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公开(公告)号：CN116129954A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211389817.3
申请日：2022-11-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10
Abstract: 提供了存储器封装件、存储器装置及其操作方法。所述存储器封装件包括：印制电路板；第一存储器装置，堆叠在印制电路板上；以及第二存储器装置，堆叠在第一存储器装置上。第一存储器装置包括第一一次性可编程(OTP)块，第二存储器装置包括与第一OTP块不同的第二OTP块，并且从第一存储器装置的一侧到第一OTP块的水平距离不同于从第二存储器装置的一侧到第二OTP块的水平距离。
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公开(公告)号：CN116072186A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211337685.X
申请日：2022-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开的是存储装置及其操作方法。所述存储装置包括：存储块，所述存储块与多条字线连接；电压发生电路，所述电压发生电路被配置为通过多条驱动线来输出第一非选择电压；以及地址译码电路，所述地址译码电路被配置为将所述多条驱动线与所述多条字线中的未选字线连接。在所述多条字线的字线设置时段期间，所述电压发生电路在所述未选字线中的第一未选字线达到第一目标电平时使所述多条驱动线当中的与所述第一未选字线相对应的第一驱动线浮置，并且在所述未选字线中的第二未选字线达到与所述第一目标电平不同的第二目标电平时使所述多条驱动线当中的与所述第二未选字线相对应的第二驱动线浮置。
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公开(公告)号：CN106328199B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201610518434.X
申请日：2016-07-04
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 存储设备提供如下。存储单元区包括多个块，每个块包括多个NAND串。控制逻辑基于相对于存储单元区的第一边缘的第一距离和相对于存储单元区的第二边缘的第二距离中较小的距离将所述多个块划分成多个块区，并且使用用于操作的操作参数的多个偏置集来控制对存储单元区执行的操作。每个偏置集与块区之一相关联。
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公开(公告)号：CN110265079A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910132706.6
申请日：2019-02-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了擦除非易失性存储器件中的数据的方法。操作非易失性存储器件的方法包括通过将非零擦除电压施加到NAND串的第一端处的源极/漏极端子来擦除存储器件内的存储单元的NAND串内的数据。与在NAND串内的一对选择晶体管中建立栅极感应漏极泄漏(GIDL)的同时施加该擦除电压。该GIDL可以通过向这对选择晶体管的相应的第一栅极端子和第二栅极端子施加不等的且非零的第一电压和第二电压而发生。该选择晶体管可以是串选择晶体管或接地选择晶体管。
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公开(公告)号：CN110189784A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910067431.2
申请日：2019-01-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开一种存储器装置。所述存储器装置包括：第一存储区、第二存储区、第三存储区和控制器。第一存储区具有共享第一沟道区的多个第一存储单元。第二存储区具有共享第一沟道区的多个第二存储单元。第三存储区具有共享第二沟道区的多个第三存储单元，第二沟道区与第一沟道区不同，第一沟道区和第二沟道区连接到位线。控制器被配置为：当对第一存储单元的至少一个执行控制操作时，将第二存储单元的电压输入到第二存储单元，并且将第三存储单元的电压输入到第三存储单元，第二存储单元和第三存储单元的电压具有不同的大小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110021331A
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201910011507.X
申请日：2019-01-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储器件，所述存储器件包括存储单元阵列和控制器，所述存储单元阵列包括多条字线、设置在所述多条字线上方的至少一条选择线以及穿过所述多条字线和所述至少一条选择线的沟道区，所述多条字线和所述沟道区提供多个存储单元。所述控制器通过顺序地执行第一编程操作和第二编程操作，将数据存储在所述多个存储单元中的编程存储单元中，并且基于关于所述编程存储单元的信息，确定在所述第一编程操作中输入到连接到所述编程存储单元的编程字线的编程电压。
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公开(公告)号：CN102881329B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201210242442.8
申请日：2012-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 南尚完
CPC classification number: G11C16/14 , G11C16/16 , G11C16/26 , G11C16/3445 , H01L27/11524 , H01L27/11556 , H01L27/1157 , H01L27/11582
Abstract: 非易失性存储器件的擦除系统和方法包括：向非易失性存储器的多个存储单元供应擦除电压；利用到所述多个存储单元的字线的读取电压执行读取操作；以及利用到所述多个存储单元的字线中的至少一条字线的擦除验证电压执行擦除验证操作，该擦除验证电压低于读取电压。
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公开(公告)号：CN106297878A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610576999.3
申请日：2011-08-26
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种擦除包括多个存储单元串的非易失性存储器件的方法，多个存储单元串包括第一存储单元串和第二存储单元串。该方法包括：对第一存储单元串中包括的第一存储单元和第二存储单元串中包括的第二存储单元执行第一擦除操作；在执行第一擦除操作之后对第一存储单元执行第一擦除验证操作；在执行第一擦除验证操作之后对第二存储单元执行第二擦除验证操作；在第二擦除验证操作之后对第一存储单元和第二存储单元执行第二擦除操作；以及选择性地再次执行第一擦除验证操作和第二擦除验证操作中的至少一个，其中，第一存储单元中的至少一个和第二存储单元中的至少一个连接到一字线，并且第一存储单元串之一和第二存储单元串之一连接到一位线。
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公开(公告)号：CN102385919B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201110248599.7
申请日：2011-08-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/3445 , G11C16/0483 , G11C16/06 , G11C16/16 , H01L29/792
Abstract: 一种操作非易失性存储器件的方法包括：对与多个串选择线(SSL)相关联的存储单元执行擦除操作，所述与多个SSL相关联的存储单元构成存储块；以及在验证对与第一SSL相关联的第一存储单元的擦除操作之后，验证对与第二SSL相关联的第二存储单元的擦除操作。
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