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公开(公告)号：CN105280221B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201510394733.2
申请日：2015-07-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 提供了电阻型存储器装置和操作电阻型存储器装置的方法。操作电阻型存储器装置的方法包括：响应于写命令来对存储器单元执行预读取操作；对将被执行重置写操作的一个或更多个第一存储器单元执行擦除操作，所述一个或更多个第一存储器单元是基于得自预读取操作的预读取数据与写数据的比较结果而确定的；对被擦除的所述一个或更多个第一存储器单元之中的至少一些存储器单元并且对将被执行设置写操作的一个或更多个第二存储器单元执行设置方向编程。
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公开(公告)号：CN105575424A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510716402.6
申请日：2015-10-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C7/04 , G11C11/1675 , G11C11/5685 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C13/0061 , G11C2013/0071 , G11C2013/0083 , G11C2013/0092
Abstract: 本公开涉及电阻式存储器件及其操作方法。操作存储器件的方法包括：通过在第一置位写间隔期间向连接至所选择的存储单元的第一信号线施加第一电压和向连接至所选择的存储单元的第二信号线施加第二电压，来向所选择的存储单元施加预写电压，其中第一电压的电平高于第二电压的电平；并且在此之后，通过在第二置位写间隔期间向第一信号线施加具有低于第一电压的电平并且高于第二电压的电平的电平的第三电压，来向所选择的存储单元施加写电压。
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公开(公告)号：CN105320471A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510455794.5
申请日：2015-07-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
CPC classification number: G11C13/004 , G06F11/00 , G06F11/1048 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0033 , G11C2013/0045 , G11C2013/0054
Abstract: 提供了一种操作存储装置的方法和一种操作存储系统的方法，以执行读取重试操作。操作存储装置的方法包括：开始读取重试模式；利用不同的读取条件读取多个单元区域的数据；以及根据针对从单元区域读取的数据的数据确定操作的结果，针对单元区域设置最终读取条件。
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公开(公告)号：CN105244055A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510394397.1
申请日：2015-07-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0021 , G11C13/0002 , G11C13/0033 , G11C13/0035 , G11C13/0038 , G11C29/021 , G11C29/028 , G11C2029/0407 , G11C2029/5006 , G11C2213/71
Abstract: 提供了一种电阻型存储器装置和一种电阻型存储器装置的操作方法，所述操作方法包括：向电阻型存储器装置的存储器单元阵列施加偏置控制电压；测量响应于施加的偏置控制电压在存储器单元阵列中出现的漏电流，以产生测量结果；基于测量结果来产生控制信号；响应于控制信号来调节偏置控制电压的电平。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101369464B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN200810171440.8
申请日：2008-05-19
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 边大锡
IPC: G11C29/00
Abstract: 可以通过下述步骤提供一种操作包括在存储卡中的非易失性存储器件的方法：重映射存储卡中的第一非易失性MAT中的坏块的地址和重映射存储卡中的第二非易失性MAT中的坏块的地址，该第二非易失性MAT包括与第一非易失性MAT中的块地址映射的块。还可以通过下述步骤提供扫描非易失性存储器件的坏块的方法：从非易失性存储器件的最低块地址之上的开始块地址开始顺序扫描非易失性存储器件中的块以寻找表示相应块是坏块的数据，其中该开始块地址基于非易失性存储器件的产率。
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公开(公告)号：CN101226765B
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN200710300390.4
申请日：2007-11-21
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 边大锡
IPC: G11C7/10
CPC classification number: G06F13/1684
Abstract: 一种用于从包括多个存储器芯片的多芯片存储器器件中读取状态数据的方法，所述方法包括：向多个存储器芯片提供请求输出状态数据的命令；以及通过多芯片存储器器件的多个通道接受多个存储器芯片的状态数据。所述状态数据的读取方法有助于缩短用于接受多芯片存储器器件的状态数据的等待时间，提高操作速度。
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公开(公告)号：CN101369453A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200810171455.4
申请日：2008-04-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/10 , G11C8/10 , G11C8/12 , G11C29/806 , G11C29/844
Abstract: 一种闪存存储器设备，包括多个存储块，解码器，配置成响应块选择信号选择至少一个所述存储块，以及控制器，配置成响应于块地址产生所述块选择信号。当块地址对应不良块时，所述控制器产生块选择信号以使得所述解码器中断对应于块地址的存储块的选择。
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公开(公告)号：CN101226765A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200710300390.4
申请日：2007-11-21
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 边大锡
IPC: G11C7/10
CPC classification number: G06F13/1684
Abstract: 一种用于从包括多个存储器芯片的多芯片存储器器件中读取状态数据的方法，所述方法包括：向多个存储器芯片提供请求输出状态数据的命令；以及通过多芯片存储器器件的多个通道接受多个存储器芯片的状态数据。所述状态数据的读取方法有助于缩短用于接受多芯片存储器器件的状态数据的等待时间，提高操作速度。
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公开(公告)号：CN101197190A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200710306192.9
申请日：2007-09-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C2211/5646
Abstract: 一种对多层非易失性存储器编程的方法。多个多位存储单元能够存储不同层的可用于表示数据的电荷，所述由最低有效位(LSB)和最高有效位(MSB)表示的数据被首先以LSB然后以MSB编程。当编程过的存储单元具有小于电压VR1的阈值电压时存储第一值，当具有大于电压VR1并小于电压VR2的阈值电压时存储第二值，当具有大于电压VR2并小于电压VR3的阈值电压时存储第三值。当期望存储单元存储第四值时，每一个单元具有大于电压VR3的阈值电压。VR1小于VR2，VR2小于VR3。标识单元被编程为具有大于VR3的阈值电压以指示MSB数据已经被编程。
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