高密度盘
    62.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1331126C

    公开(公告)日:2007-08-08

    申请号:CN200410057552.2

    申请日:2002-07-05

    CPC classification number: G11B7/007 G11B23/0035

    Abstract: 本发明披露了一种设定为在保持高记录/重现特性的同时在相同的驱动器中保证兼容性的具有数据区的高密度盘。该高密度盘具有中心孔、夹紧区、记录有用户数据的数据区、位于数据区内侧的导入区和位于数据区外侧的导出区。在高密度盘中,其中,中心孔的直径为15mm,夹紧区的外径在20-26mm的范围内。并且,数据区的内径在35-40mm的范围内。由此,在仍使用传统盘驱动器的同时,可以减小高密度盘的尺寸,增加记录容量。

    用来制造信息存储介质的记录母盘及其制造方法

    公开(公告)号:CN1846261A

    公开(公告)日:2006-10-11

    申请号:CN200480025221.9

    申请日:2004-09-01

    Abstract: 本发明提供了一种用来制造信息存储介质的记录母盘及其制造方法。该记录母盘包括:母盘基底;吸热层,涂覆在母盘基底上并在被光束照射的部分处吸收热量;分离层,涂覆在吸热层上,其中,根据被光束照射的部分的温度分布,吸热层和分离层中的至少一层发生体积变化。由于这种结构,模子可容易地与转换层分离,可提供表面粗糙度低的记录母盘,并可制造高密度的信息存储介质。

    再现记录在超分辨率信息存储介质上的信息的方法和设备

    公开(公告)号:CN1771540A

    公开(公告)日:2006-05-10

    申请号:CN200580000173.2

    申请日:2005-01-28

    CPC classification number: G11B7/1267

    Abstract: 本发明提供了一种用于通过积极地检测根据超分辨率信息存储介质(SRISM)的反射率而变化的阈域,使用实际上适于再现的适当实际再现功率来再现记录在SRISM中的信息的方法和设备。从SRISM再现信息的方法包括:将光束发射到SRISM上,同时改变激光光束的再现功率,接收被SRISM反射的光束,并从接收的光束检测再现信号电平的变化;基于再现信号电平的变化,计算再现信号电平对再现功率的曲线的梯度改变处的参考再现功率;和基于参考再现功率设置实际再现功率。用于从SRISM再现信息的设备包括光学拾取单元和信号处理单元。该光学拾取单元包括光源和光电检测器,其中光源将具有一定范围的功率的光束发射到SRISM上,光电检测器接收从SRISM反射的光束,并从接收的光束检测再现信号;该信号处理单元根据被光源发射到SRISM上的光束的再现功率的变化来检测再现信号电平的变化,并基于再现信号电平对再现功率的曲线的梯度改变处的参考再现功率设置从光源发射的光束的实际再现功率。

    制造光盘的方法
    68.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1217333C

    公开(公告)日:2005-08-31

    申请号:CN02127516.5

    申请日:2002-07-05

    Abstract: 提供一种制造光盘的方法,其中在使用旋转涂敷法制作透明层的过程中在光盘的圆周上形成的凸缘,能够被容易地切除,并且该光盘具有高密度记录性能。该方法包括,制备直径比所求光盘大的基片,在该基片上涂紫外硬化树脂并使用旋转涂敷法形成具有预定厚度的透明层,在透明层和透明层的外周上形成的凸缘上照射紫外线以使它们硬化,并使用冲压机切除凸缘,其中基片包括一个在切除凸缘过程中将被切除的边缘区域,和一个制作得比基片中心的厚度薄的边缘区域的内边。根据这一方法,能够使用冲压机将制作透明层时不可避免地产生的凸缘容易地切除。

Patent Agency Ranking