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    氮化物半导体器件及其制造方法
    61.
    发明公开
    氮化物半导体器件及其制造方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN101179178A

    公开(公告)日：2008-05-14

    申请号：CN200710197022.1

    申请日：2005-11-02

    Applicant: 夏普株式会社

    Inventor： 山田英司 ,  神川刚 ,  荒木正浩

    IPC: H01S5/323 ,  H01S5/343 ,  H01L33/00

    CPC classification number: H01L21/0254 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433

    Abstract: 本发明公开了一种氮化物半导体器件及其制造方法。所述器件防止裂纹产生、带有具有均匀厚度和好的生长表面平整度的氮化物半导体薄膜，且因此特性稳定，而且能以满意的成品率制造。在此氮化物半导体器件中，氮化物半导体薄膜生长于在垂直于脊表面的方向与晶体方向 之间具有倾斜角的衬底上。这有助于减小或有意加速在其整个迁移中氮化物半导体薄膜的源材料的原子或分子的扩散或移动。结果，能形成具有好的表面平整度的氮化物半导体生长层，且因此能获得具有满意特性的氮化物半导体器件。

    光电转换装置
    63.
    发明授权
    光电转换装置 有权

    公开(公告)号：CN107667435B

    公开(公告)日：2020-02-28

    申请号：CN201680028567.7

    申请日：2016-02-24

    Applicant: 夏普株式会社

    Inventor： 原田真臣 ,  东贤一 ,  神川刚 ,  酒井敏彦 ,  国吉督章 ,  辻埜和也 ,  邹柳民

    IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/20 ,  C23C16/24

    Abstract: 光电转换装置(1)具备以与半导体基板(101)的一个面相接的方式形成的i型非晶质半导体层(102i)、分隔而配置于i型非晶质半导体层(102i)上的p型非晶质半导体层(102p)与分隔而配置于i型非晶质半导体层(102i)上，且于半导体基板(101)的面内方向邻接于p型非晶质半导体层(102p)而形成的n型非晶质半导体层(102n)。进而，光电转换装置(1)具备电极(103)作为保护层，所述保护层是以在邻接的p型非晶质半导体层(102p)之间及邻接的n型非晶质半导体层(102n)之间与i型非晶质半导体层(102i)相接的方式形成。

    光电转换装置
    65.
    发明公开
    光电转换装置 有权

    公开(公告)号：CN107710420A

    公开(公告)日：2018-02-16

    申请号：CN201680035963.2

    申请日：2016-02-24

    Applicant: 夏普株式会社

    Inventor： 原田真臣 ,  东贤一 ,  神川刚 ,  酒井敏彦 ,  国吉督章 ,  辻埜和也 ,  邹柳民

    IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0747

    Abstract: 在光电转换装置(1)中，在半导体基板(101)的一个面侧交替地配置有第一非晶质半导体部(102n)和第二非晶质半导体部(102p)。在第一非晶质半导体部(102n)和第二非晶质半导体部(102p)分别配置有至少一个第一非晶质半导体层(1020n)和第二非晶质半导体层(1020p)。在一个第一非晶质半导体层(1020n)之上，间隔地配置有多个第一电极(103n)，在一个第二非晶质半导体层(1020p)之上，间隔地配置有多个第二电极(103p)。

    光电转换元件
    68.
    发明公开
    光电转换元件 无效

    公开(公告)号：CN105190906A

    公开(公告)日：2015-12-23

    申请号：CN201480015122.6

    申请日：2014-04-09

    Applicant: 夏普株式会社

    Inventor： 原田真臣 ,  神川刚 ,  辻埜和也

    IPC: H01L31/0236 ,  H01L31/0747

    CPC classification number: H01L31/02363 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0747 ,  Y02E10/50

    Abstract: 提供一种通过被均匀地钝化来提高转换效率的光电转换元件。光电转换元件是将光转换成电的光电转换元件，具备在至少一个面形成有包括多个倾斜面(101a)的凹凸构造的硅基板(101)。在与夹着所述凹凸构造的凹部(TXb)地相邻的2个倾斜面(101a)相交的线垂直的剖面中，在将所述2个倾斜面(101a)中的一方的切线与所述凹部的最深部的切线相交的点(Pa)、和所述2个倾斜面(101a)中的另一方的切线与所述凹部的最深部的切线相交的点(Pb)之间的距离设为底部宽度(Lb)时，所述底部宽度(Lb)为20nm以上。

    发光装置及其制造方法
    69.
    发明授权
    发光装置及其制造方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN101847824B

    公开(公告)日：2015-06-10

    申请号：CN201010173999.1

    申请日：2008-06-13

    Applicant: 夏普株式会社

    Inventor： 神川刚 ,  川口佳伸

    IPC: H01S5/028

    CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

    Abstract: 本发明公开了一种发光装置及其制造方法。该发光装置包括：激光器芯片，具有谐振腔端部表面；和光吸收膜，形成在来自该芯片的光发射通过的端部表面的最外表面上，以吸收部分所发射的光。通过形成该光吸收膜，抑制了由与所发射的光反应引起的污染物的附着和聚集。

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