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    表示装置
    65.
    发明专利
    表示装置 审中-公开

    公开(公告)号：JPWO2020136495A1

    公开(公告)日：2021-11-11

    申请号：JPIB2019060826

    申请日：2019-12-16

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 久保田 大介 ,  初見 亮 ,  鎌田 太介

    IPC: G09F9/00 ,  H01L51/50 ,  H01L27/32 ,  H05B33/02 ,  G06F3/041 ,  G09F9/30

    Abstract: 光検出機能を有する表示装置を提供する。指紋認証に代表される生体認証の機能を有する表示装置を提供する。タッチパネルとしての機能と、生体認証の機能を兼ね備える表示装置を提供する。表示装置は、第1の基板と、導光板と、第1の発光素子と、第2の発光素子と、受光素子と、を有する。第1の基板と導光板とは対向して設けられる。第1の発光素子と受光素子とは第1の基板と導光板との間に設けられる。第1の発光素子は導光板を介して第1の光を射出する機能を有する。第2の発光素子は導光板の側面に対して第2の光を射出する機能を有する。受光素子は第2の光を受光し電気信号に変換する機能を有する。また、第1の光は可視光を含み、第2の光は赤外光を含む。

    半導体装置
    66.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021177574A

    公开(公告)日：2021-11-11

    申请号：JP2021123950

    申请日：2021-07-29

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 山崎 舜平 ,  須澤 英臣 ,  岡崎 豊 ,  宮入 秀和

    IPC: H01L29/786 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L27/146 ,  H01L21/336

    Abstract: 【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置であって、信頼性の高い半導体装置又は良好な電気特性を維持しつつ、微細化を達成した半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体装置は、第1の保護絶縁層111と、第1の保護絶縁層上に、酸化物半導体層102と、酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極103と、ソース電極およびドレイン電極上に位置し、酸化物半導体層と重なるゲート絶縁層104と、ゲート絶縁層を介して酸化物半導体層と重なるゲート電極105と、ソース電極、ドレイン電極およびゲート電極を覆う第2の保護絶縁層112と、を有する。また第1の保護絶縁層および第2の保護絶縁層は、酸素過剰領域を有する酸化アルミニウム膜を含み、且つ、ソース電極、ドレイン電極およびゲート電極の存在しない領域において互いに接する領域を有する。 【選択図】図1

    半導体装置
    67.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021177564A

    公开(公告)日：2021-11-11

    申请号：JP2021112485

    申请日：2021-07-07

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 保本 清治 ,  佐藤 将孝 ,  江口 晋吾 ,  鈴木 邦彦

    IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H05B33/10 ,  H01L51/50 ,  H05B33/02 ,  H01L21/02

    Abstract: 【課題】剥離性を向上させること。または、剥離工程における歩留まりを向上すること。 または、フレキシブルデバイスの製造歩留まりを向上すること 【解決手段】支持基板上にタングステンを含む剥離層を形成する第1の工程と、前記剥離 層上に、酸化窒化シリコンを含む第1の層、及び窒化シリコンを含む第2の層が順に積層 された被剥離層と、前記剥離層と前記被剥離層との間にタングステン酸化物を含有する酸 化物層と、を形成する第2の工程と、加熱処理により、前記酸化物層中にタングステンと 窒素を含む化合物を形成する第3の工程と、前記酸化物層を境に、前記剥離層と前記被剥 離層とを剥離する第4の工程と、を有する剥離方法を用いる。 【選択図】図1

    半導体装置
    68.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021177560A

    公开(公告)日：2021-11-11

    申请号：JP2021111473

    申请日：2021-07-05

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 齋藤 利彦

    IPC: H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  G11C11/405 ,  H01L27/1156

    Abstract: 【課題】データを保持する期間を確保しつつ、単位面積あたりの記憶容量を高めることが できる記憶装置の提案を目的の一とする。 【解決手段】記憶素子と、記憶素子における電荷の蓄積、保持、放出を制御するための、 酸化物半導体を活性層に含むトランジスタと、記憶素子に接続された容量素子とを有する 記憶装置。上記容量素子が有する一対の電極の少なくとも一方は、遮光性を有している。 さらに、上記記憶装置は遮光性を有する導電膜或いは絶縁膜を有しており、上記活性層が 、遮光性を有する電極と、遮光性を有する導電膜或いは絶縁膜との間に位置する。 【選択図】図1

    半導体装置
    69.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021177554A

    公开(公告)日：2021-11-11

    申请号：JP2021104660

    申请日：2021-06-24

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 古谷 一馬 ,  家田 義紀 ,  八窪 裕人 ,  加藤 清 ,  山崎 舜平

    IPC: H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/786 ,  G11C11/405 ,  G11C11/404 ,  H01L27/1156

    Abstract: 【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置及びその作製方法を提供する。 【解決手段】酸化物半導体を用い、オフ状態でのソースとドレイン間のリーク電流(オフ電流)が少ない書き込み用トランジスタ162、該書き込み用トランジスタと異なる半導体材料を用いた読み出し用トランジスタ160及び容量素子164を含む不揮発性のメモリセルを有する半導体装置であって、該メモリセルへの情報の書き込み及び書き換えは、書き込み用トランジスタをオン状態とすることにより、書き込み用トランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方と、容量素子の電極の一方と、読み出し用トランジスタのゲート電極とが電気的に接続されたノードFGに電位を供給し、その後、書き込み用トランジスタをオフ状態とすることにより、ノードに所定量の電荷を保持させることで行う。 【選択図】図1

    半導体装置
    70.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021177394A

    公开(公告)日：2021-11-11

    申请号：JP2021105123

    申请日：2021-06-24

    Applicant: 株式会社半導体エネルギー研究所

    Inventor： 黒川 義元

    IPC: H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  G06N3/063 ,  G06G7/60

    Abstract: 【課題】半導体装置及び該半導体装置を備えた電子機器を提供する。 【解決手段】モジュール100において、ニューロン回路NUは、入力ニューロン回路と、隠れニューロン回路との機能を切り替えることができる。また、誤差回路EUは、隠れ誤差回路と、出力ニューロン回路との機能を切り替えることができる。スイッチは、ニューロン回路、シナプス回路SU、誤差回路間の接続を切り替える。シナプス回路は、入力ニューロン回路と隠れニューロン回路間若しくは隠れニューロン回路と出力ニューロン回路間の結合強度に相当するデータを記憶するアナログメモリと、アナログメモリのデータを変更する書込回路と、アナログメモリのデータに従って入力信号に重み付けされた出力信号を出力する重み付け回路と、を有する。アナログメモリは、極めてオフ電流の低い酸化物半導体を用いたトランジスタで構成する。 【選択図】図1

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