一种基于并行度量学习的入侵检测方法

    公开(公告)号:CN116743473A

    公开(公告)日:2023-09-12

    申请号:CN202310783622.5

    申请日:2023-06-29

    Abstract: 本发明提出一种基于并行度量学习的入侵检测方法,属于入侵检测技术领域。一种基于并行度量学习的入侵检测方法由嵌入模块、度量模块和分类器组成模型;嵌入模块用于接收五元组数据,度量模块用于获得预测相似度,分类器用于获取预测类别;具体实现过程:S1.训练模型;S2.将网络流量输入模型中,模型输出识别结果,若网络流量为非入侵流量,输出结果为0,否则,输出结果为1。解决现有技术中模型的识别效率低实时性差的技术问题;本发明只需利用嵌入模块对网络流量进行特征提取,再将所提取的特征输入分类器中,即可获得最终的识别结果,无需再和支持集中的样本一一比较,可大幅提升识别效率和识别准确率。

    一种硅终端金刚石表面的制备方法

    公开(公告)号:CN113278912B

    公开(公告)日:2022-09-13

    申请号:CN202110525235.2

    申请日:2021-05-13

    Abstract: 一种硅终端金刚石表面的制备方法,本发明是为了解决现有金刚石的氧化是以一种不可控和无序的方式产生多种碳氧键结构,导致了不可控的表面电子态以及随后的对近表面缺陷色心光物理特性的损伤效应的问题。制备方法:一、对金刚石样品进行超声清洗;二、对清洗后的金刚石进行高温真空处理;三、采用磁控溅射在退火后的金刚石表面沉积硅膜;四、将镀硅的金刚石封管,高温加热处理;五、将金刚石放于HF中浸泡处理,完成金刚石表面硅终端的制备。本发明硅终端金刚石表面的制备方法可避免等离子体及湿化学刻蚀方法的随机性,使成键方式相对可控有序,制备工艺较为简单,周期短,可重复性强。

    串行总线故障模拟系统及模拟方法

    公开(公告)号:CN108958997B

    公开(公告)日:2022-03-04

    申请号:CN201810503937.9

    申请日:2018-05-23

    Abstract: 本发明提供串行总线故障模拟系统及模拟方法,属于计算机可靠性能评价技术领域。本发明所述串行总线故障模拟系统,包括控制机和故障注入器;控制机根据用户要求生成故障命令,将故障命令发送给故障注入器,接收故障注入器反馈的注入结果和目标系统状态,并将其反馈给用户;故障注入器采用现场可编程逻辑器件FPGA,根据来自控制机的故障命令对故障注入所需的所有参数进行设置,在接收到来自于串行总线的数据后,向数据当中注入故障,并将修改后的数据发送给串行总线,将得到的注入结果和目标系统状态返回给控制机。本发明解决了现有总线故障注入用以验证计算机可靠性时,实时性低的问题。本发明可用于总线故障模拟。

    一种温度敏感触头及分布式温度传感系统

    公开(公告)号:CN114112100A

    公开(公告)日:2022-03-01

    申请号:CN202111623400.4

    申请日:2021-12-28

    Abstract: 本发明涉及温度传感技术领域,尤其涉及一种温度敏感触头及分布式温度传感系统,该温度敏感触头包括金刚石基板、金属衬底和壳体;金刚石基板具有NV色心;金属衬底为周期性纳米金属结构,铺设在金刚石基板一侧的表面上,构成金刚石超表面,用于增强637nm波长等离子体信号;壳体套设在金刚石基板和金属衬底的外部,且设有输入光纤耦合口、输出光纤耦合口和波导耦合口;输入光纤耦合口和输出光纤耦合口均设置在金属衬底远离金刚石基板的一侧,且与金属衬底之间存在谐振空腔;波导耦合口为空心结构,穿入壳体,设于金刚石基板和金属衬底的一端。本发明可实现对温度的精准探测,且集成度高。

    一体化无外接原料气体的高品质金刚石MPCVD生长设备及生长方法

    公开(公告)号:CN114032526A

    公开(公告)日:2022-02-11

    申请号:CN202111328019.5

    申请日:2021-11-10

    Abstract: 一体化无外接原料气体的高品质金刚石MPCVD生长设备及生长方法,它为了解决现有MPCVD生长设备需要以氢气、甲烷等作为原料气体,气体管路安装复杂的问题。本发明金刚石MPCVD生长设备中反应室内腔腔体套设在反应室外腔腔体内部,反应室内腔腔体的底部与竖直波导管相连通,水平波导管的一端与微波源相连,石墨碳源可控样品台设置在反应室内腔腔体内,石墨碳源可控样品台与竖直波导管同轴设置在石墨碳源可控样品台的上表面开有沟槽,沟槽内装填有石墨碳源,石墨碳源可控样品台的底部设置有升降装置。本发明碳源来自于固态碳源石墨粉末刻蚀,不需要气体碳源外接管路,提高了生长样品的纯度与生长过程的安全性。

    一种硅终端金刚石表面的制备方法

    公开(公告)号:CN113278912A

    公开(公告)日:2021-08-20

    申请号:CN202110525235.2

    申请日:2021-05-13

    Abstract: 一种硅终端金刚石表面的制备方法,本发明是为了解决现有金刚石的氧化是以一种不可控和无序的方式产生多种碳氧键结构,导致了不可控的表面电子态以及随后的对近表面缺陷色心光物理特性的损伤效应的问题。制备方法:一、对金刚石样品进行超声清洗;二、对清洗后的金刚石进行高温真空处理;三、采用磁控溅射在退火后的金刚石表面沉积硅膜;四、将镀硅的金刚石封管,高温加热处理;五、将金刚石放于HF中浸泡处理,完成金刚石表面硅终端的制备。本发明硅终端金刚石表面的制备方法可避免等离子体及湿化学刻蚀方法的随机性,使成键方式相对可控有序,制备工艺较为简单,周期短,可重复性强。

    利用金刚石NV色心原位表征异质界面状态的方法

    公开(公告)号:CN111584382A

    公开(公告)日:2020-08-25

    申请号:CN202010345111.1

    申请日:2020-04-27

    Abstract: 利用金刚石NV色心原位表征异质界面状态的方法,本发明属于半导体材料及器件技术领域,它要解决现有在异质结两相相接界面处电荷状态分布、电子输运特性难以采用常规方法进行精确测量的问题。表征方法:一、对金刚石基底进行清洗;二、通过CVD法在金刚石基底表面生长NV色心层;三、使用显微镜聚焦到金刚石上生长的NV色心层,测得测试点处的第一次拉曼光谱;四、在生长NV色心层的金刚石表面生长待测的异质结;五、再次测得测试点处的拉曼光谱;将测试点处的第一次拉曼光谱与第二次拉曼光谱进行对比。本发明通过在界面连接处的金刚石亚表面层使用MPCVD法生长含有NV色心的薄层,能够准确的表征出异质界面状态的改变。

    串行总线故障模拟系统及模拟方法

    公开(公告)号:CN108958997A

    公开(公告)日:2018-12-07

    申请号:CN201810503937.9

    申请日:2018-05-23

    CPC classification number: G06F11/221 G06F11/2273 G06F11/261

    Abstract: 本发明提供串行总线故障模拟系统及模拟方法,属于计算机可靠性能评价技术领域。本发明所述串行总线故障模拟系统,包括控制机和故障注入器;控制机根据用户要求生成故障命令,将故障命令发送给故障注入器,接收故障注入器反馈的注入结果和目标系统状态,并将其反馈给用户;故障注入器采用现场可编程逻辑器件FPGA,根据来自控制机的故障命令对故障注入所需的所有参数进行设置,在接收到来自于串行总线的数据后,向数据当中注入故障,并将修改后的数据发送给串行总线,将得到的注入结果和目标系统状态返回给控制机。本发明解决了现有总线故障注入用以验证计算机可靠性时,实时性低的问题。本发明可用于总线故障模拟。

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