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公开(公告)号：CN113644130A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202110460365.2
申请日：2021-04-27
Applicant: IMEC 非营利协会
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体结构，其包括：a.具有顶表面的半导体基材，b.一个或多个IV族半导体单晶纳米结构，其各自具有第一和第二末端，第一和第二末端限定了平行于半导体基材顶表面并与顶表面隔开非零距离的轴，各纳米结构具有在第一末端上外延生长的源极结构和在第二个末端外延生长的漏极结构，其中，外延源极和漏极结构由掺杂有Sb和Bi中的一种或多种以及任选的As和P中的一种或多种的IV族半导体制备，由此在IV族半导体单晶纳米结构中产生拉伸应变。
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公开(公告)号：CN106910716B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201611009700.2
申请日：2016-11-16
Applicant: IMEC 非营利协会
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 一种Si基高迁移率CMOS装置的制造方法及所得装置。该方法包括：提供硅基材，该硅基材具有在顶部的第一绝缘层和延伸入硅中的沟槽；通过以下步骤来在第一绝缘层上方制造III‑V半导体通道层：沉积牺牲材料的第一假层，用第一氧化物层覆盖第一假层，通过经由第一氧化物层中的孔进行蚀刻、再进行选择性区域生长，来用III‑V半导体材料替换第一假层；在III‑V半导体通道层上方制造第二绝缘层，且再次打开沟槽；通过以下步骤来在第二绝缘层上方制造锗或硅‑锗通道层：沉积牺牲材料的第二假层，用第二氧化物层覆盖第二假层，通过经由第二氧化物层中的孔进行蚀刻、再进行选择性区域生长，来用锗或硅‑锗替换第二假层。
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公开(公告)号：CN113474866A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202080016437.8
申请日：2020-02-25
Applicant: 安特卫普大学 , IMEC 非营利协会 , 根特大学
Abstract: 在第一方面，本发明涉及一种电子显微镜(EM)网格(100)，包括：(i)穿孔基板(200)，(ii)穿孔基板(200)上的支撑膜(300)，支撑膜(300)具有或更小、优选地或更小、更优选地或更小、最优选地或更小的厚度，以及(iii)附着在支撑膜(300)顶部的链接器(400)，所述链接器(400)包括用于固定分析物(500)的至少一个亲和基团(410)；其中链接器(400)在支撑膜(300)上形成非随机图案。
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公开(公告)号：CN109491210B
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201811063017.6
申请日：2018-09-12
Applicant: IMEC 非营利协会
IPC: G03F7/20
Abstract: 公开了一种用于检测光刻图案的缺陷的方法和对应的系统。图案被形成在包括多个管芯区域(110)的半导体晶片(100)上，其中管芯区域中的每一者具有感兴趣区域ROI(200)，其包括形成光刻图案的多个特征(201‑209)。该方法包括以下步骤：a)获取(30)所述ROI中的至少一个ROI的图像；b)移除(40)触及所述图像的边缘的特征；以及c)计算(50)所述图像中的剩余特征的数量。
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公开(公告)号：CN112992683A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202011400213.5
申请日：2020-12-02
Applicant: IMEC 非营利协会
Inventor： S·K·萨塔
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 本公开涉及一种制造场效应晶体管的方法，该方法包括：提供包含半导体层、覆盖在沟道层上的第一高k介电材料层和覆盖在半导体层上的沟道层的基板，执行图案化处理，使得从用于形成源电极的第一区域和用于形成漏电极的第二区域中移除至少第一高k介电材料层，使得包括第一高k介电材料的图案化层的用于形成栅电极的第三区域被形成在第一区域和第二区域之间，在第一区域中形成源电极并在第二区域中形成漏电极，其中源电极和漏电极具有暴露的末端，并且包括易受自限氧化影响的材料，将源电极和漏电极置于氧化介质中，从而将源电极和漏电极的暴露末端转化为氧化物的共形层，并且仅在第三区域中的第一高k介电材料的图案化层上提供栅极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112820646A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202011291738.X
申请日：2020-11-18
Applicant: IMEC 非营利协会
IPC: H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 一种工艺，包括以下步骤：a.提供半导体结构，该半导体结构包括：i.沟道；ii.势垒iii.势垒层上的非导电结构，该非导电结构包括具有被隔开第一距离的各侧壁的空腔，b.在该非导电结构上共形地提供第一非导电层，从而覆盖空腔的侧壁和底表面，c.以如下方式来蚀刻第一非导电层：使其从底表面的至少一部分移除，但仍覆盖侧壁，d.通过使用覆盖侧壁的第一非导电层作为掩模，蚀刻穿过底表面至多直到达到沟道，由此在非导电结构的底表面中形成开口，该开口具有被隔开小于第一距离的第二距离的各侧壁，以及e.完全移除第一非导电层。
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公开(公告)号：CN109755120B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201811293638.3
申请日：2018-11-01
Applicant: IMEC 非营利协会
IPC: H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/417 , H01L29/78
Abstract: 在第一方面，本发明涉及一种用于在半导体结构中形成源极接触和漏极接触(700)的方法，包括：掩模源极区(221s)和漏极区(221d)，用电介质层(450)代替未掩模的牺牲材料(440)，去除掩模结构(550；520m，510m)，通过湿蚀刻相对于电介质层(450)选择性地去除源极和/或漏极区(221)之上的牺牲材料(440)到暴露源极和/或漏极区(221)的顶表面的程度，以及在源极和/或漏极区(221)上沉积导电材料(720)，从而在半导体结构中形成源极接触和/或漏极接触(700)。
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公开(公告)号：CN112529833A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202010982374.3
申请日：2020-09-17
Applicant: IMEC 非营利协会
Abstract: 取得同一管芯区域的图像的数据集作为方法的起始点。该数据集之中的图像对应于一个或多个工艺参数的不同设置。来自该数据集的一个或多个图像被用作无监督生成式机器学习算法的训练图像。该算法创建特征向量空间，其包括允许该算法合成大量合成图像的特征向量。该方法接着将来自该数据集的一个或多个图像呈现为针对该算法的查询图像，并且基于查询图像与来自该数据集的一组对象图像中的相应对象图像之间的距离将一分数归于该一组对象图像，所述距离在特征向量空间中被确定。根据本发明，该分数表示图像的一个或多个特性。这允许直接从分数值中，而非从图像的手动比较中，提取工艺极限。
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公开(公告)号：CN112447500A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010909267.8
申请日：2020-09-02
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种用于在腔室内的硅基材(310)上生长至少一个III/V纳米脊(200)的方法(100)。所述方法包括：使硅基材(310)上的区域图案化(110)，由此在硅基材上形成沟槽(320)；通过如下过程来生长III/V纳米脊(200)：引发沟槽(320)中III/V纳米脊(200)的生长，由此在沟槽内形成并填充纳米脊的层(200)，以及从填充层(210)顶部上继续生长(124)出沟槽(320)，从而形成纳米脊(200)的顶部部分(220)，其中，当纳米脊生长到沟槽外时，在腔室中添加至少一种表面活性剂。
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公开(公告)号：CN108495951B
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN201780007985.2
申请日：2017-01-17
Abstract: 本发明涉及一种组合物，其包含溶解于溶剂混合物的一种或多种钙钛矿前体，所述溶剂混合物包含：i)一种或多种极性非质子溶剂，它们各自经选择，从而在其它组分不存在时使用的情况下，使所述一种或多种钙钛矿前体溶解，ii)通式CnH2n+1OH的一种或多种直链醇，其中n是1‑12，和iii)任选的，一种或多种酸，其中，所述极性非质子溶剂或极性非质子溶剂的混合物占该溶剂混合物的50‑95体积％，其中，不被极性非质子溶剂占据的该溶剂混合物的体积％被一种或多种直链醇和一种或多种酸(若存在)占据至少90体积％，优选100体积％。
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