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公开(公告)号：TW201541219A
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW103142196
申请日：2014-12-04
Inventor： 卡薩古蘭德 阿諾德 , CASAGRANDE, ARNAUD , 艾倫德 真路克 , AREND, JEAN-LUC
IPC: G05F1/56
Abstract: 具有自校準PTAT電流參考的電子電路(1)包括PTAT電流產生器(3)，其相依於至少一集成電阻器(8)以用於供應PTAT輸出電流(IOUT)。其更包括參考電流產生器(2)，相依於至少一切換的電容器電阻器(12)，以用於供應參考電流(Iref)。參考電流(Iref)與PTAT輸出電流(IOUT)在比較器(6)中進行比較以致數位地調適可編程集成電阻器(8)，或以致數位地調適在PTAT電流產生器中電流鏡的電晶體(P11，P12，P13)的尺寸比，以供應經調適的PTAT輸出電流(IOUT)。
Abstract in simplified Chinese: 具有自校准PTAT电流参考的电子电路(1)包括PTAT电流产生器(3)，其相依于至少一集成电阻器(8)以用于供应PTAT输出电流(IOUT)。其更包括参考电流产生器(2)，相依于至少一切换的电容器电阻器(12)，以用于供应参考电流(Iref)。参考电流(Iref)与PTAT输出电流(IOUT)在比较器(6)中进行比较以致数码地调适可编程集成电阻器(8)，或以致数码地调适在PTAT电流产生器中电流镜的晶体管(P11，P12，P13)的尺寸比，以供应经调适的PTAT输出电流(IOUT)。
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公开(公告)号：TW201530270A
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW103126575
申请日：2014-08-04
Inventor： 威爾明 米契爾 , WILLEMIN, MICHEL
IPC: G04B37/22
Abstract: 本發明關於用於時計(100)的外部元件(1)，其包括由第一材料所做成的框架(2)，在此則固定了由一片第二材料所形成的至少一帽蓋(3)，該片被塑形成至少部分覆蓋該外部元件並且匹配其輪廓。
Abstract in simplified Chinese: 本发明关于用于时计(100)的外部组件(1)，其包括由第一材料所做成的框架(2)，在此则固定了由一片第二材料所形成的至少一帽盖(3)，该片被塑形成至少部分覆盖该外部组件并且匹配其轮廓。
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公开(公告)号：TW201513447A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW103108446
申请日：2014-03-11
Inventor： 赫克 巴斯卡 , HECK, PASCAL , 史塔德 麥克 , STALDER, MICHAEL , 蘇利格 佛列迪 , ZULLIG, FREDY , 索希 庫若許 , SOHI, KUROSH , 利特里爾 伊芙 , LETERRIER, YVES , 摩爾 傑利丘 , MOLL, JERICHO LYNN , 里藍 尙帕提斯特 , LERAN, JEAN-BAPTISTE , 曼森 珍安德斯 , MANSON, JAN-ANDERS
IPC: H01M4/70
CPC classification number: H01M10/0436 , G04G19/00 , H01M2/0212 , H01M2/027 , H01M2/0275 , H01M4/70 , H01M2220/30
Abstract: 本發明有關電化學電池，其包括：第一集電器(16)，具有與第一電極(11)接觸之第一收集區段(20)及具有第一連接區段(24)，第二集電器(18)，與該第一集電器(16)重疊且具有與第二電極(13)接觸的第二收集區段(30)及具有第二連接區段(34)，其中第一及第二集電器(16、18)係經由其第一及第二連接區段(24、34)互相連接，及其中第一與第二連接區段(24、34)間之距離(d)係等於或小於該第一與第二收集區段(20、30)間之距離(D)的50%。
Abstract in simplified Chinese: 本发明有关电化学电池，其包括：第一集电器(16)，具有与第一电极(11)接触之第一收集区段(20)及具有第一连接区段(24)，第二集电器(18)，与该第一集电器(16)重叠且具有与第二电极(13)接触的第二收集区段(30)及具有第二连接区段(34)，其中第一及第二集电器(16、18)系经由其第一及第二连接区段(24、34)互相连接，及其中第一与第二连接区段(24、34)间之距离(d)系等于或小于该第一与第二收集区段(20、30)间之距离(D)的50%。
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公开(公告)号：TWI474137B
公开(公告)日：2015-02-21
申请号：TW098135601
申请日：2009-10-21
Inventor： 赫克 巴斯卡 , HECK, PASCAL , 迪尼森 保羅 , DINNISSEN, PAUL , 梅連 弗德列克 , MEYLAN, FREDERIC , 米格娜 尚皮耶 , MIGNOT, JEAN-PIERRE
CPC classification number: G04G21/06
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公开(公告)号：TW201443617A
公开(公告)日：2014-11-16
申请号：TW102141877
申请日：2013-11-18
Inventor： 赫克 巴斯卡 , HECK, PASCAL , 尼可拉斯 薩迪克 , NICOLAS, CEDRIC
CPC classification number: G06F1/163 , G04G17/04 , G04G17/045 , G04G17/08
Abstract: 本發明關於一種撓性可攜式電子裝置，其能夠制定信息，該撓性可攜式電子裝置(1)包括撓性本體(2)，其佈置成能夠被固定到使用者的身體之部分，該撓性本體(2)包括下撓性帶(4)及上撓性帶(6)，該撓性可攜式電子裝置(1)包括用於處理信息的電子組件(8)，用於處理信息的該電子組件(8)至少包括具有實質平面之第一電子元件，該第一電子元件被容納在該撓性本體(2)的該上撓性帶(6)及該下撓性帶(4)之間，該撓性可攜式電子裝置(1)之特徵在於，該第一電子元件(22)僅在其表面的一部分被固定到該上撓性帶(6)或該下撓性帶(4)之一。
Abstract in simplified Chinese: 本发明关于一种挠性可携式电子设备，其能够制定信息，该挠性可携式电子设备(1)包括挠性本体(2)，其布置成能够被固定到用户的身体之部分，该挠性本体(2)包括下挠性带(4)及上挠性带(6)，该挠性可携式电子设备(1)包括用于处理信息的电子组件(8)，用于处理信息的该电子组件(8)至少包括具有实质平面之第一电子组件，该第一电子组件被容纳在该挠性本体(2)的该上挠性带(6)及该下挠性带(4)之间，该挠性可携式电子设备(1)之特征在于，该第一电子组件(22)仅在其表面的一部分被固定到该上挠性带(6)或该下挠性带(4)之一。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW201432064A
公开(公告)日：2014-08-16
申请号：TW102138458
申请日：2013-10-24
Inventor： 朵尼 珍法蘭克斯 , DIONNE, JEAN-FRANCOIS
CPC classification number: C22C38/38 , C22C30/00 , C22C30/02 , C22C38/001 , C22C38/002 , C22C38/004 , C22C38/005 , C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/18 , C22C38/20 , C22C38/22 , C22C38/24 , C22C38/26 , C22C38/28 , G04B37/22 , G04G17/02 , G04G17/08
Abstract: 沃斯田面心立方不鏽鋼合金。依據質量，該合金包含：-少於0.5%的鎳，-鉻：16%至20%；-附加金屬：30%至40%選自銅、釕、銠、鈀、錸、鋨、銥、鉑和金：-銅：0%至2%；-金：0%至2%；-碳：0%至0.03%；-鉬：0%至2%；-錳：0%至2%；-矽：0%至1%；-氮：0%至0.1%；-鎢：0%至0.5%；-釩：0%至0.5%；-鈮：0%至0.5%；-鋯：0%至0.5%；-鈦：0%至0.5%；-鐵及不可避免之雜質：補足至100%。
Abstract in simplified Chinese: 沃斯田面心立方不锈钢合金。依据质量，该合金包含：-少于0.5%的镍，-铬：16%至20%；-附加金属：30%至40%选自铜、钌、铑、钯、铼、锇、铱、铂和金：-铜：0%至2%；-金：0%至2%；-碳：0%至0.03%；-钼：0%至2%；-锰：0%至2%；-硅：0%至1%；-氮：0%至0.1%；-钨：0%至0.5%；-钒：0%至0.5%；-铌：0%至0.5%；-锆：0%至0.5%；-钛：0%至0.5%；-铁及不可避免之杂质：补足至100%。
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公开(公告)号：TWI449345B
公开(公告)日：2014-08-11
申请号：TW099108381
申请日：2010-03-22
Inventor： 卡薩古蘭德 阿諾德 , CASAGRANDE, ARNAUD , 維拉斯奎 卡洛斯 , VELASQUEZ, CARLOS , 柴爾維格 艾蜜爾 , ZELLWEGER, EMIL
IPC: H04B1/16
CPC classification number: H04B1/406 , H04L27/1525
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公开(公告)号：TW201428143A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：TW103113847
申请日：2008-09-17
Applicant: 吉艾里普朗迪尼實驗室 , G. ALIPRANDINI LABORATOIRES , 史華曲集團研發有限公司 , THE SWATCH GROUP RESEARCH AND DEVELOPMENT LTD.
Inventor： 艾里普朗迪尼 吉斯比 , ALIPRANDINI, GIUSEPPE , 凱爾勞 米榭爾 , CAILLAUD, MICHEL
Abstract: 本發明係關於用於電鍍浴之前製液(make-up solution)，該前製液含有有機金屬成分、潤濕劑、錯合劑及游離氰化物，特徵在於該前製液另外包含氰化銅II形式之銅和鉀、以及錯合銦，以在添加氰化金鹼金屬(alkaline aurocyanide)添加之後電鍍沈積金合金。
Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于用于电镀浴之前制液(make-up solution)，该前制液含有有机金属成分、润湿剂、错合剂及游离氰化物，特征在于该前制液另外包含氰化铜II形式之铜和钾、以及错合铟，以在添加氰化金碱金属(alkaline aurocyanide)添加之后电镀沉积金合金。
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公开(公告)号：TW201335389A
公开(公告)日：2013-09-01
申请号：TW101141368
申请日：2012-11-07
Inventor： 勞伯 史提芬 , LAUPER, STEPHANE , 杜巴 阿爾邦 , DUBACH, ALBAN , 文森 丹尼斯 , VINCENT, DENIS , 克雷 艾德華娜 , KLAY, EDWINA , 那維 布魯諾 , NEVEU, BRUNO
CPC classification number: A44C27/003 , C22C5/02 , G04B37/22
Abstract: 本發明關於由不含鎳及不含鈷之金合金製成之時計或首飾件，其組成包含重量百分比為介於75%及77.5%之間的金，介於1.2%及1.6%之間的鈀以及介於20.1%及23.8%之間的銅。
Abstract in simplified Chinese: 本发明关于由不含镍及不含钴之金合金制成之时计或首饰件，其组成包含重量百分比为介于75%及77.5%之间的金，介于1.2%及1.6%之间的钯以及介于20.1%及23.8%之间的铜。
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70.发明专利使用具有寬動態範圍的影像感測器取得影像之方法 METHOD OF OBTAINING AN IMAGE USING AN IMAGE SENSOR WITH A BROAD DYNAMIC RANGE 审中-公开使用具有宽动态范围的影像传感器取得影像之方法 METHOD OF OBTAINING AN IMAGE USING AN IMAGE SENSOR WITH A BROAD DYNAMIC RANGE
公开(公告)号：TW200808047A
公开(公告)日：2008-02-01
申请号：TW095144005
申请日：2006-11-28
Inventor： 羅倫 傑尼盧 GENILLOUD, LAURENT , 巴斯卡 赫克 HECK, PASCAL
CPC classification number: H04N5/35527
Abstract: 一種使用寬動態範圍影像感測器來達成取得影像之方法。此感測器包括由一組畫素(1)所組成的感光單元。各畫素包括用以累積電荷載體當作其照度準位的函數之光偵測器元件(PD)、串聯連接至電壓源的兩供應端之間的光偵測器元件之第一初始電晶體(M1)、經由第二取樣電晶體(M2)而耦接至光偵測器元件(PD),以儲存光二極體(PD)的電位之儲存裝置(C1)、串聯連接至兩供應端之間的電容之第三初始電晶體(M3)、以及串聯連接的第四電晶體與第五電晶體(M4,M5),第四電晶體的一控制端係連接至電容,用以讀取電容的電位。此方法首先包含經由第二電晶體與第三電晶體的導通,而使電容及光二極體初始化為靠近電壓源的高電壓(VDD)之第一初始電壓,然後使第二電晶體不導通,以啓動光二極體的第一長曝光週期。於第一曝光週期結束時,會短暫地使第一電晶體導通,以使光二極體初始化為比第一初始電壓低的準位之第二初始電壓,以啓動第二曝光週期。接近第二曝光週期結束時,光二極體的電位係儲存於電容中,以經由第四電晶體及第五電晶體而被讀取。
Abstract in simplified Chinese: 一种使用宽动态范围影像传感器来达成取得影像之方法。此传感器包括由一组画素(1)所组成的感光单元。各像素包括用以累积电荷载体当作其照度准位的函数之光侦测器组件(PD)、串联连接至电压源的两供应端之间的光侦测器组件之第一初始晶体管(M1)、经由第二采样晶体管(M2)而耦接至光侦测器组件(PD),以存储光二极管(PD)的电位之存储设备(C1)、串联连接至两供应端之间的电容之第三初始晶体管(M3)、以及串联连接的第四晶体管与第五晶体管(M4,M5),第四晶体管的一控制端系连接至电容,用以读取电容的电位。此方法首先包含经由第二晶体管与第三晶体管的导通,而使电容及光二极管初始化为靠近电压源的高电压(VDD)之第一初始电压,然后使第二晶体管不导通,以启动光二极管的第一长曝光周期。于第一曝光周期结束时,会短暂地使第一晶体管导通,以使光二极管初始化为比第一初始电压低的准位之第二初始电压,以启动第二曝光周期。接近第二曝光周期结束时,光二极管的电位系存储于电容中,以经由第四晶体管及第五晶体管而被读取。
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