-
公开(公告)号:CN203519807U
公开(公告)日:2014-04-02
申请号:CN201320669878.5
申请日:2013-10-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/035
Abstract: 本实用新型提供一种超导量子干涉传感组件及所适用的超导量子干涉传感器。所述传感器包括:超导量子干涉传感组件及所连接的读出电路。其中,所述超导量子干涉传感组件包括:与外接的偏置电源相连的超导量子干涉器件;与所述超导量子干涉器件互感的反馈线圈;与所述偏置电源和反馈线圈相连、且用于将所述反馈线圈所输出的感应信号予以放大并输出的放大单元;与所述超导量子干涉器件串联、且提高所述超导量子干涉器件的输出电压的电压提升单元。本实用新型能有效避免放大单元对感应信号的分流,并对所述感应信号进行放大。
-
公开(公告)号:CN207624699U
公开(公告)日:2018-07-17
申请号:CN201721811773.3
申请日:2017-12-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/18 , H01L39/04 , H01L39/24 , G01R33/035
Abstract: 本实用新型提供一种SQUID平面梯度计芯片的封装结构,所述封装结构包括:SQUID平面梯度计芯片;设置于所述SQUID平面梯度计芯片下方的至少一层缓冲层;设置于所述缓冲层下方的基板;形成于所述基板上、且与所述SQUID平面梯度计芯片的电极电性连接的引出电极;以及设置于所述基板上的封装盖板,其中,所述SQUID平面梯度计芯片及所述缓冲层均封装于所述封装盖板内。通过本实用新型提供的SQUID平面梯度计芯片的封装结构,解决了现有SQUID平面梯度计芯片封装结构的不平衡度指标较差的问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
-
公开(公告)号:CN203480005U
公开(公告)日:2014-03-12
申请号:CN201320479047.1
申请日:2013-08-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/035
Abstract: 本实用新型提供一种积分电路及所适用的超导量子干涉传感器。根据本实用新型所述的传感器,在所述积分电路中配置受外部控制信号的选通器,并根据所述控制信号改变所述积分电路,使得所述积分电路能够进行正极性积分、负极性积分、复位和调试中的一种。由此使超导量子干涉器件能够获得最佳工作参数,并灵活选定工作点,简化了现有超导量子干涉传感器读出电路中的积分电路。
-
公开(公告)号:CN203376462U
公开(公告)日:2014-01-01
申请号:CN201320434495.X
申请日:2013-07-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/035
Abstract: 本实用新型提供一种超导量子干涉传感器及所适用的磁探测器。根据本实用新型所述的磁探测器,由偏置电路向所述超导量子干涉传感器中的放大器提供偏置电压,所述放大器经分压电阻分压,将分压后的偏置电压提供给超导量子干涉传感器中的超导量子干涉器件,同时,利用所述偏置电压将所述超导量子干涉器件输出的电信号予以放大并输出,其中,所述超导量子干涉传感器还被浸放在使超导量子干涉器件处于超导状态的容器中。本实用新型所述的磁探测器由放大器向超导量子干涉器件提供偏置电压能够有效解决现有的放大器和超导量子干涉器件分用偏置电路而使所述干涉器件的集成度低、电路结构复杂等问题。
-
-
-