超导量子干涉传感组件及所适用的超导量子干涉传感器

    公开(公告)号:CN203519807U

    公开(公告)日:2014-04-02

    申请号:CN201320669878.5

    申请日:2013-10-28

    Abstract: 本实用新型提供一种超导量子干涉传感组件及所适用的超导量子干涉传感器。所述传感器包括:超导量子干涉传感组件及所连接的读出电路。其中,所述超导量子干涉传感组件包括:与外接的偏置电源相连的超导量子干涉器件;与所述超导量子干涉器件互感的反馈线圈;与所述偏置电源和反馈线圈相连、且用于将所述反馈线圈所输出的感应信号予以放大并输出的放大单元;与所述超导量子干涉器件串联、且提高所述超导量子干涉器件的输出电压的电压提升单元。本实用新型能有效避免放大单元对感应信号的分流,并对所述感应信号进行放大。

    一种SQUID平面梯度计芯片的封装结构

    公开(公告)号:CN207624699U

    公开(公告)日:2018-07-17

    申请号:CN201721811773.3

    申请日:2017-12-22

    Abstract: 本实用新型提供一种SQUID平面梯度计芯片的封装结构,所述封装结构包括:SQUID平面梯度计芯片;设置于所述SQUID平面梯度计芯片下方的至少一层缓冲层;设置于所述缓冲层下方的基板;形成于所述基板上、且与所述SQUID平面梯度计芯片的电极电性连接的引出电极;以及设置于所述基板上的封装盖板,其中,所述SQUID平面梯度计芯片及所述缓冲层均封装于所述封装盖板内。通过本实用新型提供的SQUID平面梯度计芯片的封装结构,解决了现有SQUID平面梯度计芯片封装结构的不平衡度指标较差的问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    超导量子干涉传感器及所适用的磁探测器

    公开(公告)号:CN203376462U

    公开(公告)日:2014-01-01

    申请号:CN201320434495.X

    申请日:2013-07-19

    Abstract: 本实用新型提供一种超导量子干涉传感器及所适用的磁探测器。根据本实用新型所述的磁探测器,由偏置电路向所述超导量子干涉传感器中的放大器提供偏置电压,所述放大器经分压电阻分压,将分压后的偏置电压提供给超导量子干涉传感器中的超导量子干涉器件,同时,利用所述偏置电压将所述超导量子干涉器件输出的电信号予以放大并输出,其中,所述超导量子干涉传感器还被浸放在使超导量子干涉器件处于超导状态的容器中。本实用新型所述的磁探测器由放大器向超导量子干涉器件提供偏置电压能够有效解决现有的放大器和超导量子干涉器件分用偏置电路而使所述干涉器件的集成度低、电路结构复杂等问题。

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