-
公开(公告)号：CN101320604B
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200810116140.X
申请日：2008-07-04
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 一种SrZrO3掺杂的YBCO薄膜及其制备方法属于高温涂层超导材料制备技术领域。现有PLD方法设备复杂，成本高且不易控制掺杂物配比。本发明所提供的薄膜由摩尔百分比为1-15％的SrZrO3和85-99％的YBCO组成。本发明通过三氟乙酸-金属有机盐沉积法配制YBCO前驱溶液；将其与醋酸锶和乙酰丙酮锆的丙酸溶液混合得到SrZrO3掺杂的YBCO前驱溶液；再将其旋涂或浸涂到基底上，并于湿氧气氛，低于400℃下烧结；最后于湿Ar/O2混合气氛中750-850℃高温烧结得到SrZrO3掺杂的YBCO薄膜。本发明薄膜在磁场下有较高的临界电流密度，高的临界转变温度和双轴织构，且设备简单、成本低。
-
公开(公告)号：CN101320604A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200810116140.X
申请日：2008-07-04
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 一种SrZrO3掺杂的YBCO薄膜及其制备方法属于高温涂层超导材料制备技术领域。现有PLD方法设备复杂，成本高且不易控制掺杂物配比。本发明所提供的薄膜由摩尔百分比为1－15％的SrZrO3和85－99％的YBCO组成。本发明通过三氟乙酸-金属有机盐沉积法配制YBCO前驱溶液；将其与醋酸锶和乙酰丙酮锆的丙酸溶液混合得到SrZrO3掺杂的YBCO前驱溶液；再将其旋涂或浸涂到基底上，并于湿氧气氛，低于400℃下烧结；最后于湿Ar/O2混合气氛中750－850℃高温烧结得到SrZrO3掺杂的YBCO薄膜。本发明薄膜在磁场下有较高的临界电流密度，高的临界转变温度和双轴织构，且设备简单、成本低。
-
公开(公告)号：CN100442398C
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200610089279.0
申请日：2006-08-15
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: Y02E40/64 , Y02E40/641
Abstract: 一种采用连续管线成型及填充技术制备MgB2单芯超导线材的方法，属MgB2超导线材领域。目前制备MgB2超导线材的粉末套管法填粉方式笨拙，装填粉末密度不均匀；可制备的线材长度有限，不能自动化生产。本发明步骤：按需称量Mg、B与SiC粉末，在Ar保护气氛下混和；粉芯线材的制备：将待包覆的金属带引入粉芯线材成型设备轧成U型槽之后，用粉末挤压成型机将混和粉末挤压成粉芯坯，边挤压边填充U型槽，用压辊使得填有粉芯坯的U型槽闭合，形成横截面为σ型的搭接结构，减径；放入真空度高于10-3Pa的烧结炉，770～850℃保温5～30分钟后随炉冷却，得到成品。本发明有利于自动化连续制备指定长度的MgB2超导线材。
-
公开(公告)号：CN101260233A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200810104253.8
申请日：2008-04-18
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种汽车进气歧管专用尼龙料及其加工方法涉及一种汽车进气歧管专用尼龙料。现有二元体系尼龙料加工流动性差，表面和内壁粗糙。本发明的尼龙料由尼龙30～70wt％、短纤维5～35wt％、热致液晶聚酰胺5～35wt％和加工助剂0.1～5wt％组成。其中，尼龙为脂肪族聚酰胺；短纤维为玻璃纤维GF或碳纤维CF；热致液晶聚酰胺为熔融范围在180～300℃的主链型芳香聚酰胺；加工助剂为润滑剂、热稳定剂、成核剂、抗氧剂或着色剂中的一种或多种。本发明将尼龙料的各组分充分混合均匀后，通过双螺杆挤出机挤出后造粒，烘干得到汽车进气歧管专用尼龙料。本发明具有表面光滑、加工流动性和热稳定性好、机械性能高、震动噪声小等优点。
-
公开(公告)号：CN100374595C
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200610080876.7
申请日：2006-05-19
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种Ni基合金复合基带及其熔炼制备方法属于高温涂层超导强化韧性基带技术领域。本发明所提供的Ni基合金复合基带，表层和芯层为W的原子百分含量分别为3-7%和9.3-12%的NiW合金。其制备方法为将W的原子百分含量分别为3-7%和9.3-12%的NiW合金铸锭(代号B铸锭和A铸锭)按照B-连接层-A-连接层-B的顺序冷压成一体，在Ar/H2气氛中750-900℃下烧结3-8h得到复合锭，B和A的厚度比为1∶1到1∶4，总厚度是6-18mm；冷轧复合锭，道次变形量为5-20%，总的变形量大于95%，得到厚度为60-200μm的基带；该基带在Ar/H2气氛或真空条件下1000-1300℃下退火0.5-2h；或者在700℃下退火30-60min，再升温至1100℃退火30-60min，即可得到Ni基合金复合基带。该基带表层和芯层不易开裂，机械强度高、磁性低并具有强的双轴立方织构。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101049627A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200710099090.4
申请日：2007-05-11
Abstract: 多元复合稀土钨电子发射材料的旋锻加工方法，属于难熔金属加工技术领域。针对目前多元复合稀土钨电子发射材料因加工性能差未有工业生产的丝杆产品进入市场，阻碍了该产品替代具有放射性钍钨进程的现状，本发明适应多元复合稀土钨电子发射材料的力学性能变化规律，采用在旋锻温度为1625－1675℃进行B203旋锻，旋锻后将坯条经2150－2250℃快速退火后，再在1425－1475℃进行B202旋锻，最后在1325－1375℃进行B201旋锻，按上述方法可以加工制备Φ3.0－Φ12.0多种规格的稀土钨杆。该方法耗能小，产品成品率高。
-
公开(公告)号：CN1905085A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200610089279.0
申请日：2006-08-15
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: Y02E40/64 , Y02E40/641
Abstract: 一种采用连续管线成型及填充技术制备MgB2单芯超导线材的方法，属MgB2超导线材领域。目前制备MgB2超导线材的粉末套管法填粉方式笨拙，装填粉末密度不均匀；可制备的线材长度有限，不能自动化生产。本发明步骤：按需称量Mg、B与SiC粉末，在Ar保护气氛下混和；粉芯线材的制备：将待包覆的金属带引入粉芯线材成型设备轧成U型槽之后，用粉末挤压成型机将混和粉末挤压成粉芯坯，边挤压边填充U型槽，用压辊使得填有粉芯坯的U型槽闭合，形成横截面为σ型的搭接结构，减径；放入真空度高于10－3Pa的烧结炉，770～850℃保温5～30分钟后随炉冷却，得到成品。本发明有利于自动化连续制备指定长度的MgB2超导线材。
-
公开(公告)号：CN1903464A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200610112466.6
申请日：2006-08-21
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 采用连续管线成型技术制备多层金属复合粉芯线材的方法属于材料加工工程中线材加工制备技术领域。目前前述的两种方法在制备过程中各自都存在着不足：前者虽然可以先后套进不同金属材料的套管再进行后期加工，但是其制备的长度有限，不能实现连续化生产，生产效率低下；后者在目前的粉芯线材成型设备上，虽然可以连续生产，但目前它仅能实现一层金属材料的包覆。本发明特征在于，利用粉芯线材成型设备，在实现对粉末进行一层金属材料的包覆之后，将此粉芯线材作为下一步的待装填线芯，继续包覆第二层金属，反复如此，以达到多层包覆的目的。本发明在现有的粉芯线材成型设备上，实现多层包覆粉芯线材的生产，并且能够不受生产长度的制约。
-
公开(公告)号：CN1834271A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200610076274.4
申请日：2006-04-21
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明属于高温超导涂层韧性基带及超导薄膜领域。含W量在3～5at.％的低W含量镍钨合金基带，虽有很好的立方织构，但在液氮温区具有很强的磁性，且机械强度较低。本发明步骤：将粒度为3～6微米Ni粉和W粉混合均匀，W的原子百分比为7.01％至9.5％；放电等离子烧结；800℃～1300℃，保温0～10分钟；30－80MPa；室温下对Ni－W板进行冷轧，采用3～8％的道次变形量；变形量每达到30～80％进行一次中间退火，温度300～800℃，退火0.5～6小时；总变形量大于95％；Ar混合H2气氛进行再结晶退火，温度1000～1400℃，退火0.5～3小时。本发明得到成分均匀、晶粒细小、W的原子百分比为7.01％至9.5％的Ni－W合金块，烧结过程简单快速，在液氮温区磁性低或没有、机械强度高。
-
公开(公告)号：CN1743103A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200510089080.3
申请日：2005-08-05
Applicant: 北京工业大学
IPC: B22F9/14
Abstract: 本发明属纳米材料领域。颗粒制造：物理气相沉积，稀土为阳极，钨为阴极，氦气保护下，50－400A，10－50V，起弧0.5－5小时制成纳米颗粒。晶材料制造：上述纳米颗粒置入惰性气体保护的预处理室，装入模具预压成型，压力10－1000MPa；惰性气体保护下，放电等离子烧结：温度200－500℃，压力30－1000MPa，保温0－10min，升温速率为20－100℃/min。设备依次包括物理气相沉积部分(1)，粉末捕集机构(2)，传递机构(3)，预处理部分(4)，烧结成型部分(5)，各部分均有真空泵和惰性气瓶，置入有惰性保护气氛的手套箱中；预处理部分(4)和烧结成型部分(5)有气体循环净化装置。本发明颗粒粒度均匀，粒径小于100纳米；晶块体材料致密度高，晶粒细小、均匀，单相性好。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
148
records
(took 0.045 seconds)
