本发明的直流变换装置，通过增加开幅抑制单元，能够在全桥方式与半桥方式之间的切换过程中，根据直流电源的电压或其分压的变化量来对开关单元的开幅逐渐地进行控制，使开幅缓慢地变化，从而能够平缓地进行切换。
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