公开(公告)号：TW201920766A

公开(公告)日：2019-06-01

申请号：TW107130599

申请日：2018-08-31

Applicant: 日商MEC股份有限公司 ,  MEC COMPANY LTD.

Inventor： 荻野悠貴 ,  OGINO, YUKI ,  坂本貴裕 ,  SAKAMOTO, TAKAHIRO ,  漆畑薫 ,  URUSHIBATA, KAORU

IPC: C23F1/18

Abstract: 本發明之微蝕刻劑係包含有機酸、二價銅離子以及鹵化物離子的酸性水溶液。鹵化物離子的莫耳濃度為0.005莫耳/L至0.1莫耳/L。藉由使微蝕刻劑接觸銅的表面而粗化銅表面。粗化時的深度方向的平均蝕刻量較佳係0.4μm以下。本發明之微蝕刻劑即使在低蝕刻量下，亦可於銅表面形成與樹脂等的密合性優異的粗化形狀。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之微蚀刻剂系包含有机酸、二价铜离子以及卤化物离子的酸性水溶液。卤化物离子的莫耳浓度为0.005莫耳/L至0.1莫耳/L。借由使微蚀刻剂接触铜的表面而粗化铜表面。粗化时的深度方向的平均蚀刻量较佳系0.4μm以下。本发明之微蚀刻剂即使在低蚀刻量下，亦可于铜表面形成与树脂等的密合性优异的粗化形状。

公开(公告)号：TWI625425B

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：TW103141630

申请日：2014-12-01

Applicant: MEC股份有限公司 ,  MEC COMPANY LTD.

Inventor： 小寺浩史 ,  KODERA, HIROFUMI ,  高垣愛 ,  TAKAGAKI, AI

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/02 ,  H05K3/06

公开(公告)号：TW201806756A

公开(公告)日：2018-03-01

申请号：TW106109974

申请日：2017-03-24

Applicant: MEC股份有限公司 ,  MEC COMPANY LTD.

Inventor： 秋山大作 ,  AKIYAMA, DAISAKU ,  千石洋一 ,  SENGOKU, YOICHI ,  東松逸朗 ,  TOMATSU, ITSURO ,  岡田萬佐夫 ,  OKADA, MASAO ,  三谷良子 ,  MITANI, RYOKO ,  上甲圭佑 ,  JOKO, KEISUKE ,  網谷康孝 ,  AMITANI, YASUTAKA ,  里見德哉 ,  SATOMI, TOKUYA ,  高橋勝 ,  TAKAHASHI, MASARU

IPC: B32B15/08 ,  B32B7/04 ,  B05D7/24 ,  B05D5/00 ,  H05K3/38

CPC classification number: B32B15/08 ,  C09D5/00 ,  C09D7/40 ,  C09D177/00 ,  C09D183/04 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  C23C26/00 ,  H05K3/38

Abstract: 本發明之被膜形成用組成物係pH值為6至9之溶液，包含有於一分子中具有胺基及芳香環之芳香族化合物、具有2個以上之羧基之多元酸、以及鹵化物離子。被膜形成用組成物中之多元酸之含量為芳香族化合物之含量的0.05倍至10倍，鹵化物離子之濃度為5mM至600mM。藉由使被膜形成用組成物與金屬構件之表面接觸，可在金屬構件之表面且金屬表面形成與樹脂之接著性優異之被膜。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之被膜形成用组成物系pH值为6至9之溶液，包含有于一分子中具有胺基及芳香环之芳香族化合物、具有2个以上之羧基之多元酸、以及卤化物离子。被膜形成用组成物中之多元酸之含量为芳香族化合物之含量的0.05倍至10倍，卤化物离子之浓度为5mM至600mM。借由使被膜形成用组成物与金属构件之表面接触，可在金属构件之表面且金属表面形成与树脂之接着性优异之被膜。

公开(公告)号：TW201720963A

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：TW106105283

申请日：2016-06-17

Applicant: MEC股份有限公司 ,  MEC COMPANY LTD.

Inventor： 小寺浩史 ,  KODERA, HIROFUMI ,  片山育代 ,  KATAYAMA, IKUYO ,  菱川翔太 ,  HISHIKAWA, SHOTA

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/02 ,  H05K3/06

CPC classification number: C23F1/18 ,  C09K13/06 ,  H05K3/067 ,  H05K2203/0789

Abstract: 本發明提供一種蝕刻液及其補給液、以及銅配線的形成方法，可於不降低銅配線的直線性(銅配線頂部的配線寬度(W2))之情況下抑制側蝕，並且可抑制銅配線底部的配線寬度(W1)之不均。 本發明之銅的蝕刻液包含酸、以及選自由脂肪族非環式化合物、脂肪族雜環式化合物、及雜芳香族化合物所組成之群組中的1種以上化合物；前述脂肪族非環式化合物為碳數2~10之飽和脂肪族非環式化合物(A)，僅具有2個以上的氮作為雜原子；前述脂肪族雜環式化合物為包含5員環至7員環之化合物(B)，前述5員環至7員環具有1個以上的氮作為構成環之雜原子；前述雜芳香族化合物為包含6員芳香雜環之化合物(C)，前述6員芳香雜環具有1個以上的氮作為構成環之雜原子。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种蚀刻液及其补给液、以及铜配线的形成方法，可于不降低铜配线的直线性(铜配线顶部的配线宽度(W2))之情况下抑制侧蚀，并且可抑制铜配线底部的配线宽度(W1)之不均。 本发明之铜的蚀刻液包含酸、以及选自由脂肪族非环式化合物、脂肪族杂环式化合物、及杂芳香族化合物所组成之群组中的1种以上化合物；前述脂肪族非环式化合物为碳数2~10之饱和脂肪族非环式化合物(A)，仅具有2个以上的氮作为杂原子；前述脂肪族杂环式化合物为包含5员环至7员环之化合物(B)，前述5员环至7员环具有1个以上的氮作为构成环之杂原子；前述杂芳香族化合物为包含6员芳香杂环之化合物(C)，前述6员芳香杂环具有1个以上的氮作为构成环之杂原子。

公开(公告)号：TW201720962A

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：TW106105282

申请日：2016-06-17

Applicant: MEC股份有限公司 ,  MEC COMPANY LTD.

Inventor： 小寺浩史 ,  KODERA, HIROFUMI ,  片山育代 ,  KATAYAMA, IKUYO ,  菱川翔太 ,  HISHIKAWA, SHOTA

IPC: C23F1/18

CPC classification number: C23F1/18 ,  C09K13/06 ,  H05K3/067 ,  H05K2203/0789

Abstract: 本發明提供一種蝕刻液及其補給液、以及銅配線的形成方法，可於不降低銅配線的直線性(銅配線頂部的配線寬度(W2))之情況下抑制側蝕，並且可抑制銅配線底部的配線寬度(W1)之不均。 本發明之銅的蝕刻液包含酸、以及選自由脂肪族非環式化合物、脂肪族雜環式化合物、及雜芳香族化合物所組成之群組中的1種以上化合物；前述脂肪族非環式化合物為碳數2~10之飽和脂肪族非環式化合物(A)，僅具有2個以上的氮作為雜原子；前述脂肪族雜環式化合物為包含5員環至7員環之化合物(B)，前述5員環至7員環具有1個以上的氮作為構成環之雜原子；前述雜芳香族化合物為包含6員芳香雜環之化合物(C)，前述6員芳香雜環具有1個以上的氮作為構成環之雜原子。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种蚀刻液及其补给液、以及铜配线的形成方法，可于不降低铜配线的直线性(铜配线顶部的配线宽度(W2))之情况下抑制侧蚀，并且可抑制铜配线底部的配线宽度(W1)之不均。 本发明之铜的蚀刻液包含酸、以及选自由脂肪族非环式化合物、脂肪族杂环式化合物、及杂芳香族化合物所组成之群组中的1种以上化合物；前述脂肪族非环式化合物为碳数2~10之饱和脂肪族非环式化合物(A)，仅具有2个以上的氮作为杂原子；前述脂肪族杂环式化合物为包含5员环至7员环之化合物(B)，前述5员环至7员环具有1个以上的氮作为构成环之杂原子；前述杂芳香族化合物为包含6员芳香杂环之化合物(C)，前述6员芳香杂环具有1个以上的氮作为构成环之杂原子。

公开(公告)号：TW201538687A

公开(公告)日：2015-10-16

申请号：TW104105302

申请日：2015-02-16

Applicant: MEC股份有限公司 ,  MEC COMPANY LTD.

Inventor： 齊藤知志 ,  SAITO, SATOSHI

IPC: C09K13/00 ,  C23F1/18 ,  H01L21/28 ,  H01L23/52 ,  G06F3/041

CPC classification number: C23F1/18 ,  H05K3/067 ,  H05K2201/0338 ,  H05K2201/10128

Abstract: 本發明之目的為提供可抑制銅配線圖案之側邊蝕刻之配線形成方法、以及其所使用之蝕刻液。本發明之配線形成方法中，係使蝕刻液接觸在基材(1)上積層有銅層(3)之積層板(100)的銅層(3)之一部分，並藉由蝕刻銅層(3)之一部分而形成銅配線圖案(7)。銅層(3)之厚度為1.5μm以下。蝕刻液為酸性水溶液，該酸性水溶液含有二價銅離子0.1~3重量%、鹵化物離子0.1~30重量%、聚烷二醇0.05~20重量%。本發明之配線形成方法中，蝕刻銅層(3)時蝕刻液之溫度設定為(T-10)℃以上。T為蝕刻液開始混濁之溫度。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之目的为提供可抑制铜配线图案之侧边蚀刻之配线形成方法、以及其所使用之蚀刻液。本发明之配线形成方法中，系使蚀刻液接触在基材(1)上积层有铜层(3)之积层板(100)的铜层(3)之一部分，并借由蚀刻铜层(3)之一部分而形成铜配线图案(7)。铜层(3)之厚度为1.5μm以下。蚀刻液为酸性水溶液，该酸性水溶液含有二价铜离子0.1~3重量%、卤化物离子0.1~30重量%、聚烷二醇0.05~20重量%。本发明之配线形成方法中，蚀刻铜层(3)时蚀刻液之温度设置为(T-10)℃以上。T为蚀刻液开始混浊之温度。

公开(公告)号：TW201432092A

公开(公告)日：2014-08-16

申请号：TW102142647

申请日：2013-11-22

Applicant: MEC股份有限公司 ,  MEC COMPANY LTD.

Inventor： 小寺浩史 ,  KODERA, HIROFUMI

IPC: C23F1/18 ,  C23F11/18 ,  C23F11/16 ,  C23F1/02 ,  H05K3/06 ,  G01G3/00

CPC classification number: C23F1/18 ,  C23F1/02 ,  H05K3/067 ,  H05K2203/0789

Abstract: 提供一種不損及銅配線的直線性而可抑制側蝕之蝕刻液與其補給液、及銅配線之形成方法。該蝕刻液係銅的蝕刻液，係包含酸、氧化性金屬離子、化合物A之水溶液，其特徵在於：上述化合物A係於分子內具有選自硫醇基、硫醚基及二硫醚基(其中，硫醚基及二硫醚基係硫原子和與其連接的異種原子以單鍵連接、且不形成π共軛之基)所構成之群中之至少1種含硫官能基與胺基。本發明之銅配線(1)之形成方法，係對銅層中未被蝕刻保護層(2)被覆的部分進行蝕刻之方法，其特徵在於：使用上述本發明之蝕刻液進行蝕刻。

Abstract in simplified Chinese: 提供一种不损及铜配线的直线性而可抑制侧蚀之蚀刻液与其补给液、及铜配线之形成方法。该蚀刻液系铜的蚀刻液，系包含酸、氧化性金属离子、化合物A之水溶液，其特征在于：上述化合物A系于分子内具有选自硫醇基、硫醚基及二硫醚基(其中，硫醚基及二硫醚基系硫原子和与其连接的异种原子以单键连接、且不形成π共轭之基)所构成之群中之至少1种含硫官能基与胺基。本发明之铜配线(1)之形成方法，系对铜层中未被蚀刻保护层(2)被覆的部分进行蚀刻之方法，其特征在于：使用上述本发明之蚀刻液进行蚀刻。

公开(公告)号：TW201413056A

公开(公告)日：2014-04-01

申请号：TW102128256

申请日：2013-08-07

Applicant: MEC股份有限公司 ,  MEC COMPANY LTD.

Inventor： 栗井雅代 ,  KURII, MASAYO ,  田井清登 ,  TAI, KIYOTO ,  中村真美 ,  NAKAMURA, MAMI ,  荻野悠貴 ,  OGINO, YUKI

IPC: C23F1/18 ,  H01L21/306

CPC classification number: C23F1/18 ,  H05K3/067 ,  H05K3/383 ,  H05K2203/0307 ,  H05K2203/0789

Abstract: 本發明係關於一種銅微蝕刻劑、及用來添加到此銅微蝕刻劑的補給液、以及使用前述銅微蝕刻劑的配線基板之製造方法。銅微蝕刻劑係由含有銅離子、有機酸、鹵化物離子、聚合物及非離子性界面活性劑的水溶液構成。前述聚合物為具有聚胺鏈及/或陽離子性基，且重量平均分子量為1000以上之水溶性聚合物。本發明之銅微蝕刻劑，當以前述鹵化物離子的濃度作為A重量%，以前述聚合物的濃度作為B重量%，以前述非離子性界面活性劑的濃度作為D重量%時，較佳為A/B之值為2000~9000，且A/D之值為500~9000。藉由使用上述蝕刻劑，即使是低蝕刻量也可均勻維持與樹脂等之密接性。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一种铜微蚀刻剂、及用来添加到此铜微蚀刻剂的补给液、以及使用前述铜微蚀刻剂的配线基板之制造方法。铜微蚀刻剂系由含有铜离子、有机酸、卤化物离子、聚合物及非离子性界面活性剂的水溶液构成。前述聚合物为具有聚胺链及/或阳离子性基，且重量平均分子量为1000以上之水溶性聚合物。本发明之铜微蚀刻剂，当以前述卤化物离子的浓度作为A重量%，以前述聚合物的浓度作为B重量%，以前述非离子性界面活性剂的浓度作为D重量%时，较佳为A/B之值为2000~9000，且A/D之值为500~9000。借由使用上述蚀刻剂，即使是低蚀刻量也可均匀维持与树脂等之密接性。

公开(公告)号：TWI388253B

公开(公告)日：2013-03-01

申请号：TW097108448

申请日：2008-03-11

Applicant: MEC股份有限公司 ,  MEC COMPANY LTD.

Inventor： 中村幸子 ,  NAKAMURA, SACHIKO ,  池尻篤泰 ,  IKEJIRI, SHIGEHIRO ,  前田幸弘 ,  MAEDA, YUKIHIRO ,  中島慶一 ,  NAKAJIMA, KEIICHI

IPC: H05K3/06 ,  H05K3/46 ,  B23K26/38

公开(公告)号：TW200936811A

公开(公告)日：2009-09-01

申请号：TW098101857

申请日：2009-01-19

Applicant: MEC股份有限公司 MEC COMPANY LTD.

Inventor： 戶田健次 TODA, KENJI ,  出口政史 DEGUCHI, MASASHI ,  高久修司 TAKAKU, SHUJI ,  宋春紅 SONG, CHUN HONG

IPC: C23F ,  H05K

Abstract: 本發明提供一種可形成底切及凹陷少、且直線性優異之銅配線的蝕刻液,及使用該蝕刻液之銅配線之形成方法。本發明之蝕刻液係包含酸、二價銅離子源、四唑類及水之銅的蝕刻液,且包含構成單元中具有下述式(I)所表示之官能基的聚合物。
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Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种可形成底切及凹陷少、且直线性优异之铜配线的蚀刻液,及使用该蚀刻液之铜配线之形成方法。本发明之蚀刻液系包含酸、二价铜离子源、四唑类及水之铜的蚀刻液,且包含构成单元中具有下述式(I)所表示之官能基的聚合物。 098101857P01.bmp