公开(公告)号：CN112262456A

公开(公告)日：2021-01-22

申请号：CN201980038692.X

申请日：2019-06-11

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 关山有郎 ,  久保田芳宏

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/304 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明为GaN层叠基板的制造方法，其具有：进行偏离角度0.5～5度的C面蓝宝石基板(11)的800～1000℃下的高温氮化处理以对所述C面蓝宝石基板进行表面处理的工序；在所述表面处理过的C面蓝宝石基板(11)的表面上使GaN外延生长以制作表面包含N极性面的GaN膜负载体的工序；对所述GaN膜(13)进行离子注入以形成离子注入区域(13离子)的工序；将所述经离子注入的GaN膜负载体的GaN膜侧表面与支承基板(12)贴合并接合的工序；和在所述GaN膜(13)中的离子注入区域(13离子)使其剥离以将GaN薄膜(13a)在支承基板(12)上转印、得到在支承基板(12)上具有表面包含Ga极性面的GaN薄膜(13a)的GaN层叠基板(10)的工序，通过一次的转印工艺就得到以Ga面为表面的结晶性良好的GaN层叠基板。

公开(公告)号：CN108028183A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680054539.2

申请日：2016-09-08

Applicant: 信越化学工业株式会社 ,  CUSIC股份有限公司

Inventor： 久保田芳宏 ,  秋山昌次 ,  长泽弘幸

IPC: H01L21/20 ,  C23C16/42 ,  H01L21/02 ,  H01L21/265

CPC classification number: C30B33/06 ,  C23C16/01 ,  C23C16/325 ,  C23C16/42 ,  C30B25/18 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02634 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L29/06 ,  H01L29/1608

Abstract: 本发明提供SiC复合基板，是在多晶SiC基板11上具有单晶SiC层12的SiC复合基板10，上述多晶SiC基板11与单晶SiC层12邻接的界面的整个面或一部分为晶格不匹配的不匹配界面I12/11，上述单晶SiC层12具有平滑的表面，同时在与多晶SiC基板11的界面侧具有与该表面相比具有凹凸的面，上述多晶SiC基板11中的多晶SiC的结晶的最密面(晶格面11p)以单晶SiC层12的表面的法线方向为基准无规地取向。根据本发明，在多晶SiC基板与单晶SiC层之间不伴有夹层，不会在单晶SiC层中产生结晶结构的缺陷等，使多晶SiC基板与单晶SiC层的附着力提高。

公开(公告)号：CN104701239B

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201510117172.1

申请日：2007-11-12

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  田中好一 ,  川合信 ,  飞坂优二

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/78603

Abstract: 本发明提供将高品质的硅薄膜转印在低熔点物质的衬底上而成的半导体衬底。本发明的方法为：以1.5×1017atoms/cm2以上的掺杂量，将氢离子注入单结晶硅衬底(10)的表面(主面)，形成氢离子注入层(离子注入损伤层)(11)。通过此氢离子注入，形成氢离子注入界面(12)。贴合单结晶硅衬底(10)和低熔点玻璃衬底(20)。以120℃以上250℃以下(但是，不超过支持衬底的熔点温度)的比较低的温度，加热贴合状态的衬底，利用赋予外部冲击，将热处理后的贴合衬底，沿着单结晶硅衬底(10)的氢离子注入界面(12)，剥离Si结晶膜。然后，对所得到的硅薄膜(13)的表面进行研磨等，除去损伤，而得到半导体衬底。

公开(公告)号：CN104488081B

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201380039471.7

申请日：2013-07-18

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 小西繁 ,  久保田芳宏 ,  川合信 ,  秋山昌次 ,  永田和寿

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/86 ,  H01L29/78657

Abstract: 本发明涉及能够再现性好地制作缺陷数少并且不存在其波动的SOS基板、而且能够投入半导体生产线的SOS基板的制造方法，即，从硅基板1的表面注入离子从而形成离子注入区域3，将上述硅基板1的经离子注入的表面与蓝宝石基板4的表面直接或经由绝缘膜2贴合后，在上述离子注入区域3使硅基板1剥离而得到在蓝宝石基板4上具有硅6层的SOS基板8的SOS基板的制造方法，其特征在于，上述蓝宝石基板4的面方位为偏离角1度以下的C面。

公开(公告)号：CN101285912B

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN200810090978.6

申请日：2008-04-08

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  田中好一 ,  飞坂优二 ,  川合信

IPC: G02B6/12 ,  G02B6/122 ,  G02B6/13 ,  H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265

CPC classification number: G02B6/132 ,  G02B6/1347 ,  G02F1/0126 ,  G02F1/025 ,  G02F2202/105 ,  G02F2203/48 ,  Y10S438/967

Abstract: 本发明提供一种结构简单且能够调制在光波导管中进行导波的信号光的光波导管装置。其通过在SOI膜12上涂布光阻13来形成光阻罩幕14，然后蚀刻除去未被光阻罩幕14被覆的区域的SOI膜，来得到具有单晶硅芯的光波导管15。而且，在石英基板20的背面侧设置能够对上述的单晶硅芯照射1.1微米以下波长的光线的发光组件而作成光波导管装置。从发光组件30未照射光线时，在光波导管15中进行导波的光线是以原本的状态进行导波，但是若从发光组件30照射光线而在该照射区域16形成电子-空穴对时，由于在光波导管中进行导波的光线被该电子-空穴对吸收，所以通过有无从发光组件30来的光照射，能够进行切换光信号的ON/OFF。

公开(公告)号：CN101990697B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN200980112677.1

申请日：2009-04-10

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 飞坂优二 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  田中好一 ,  川合信 ,  秋山昌次 ,  田村博

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/187 ,  H01L21/76254

Abstract: 本发明提供了一种制造贴合基板的方法，所述基板在整个基板表面、特别是贴合终端部附近具有良好的薄膜。第二基板上具有薄膜的贴合基板的制造方法至少包含以下工序：在作为半导体基板的所述第一基板的表面，通过注入氢离子和/或稀有气体离子形成离子注入层的工序；对所述第一基板的离子注入面及所述第二基板的贴合面中的至少一面施以表面活化处理的工序；在湿度30％以下和/或水分含量6g/m3以下的气氛中，将所述第一基板的离子注入面和所述第二基板的贴合面进行贴合的贴合工序；将所述第一基板在所述离子注入层分离，以使所述第一基板薄膜化的剥离工序。

公开(公告)号：CN101981654B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN200980111732.5

申请日：2009-04-01

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  川合信 ,  伊藤厚雄 ,  久保田芳宏 ,  田中好一 ,  飞坂优二 ,  田村博

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/683 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明提供了一种简便地制造SOI基板的方法，所述SOI基板为透明绝缘性基板，所述SOI基板具有：一个主表面，硅薄膜形成于该主表面上；粗糙的主表面，该粗糙的主表面位于形成所述硅薄膜一侧的相对侧。本发明提供了一种制造SOI基板的方法，所述基板至少包含透明绝缘性基板和硅薄膜，所述硅薄膜形成于作为所述透明绝缘性基板一个主表面的第一主表面上，而所述透明绝缘性基板的第二主表面是粗糙的，所述第二主表面为与第一主表面相对侧的主表面。所述方法至少包含下述工序：制备所述透明绝缘性基板的工序，作为所述透明绝缘性基板，所述第一主表面按RMS值计的表面粗糙度小于0.7nm，并且所述第二主表面按RMS值计的表面粗糙度大于所述第一主表面的表面粗糙度；以及在所述透明绝缘性基板的第一主表面上形成硅薄膜的工序。

公开(公告)号：CN101587294B

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN200910138995.7

申请日：2009-05-21

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 久保田芳宏 ,  秋山昌次 ,  进藤敏彦

IPC: G03F1/62 ,  G03F1/64

CPC classification number: G03F1/64 ,  G03F1/62

Abstract: 一种防护薄膜组件，其使用SOI基板，并从单一基板制作出由单晶硅膜所作成的防护薄膜(11)与支持该防护薄膜的基底基板(12)，在基底基板(12)上设置开口部，若防护薄膜组件使用于光掩模上时的曝光区域的面积为100％，让该开口部占曝光区域面积的60％(开口比)以上，同时在基底基板的非曝光区域上设置补强框(12a)。藉由从单一基板制作出防护薄膜(11)与支持该防护薄膜的基底基板(12)(一体化结构)以及在基底基板上设置补强框，而获得强度增加的效果。又，以自属于{100}面群以及{111}面群的其中任一个晶格面倾斜3°～5°的结晶面作为单晶硅膜(11)的主面。

公开(公告)号：CN101521155B

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN200910117817.6

申请日：2009-02-25

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 久保田芳宏 ,  川合信 ,  田中好一 ,  飞坂优二 ,  秋山昌次 ,  野岛义弘

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/50 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明提供一种在没有使用特殊基板的情况下容易地制备几乎没有晶体缺陷的包括在上面或上方的单晶薄膜的基板的方法。更具体地说，提供一种制备包括形成在处理基板的上面或上方的单晶薄膜的基板的方法，所述方法包括：步骤A：提供供体基板和处理基板；步骤B：在所述供体基板上生长单晶层；步骤C：将离子注入到所述供体基板上的单晶层中，形成离子注入层；步骤D：将注入离子的供体基板的单晶层的表面与所述处理基板的表面粘合；和步骤E：在存在于所述单晶层中的离子注入层处剥离粘合的供体基板，从而在所述处理基板上面或上方形成单晶薄膜；其中，通过使用所述的上面或上方形成有单晶薄膜的处理基板作为供体基板，重复至少步骤A～E。

公开(公告)号：CN101188190B

公开(公告)日：2012-08-08

申请号：CN200710186484.3

申请日：2007-11-22

Applicant: 信越化学工业株式会社

Inventor： 秋山昌次 ,  久保田芳宏 ,  伊藤厚雄 ,  田中好一 ,  川合信 ,  飞坂优二

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L23/00

CPC classification number: H01L21/3247 ,  H01L21/76254 ,  H01L29/78603

Abstract: 本发明提供SOQ基板及其制造方法，该制造方法包括：进行离子注入工艺，在硅基板的主面侧形成氢离子注入层；进行表面处理工艺，对石英基板和上述硅基板的至少其中一方的主面进行活性化处理；进行贴合工艺，将上述石英基板的主面与上述硅基板的主面贴合；进行剥离工艺，在不加热情况下从上述贴合基板的上述硅基板机械性地剥离硅薄膜，在上述石英基板的主面上形成硅膜；以及以1000℃以下的温度，对上述硅膜进行氢热处理的工艺。本发明能够抑制SOQ膜的表面粗糙化并提供高品质的SOQ基板。