公开(公告)号：CN102820269B

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201210179353.3

申请日：2012-06-01

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 杉原一男 ,  山本均

IPC: H01L23/12 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L24/81 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供能够实现芯片与印刷基板之间的传热损失少的倒装芯片安装的半导体装置及其制造方法。该半导体装置具有：印刷基板，其主面上配置有在表面形成有由石墨构成的多个刺突的基板电极焊盘；以及芯片，其与基板电极焊盘对向的主面上配置有在表面配置有与刺突的前端接触的导电性树脂膜的芯片电极焊盘。

公开(公告)号：CN104868730A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201510083817.4

申请日：2015-02-16

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 中西良太

IPC: H02M3/28

Abstract: 提供开关电源装置，即使输出电压变动也能在二次侧准确检测输入电压。该开关电源装置具有：与直流电源(E)并联连接、由开关元件(Q1)、变压器(T)的一次绕组(Np)和电容(C1)构成的串联电路；与变压器(T)的二次绕组(Ns)连接、由整流二极管(D2)和平滑电容(C2)构成的整流平滑电路；以及根据电容(C1)的端子间电压(VC1)控制开关元件(Q1)的导通/截止的控制电路(10)，该开关电源装置从平滑电容(C2)向负载提供输出电压(Vo)，具有输入电压检测电路(20)，输入电压检测电路(20)利用开关元件(Q1)导通时在二次绕组(Ns)中产生的电压和开关元件(Q1)截止时在二次绕组(Ns)中产生的电压相加而得的电压来检测直流电源(E)的输入电压(VE)。

公开(公告)号：CN104467413A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410429407.6

申请日：2014-08-27

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 中村胜 ,  中村浩章 ,  小西隆幸 ,  一志智绘 ,  中本聪史

IPC: H02M3/155

CPC classification number: H02M3/156 ,  H02M2001/0032 ,  H02M2001/0035 ,  Y02B70/16

Abstract: 本发明提供DC/DC转换器，该DC/DC转换器具有：误差放大器(14)，其对输出电压与基准电压之间的误差放大信号进行输出；过零检测电路(22)，其在电感器(9)的再生期间结束时输出过零信号；轻载检测电路(23)，其对误差放大信号与阈值进行比较而输出轻载信号；计时器电路(272)，其根据轻载信号和过零信号，在经过规定的时间之后，输出间歇动作许可信号，在不输出过零信号的期间持续了规定的期间的情况下，输出间歇动作禁止信号；以及导通截止控制部(273)，其在计时器电路输出了间歇动作许可信号的期间内误差放大信号小于阈值时，使开关元件截止，在计时器电路输出了间歇动作许可信号的期间内误差放大信号至少成为阈值以上时，使开关元件导通。

公开(公告)号：CN104459536A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410408850.5

申请日：2014-08-19

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 中岛洋一郎

IPC: G01R31/34

Abstract: 本发明提供感应电动机的常数测量装置及常数测量方法。感应电动机的常数测量装置具有：调谐电压指令值运算器(17)，其通过将三相电压指令信号(Vu*、Vv*、Vw*)输出到PWM选通信号生成器(16)，从逆变器电路(13)向感应电动机(1)施加电压；U相电流检测器(14)，其检测流过感应电动机(1)的电流；以及电动机常数运算器(20a)，其使用电压(Vu)和电流值(iu)运算电动机常数(一次电阻、二次电阻和漏电感)，电动机常数运算器(20a)使用可利用电压(Vu)和电流值(iu)直接运算的电动机常数(一次电阻、二次电阻和漏电感)、以及所受理的电动机信息，运算作为电动机常数之一的励磁电流(I0)。

公开(公告)号：CN102545559B

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201110396903.2

申请日：2011-12-02

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 町田修 ,  青木宏宪

IPC: H02M1/088

CPC classification number: H03K17/0822 ,  H02M1/32 ,  H02M1/36 ,  H02M3/33507

Abstract: 本发明提供一种使用了不破坏响应性的、能够减少能动钳位元件的损失电力的能动钳位电路的栅极驱动电路及半导体装置。栅极驱动电路驱动开关元件(Tr7)的栅极，其具有：驱动部(晶体管Tr1，Tr2，Tr4，Tr5)，其根据控制信号驱动开关元件(Tr7)；以及有源钳位电路(二极管D1、稳压二极管ZD1、电阻R1、晶体管Tr3、Tr6)，其在施加到开关元件(Tr7)的第1主端子(漏极)与第2主端子(源极)之间的电压为规定电压以上时，强制地切断驱动部对于开关元件(Tr7)的驱动动作，以开关元件(Tr7)的第1主端子与第2主端子之间的电压钳位的方式驱动开关元件(Tr7)。

公开(公告)号：CN102354705B

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201110351212.0

申请日：2009-12-21

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 町田修 ,  岩渕昭夫

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/40 ,  H01L29/20 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/402 ,  H01L29/42316

Abstract: 本发明的一个方面在于一种半导体装置，其包含半导体区域、设置在该半导体区域的主表面上的源极电极和漏极电极、具有常关闭特性的栅极电极，该栅极电极设置在该半导体区域的主表面上同时在其间插入p型材料膜，并且该栅极电极排列在该源极电极和该漏极电极之间，以及第四电极，其设置在该半导体区域的主表面上，并且排列在该栅极电极和该漏极电极之间。其中保留在第四电极之下的半导体区域的厚度大于保留在栅极电极之下的半导体区域的厚度。

公开(公告)号：CN104247237A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201380014602.6

申请日：2013-01-24

Applicant: 三垦电气株式会社 ,  国立大学法人岛根大学

Inventor： 照井洋光 ,  足助英树 ,  高野秀治 ,  山本真义 ,  今冈淳

IPC: H02M3/155 ,  H01F30/00

CPC classification number: H02M3/33507 ,  H01F3/14 ,  H01F27/24 ,  H02M3/1584 ,  H02M2001/0064

Abstract: DC-DC变换器具有：耦合变压器，其具有线圈(11)和线圈(12)；开关(Tr1、Tr2)，其经由各线圈与直流电源(Vi)的两端连接；串联电路，其与各开关的两端连接，由二极管和滤波电容器构成；以及控制电路(100)，其使开关(Tr1)和开关(Tr2)交互地接通，并且在每个1/2周期在预定的重复期间使开关(Tr1)和开关(Tr2)同时接通。并且，耦合变压器(1)通过两个E型铁芯(2，3)间隔I型铁芯(4)，在各E型铁芯(2，3)的中央脚(2a，3a)与I型铁芯(4)之间设置间隙部(5)，在I型铁芯(4)上卷绕线圈(11)和线圈(12)。

公开(公告)号：CN104242607A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410242519.0

申请日：2014-06-03

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 高桥一裕 ,  政所隆大 ,  饭塚侑

IPC: H02M1/00 ,  H02P29/00

Abstract: 本发明提供全桥电路的驱动装置和功率模块，其具有高可靠性。全桥电路的驱动装置按照使第2功率晶体管和第4功率晶体管接通并使电流流过由第2功率晶体管和第4功率晶体管构成的路径的第1模式、使第4功率晶体管接通并使电流流过由第1功率晶体管、第4功率晶体管和负载构成的路径的第3模式以及使第2功率晶体管接通并使电流流过由第2功率晶体管、第3功率晶体管和负载构成的路径的第4模式，驱动所述全桥电路。

公开(公告)号：CN104009071A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201310454662.1

申请日：2013-09-29

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 鸟居克行

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/4236

Abstract: 本发明提供半导体装置。在槽栅型的半导体装置中，能够利用简单的制造方法实现能够得到足够耐压的构造。在该槽（10）中还设有连接槽（13），该连接槽（13）从外周槽（12）朝向更上侧（芯片的端部侧或者器件槽（11）的相反侧）延伸。在连接槽（13）的连接有外周槽（12）的一侧的相反侧的端部形成有辅助槽（14），该辅助槽（14）是椭圆形的，其短轴比连接槽（13）宽。总线触点（511）形成于辅助槽（14）的正上方，因而总线布线（35）和多晶硅层（多晶硅布线）（50）在辅助槽（14）内连接。

公开(公告)号：CN102420527B

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201110285684.0

申请日：2011-09-23

Applicant: 三垦电气株式会社

Inventor： 宇津野瑞木 ,  佐山勇二 ,  木内博章

IPC: H02M3/28 ,  H02M1/42 ,  H05B37/02

CPC classification number: Y02B70/126

Abstract: 本发明提供能够不受控制电路的耐压限制地获得较宽的输入电压范围的直流电源装置，所述控制电路直接检测流过负载的电流来控制开关元件的接通/断开。该直流电源装置具有：LED电流检测电阻(R2)，其与发光二极管(LED1、LED2)串联连接，检测流过发光二极管(LED1、LED2)的电流；以及控制电路(2)，其通过在LED电流检测电阻(R2)中产生的电压降检测流过发光二极管(LED1、LED2)的电流作为恒流控制信号电压，根据该恒流控制信号电压控制开关元件，控制电路(2)的接地电位(GND2)相对于输入电压的基准电位(V-)浮置，并且控制电路(2)的接地电位(GND2)与LED电流检测电阻(R2)的一个端子连接。