Abstract:
Vorgeschlagen wird eine Ladungsübertragungsvorrichtung mit einem Ladungsübertragungskanal (10) in einem Halbleitersubstrat (20) mit einer dotierten Leitungsschicht (30) mit einem Taktgeber mit einer Taktfrequenz von über 100 MHz, insbesondere von über 150 MHz, über 200 MHz oder 250 MHz und insbesondere unter 400 MHz, wobei zur Verringerung der Verluste der Ladungsübertragungskanal im Bereich eines Gatters und insbesondere ein Gatter (50) , einen Bereich einer Verengung (52) aufweist, in welchem der Querschnitt in Flussrichtung (31) abnimmt und insbesondere kontinuierlich, insbesondere konstant abnimmt und, einen Bereich (51) mit konstantem oder verbreitertem Querschnitt aufweist, welcher in Flussrichtung vor dem Bereich der Verengung an den Bereich der Verengung angrenzt und einen Bereich (51) mit konstantem oder verbreitertem Querschnitt aufweist, welcher in Flussrichtung nach dem Bereich der Verengung an den Bereich der Verengung angrenzt.
Abstract:
Vorgeschlagen wird eine flexibel einsetzbare optoelektronische Sensoreinrichtung (1) zur Erfassung eines Objekts (O), umfassend eine Empfangseinrichtung (4) zum Empfang von nach Streuung eines ausgesendeten Lichtstrahls (S) am Objekt zurückgestreutem Licht (R), wobei die Empfangseinrichtung (4) ein Array aus wenigstens zwei Empfangselementen zur Strahlungsdetektion und eine Empfangsoptik (OPT) zur Abbildung der empfangenen Strahlung auf dem Array (4) aufweist; das Array (4) ist in wenigstens zwei Array-Bereiche aufteilbar bzw. aufgeteilt, wobei die wenigstens zwei Array-Bereiche jeweils Streuungen an Objekten in unterschiedlichen Entfernungen aus dem Überwachungsbereich (U) bzw. unterschiedlichen Helligkeiten der empfangenen Strahlung entsprechen, und die Empfangselemente, die jeweils in unterschiedlichen Array-Bereichen angeordnet sind, einstellbar bzw. eingestellt sind, mit zueinander unterschiedlichen Lichtempfindlichkeiten zu detektieren.
Abstract:
Vorgeschlagen wird ein TOF-Entfernungssensor zur Messung einer Entfernung zu einem Objekt, umfassend eine Elektronikeinrichtung zur Erzeugung eines Modulationssignals und zur Erzeugung von 4 Korrelationssignalen, welche gegeneinander phasenverschoben sind und die gleiche Periodenlänge wie das Modulationssignal aufweisen; eine Strahlungsquelle zum Aussenden von Strahlung, die mit dem Modulationssignal moduliert ist; eine Empfangseinrichtung, die in vorbestimmtem räumlichen Bezug zur Strahlungsquelle steht zum Empfang von vom Objekt reflektierter Strahlung; eine Korrelationseinrichtung zur Korrelation der empfangenen Strahlung oder einer entsprechenden Grösse mit jeweils einem der 4 Korrelationssignale zur Bildung von 4 entsprechenden Korrelationswerten; eine Differenzbildungseinrichtung zur Bildung von 2 Differenzkorrelationswerten aus der Differenz zwischen jeweils 2 der Korrelationswerten; eine Berechnungseinrichtung, die dazu ausgebildet ist, die Entfernung in vorbestimmter linearer Abhängigkeit von den 2 Differenzkorrelationswerten zu berechnen.
Abstract:
Vorgeschlagen wird eine Sensorvorrichtung (1), insbesondere TOF- bzw. CCD-Sensorvorrichtung für einen 3-D-Kamerasensor, die wenigstens eine analoge und eine digitale Schaltkreiskomponente sowie einen A/D-Wandler (8) zum Wandeln analoger Signale der analogen Schaltkreiskomponente in digitale Signale für die digitale Schaltkreiskomponente (2) und umgekehrt aufweist, wobei die analoge Schaltkreiskomponente sowie die digitale Schaltkreiskomponente jeweils wenigstens ein Modul zur elektronischen Ausführung einer Funktion umfassen, und wobei eines der Module der analogen Schaltkreiskomponente als Sensoreinrichtung (3) zur Detektion optischer Strahlung und eines der Module der digitalen Schaltkreiskomponente als Signalverarbeitungseinrichtung zur Verarbeitung digitaler Signale ausgebildet ist. Um eine verbesserte Integration in anwendungsbasierte Sensoreinrichtungen zu ermöglichen, sind die Schaltkreiskomponenten einschließlich dem A/D-Wandler als integrierter Schaltkreis in einem Chip integriert und der Chip als Halbleiterstruktur in 1-Poly-Technologie gefertigt.
Abstract:
Vorgeschlagen wird eine Ladungsübertragungsvorrichtung für Taktfrequenzen ab 100 MHz mit einem Ladungsübertragungskanal (10) in einem Halbleitersubstrat (20) mit einer dotierten Leitungsschicht(30), wobei zur Verringerung der Verluste, der Ladungsübertragungskanal und insbesondere ein Gatter (60) oder die Abfolge von zwei angrenzender Gatter (60) einen Bereich einer Ausbuchtung (61) aufweist, in welchem der Querschnitt in Flussrichtung zuerst zunimmt und dann wieder abnimmt und welcher über den Bereich von ein oder zwei aneinandergrenzenden Gattern erstreckend angeordnet ist und einen Bereich einer Verengung (52) aufweist, in welchem der Querschnitt in Flussrichtung abnimmt, und insbesondere kontinuierlich, insbesondere konstant abnimmt und mindestens im Bereich des Gatters vor dem Bereich der Ausbuchtung oder in den Bereichen des Gatters vor der Ausbuchtung und des angrenzenden Gatters der Ausbuchtung angeordnet ist.
Abstract:
Vorgeschlagen wird eine Ladungsübertragungsvorrichtung mit einem Ladungsübertragungskanal in einem Halbleitersubstrat mit einer dotierten Leitungsschicht zur beweglichen Aufnahme der Ladungsträger mit einer Abfolge von mindestens zwei elektrisch getrennten Gattern welche benachbart aufeinander folgen zur Verschiebung der Ladungsträger in der Leitungsschicht in eine Flussrichtung wobei der Ladungsübertragungskanal durch Überlappung der möglichen elektrostatischen Wirkung der Gatter mit der Leitungsschicht ausgebildet ist und mit einem Taktgeber mit einer Taktfrequenz von über 100 MHz, insbesondere von über 150 MHz, über 200 MHz oder ungefähr oder über 250 MHz oder bis 300 MHz oder 400 MHz welcher die Gatter mit Potentialänderungen in Taktfrequenz beaufschlagt zum Transport von Ladungsträgern in der Taktfrequenz von benachbarten Bereichen der Überlappung von benachbarten Gattern mit der Leitungsschicht zu benachbarten Bereichen der Überlappung von benachbarten Gattern mit der Leitungsschicht, was dem Transport über eine CCD-Struktur entspricht, wobei der Ladungsübertragungskanal einen Mündungsbereich aufweist welcher in Flussrichtung an einer seitlichen Aussengrenze des Ladungsübertragungskanals angeordnet ist und welcher sich mindestens teilweise über die Bereiche von genau zwei benachbarten Gates des Ladungsübertragungskanals erstreckt um dem Ladungsübertragungskanal von einem an den Mündungsbereich angrenzenden Bereich ausserhalb des Ladungsübertragungskanals, insbesondere von einem zweiten Ladungsträgerkanal, Ladungsträger zuzuführen und um insbesondere den Rücklauf (Spill Back) oder der Flusswiderstand oder der Verlust der Ladungsträger in Flussrichtung des Ladungsübertragungskanals oder des dem Ladungsübertragungskanals Ladungsträger zuführenden Bereichs, insbesondere eines zweiten Ladungsübertragungskanals, zu reduzieren.