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    電子デバイス及び電子デバイスの製造方法
    62.
    发明专利
    電子デバイス及び電子デバイスの製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2019057533A

    公开(公告)日：2019-04-11

    申请号：JP2017179387

    申请日：2017-09-19

    Applicant: 富士通株式会社

    Inventor： 福盛 大雅 ,  赤星 知幸 ,  水谷 大輔

    IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H05K3/46 ,  H05K1/11 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L21/3205

    Abstract: 【課題】半導体材料を用いた導体ビアを低抵抗化する。 【解決手段】電子デバイス1は、半導体基板2と、半導体基板2内に設けられた導体ビア3と、半導体基板2の一方の面2a上に設けられた遮光部材4とを含む。導体ビア3には、ポリシリコン等の半導体材料が用いられる。遮光部材4は、半導体基板2の面2a側から導体ビア3に照射される光8を透過し、面2a側から半導体基板2に照射される光8を遮光する。遮光部材4を透過した光8が導体ビア3に照射されると、その導体ビア3の半導体材料の光導電性によって、導体ビア3の抵抗が低減される。 【選択図】図1

    回路基板、回路基板の製造方法及び電子装置
    64.
    发明专利
    回路基板、回路基板の製造方法及び電子装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2018179578A

    公开(公告)日：2018-11-15

    申请号：JP2017075049

    申请日：2017-04-05

    Applicant: 富士通株式会社

    Inventor： 岩井 俊樹 ,  水谷 大輔

    IPC: G01R31/26 ,  H01L21/66 ,  G01R1/073

    Abstract: 【課題】導体ピンの接続部に発生する応力に起因した損傷が抑えられる回路基板を実現する。 【解決手段】回路基板であるプローブカード1は、例えば、ガラス層52と、その上に設けられ、樹脂部51cを有するガラス層51と、樹脂部51cを貫通する導体ビア30と、導体ビア30上及び樹脂部51c上に設けられた導体ピンであるプローブピン40とを含む。プローブカード1によれば、半導体素子の電気検査時にその端子とプローブピン40とを圧接する際、プローブピン40の付け根41及びその周辺に発生する応力が樹脂部51cによって緩和され、応力に起因した損傷が抑えられる。 【選択図】図3

    回路基板、回路基板の製造方法及び電子装置
    66.
    发明专利
    回路基板、回路基板の製造方法及び電子装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2018137412A

    公开(公告)日：2018-08-30

    申请号：JP2017032805

    申请日：2017-02-24

    Applicant: 富士通株式会社

    Inventor： 古山 昌治 ,  水谷 大輔 ,  赤星 知幸

    IPC: H05K1/14 ,  H05K1/02 ,  H05K1/18 ,  H05K3/46

    Abstract: 【課題】フレキシブル基板の信号配線を伝送される信号の波形の劣化を抑える。 【解決手段】回路基板1は、フレキシブル基板10、及びその上に搭載された波形整形装置20を含む。フレキシブル基板10は、信号配線12a及び信号配線12bを有する。波形整形装置20は、フレキシブル基板10の信号配線12a及び信号配線12bと接続され、例えば一方の信号配線12aから他方の信号配線12bに伝送される信号の波形を整形する。波形整形装置20により、伝送される信号の波形の劣化が抑えられ、優れた伝送特性を有する回路基板1が実現される。 【選択図】図1

    回路基板、回路基板の製造方法及び電子装置
    67.
    发明专利
    回路基板、回路基板の製造方法及び電子装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2017208369A

    公开(公告)日：2017-11-24

    申请号：JP2016097602

    申请日：2016-05-16

    Applicant: 富士通株式会社

    Inventor： 長岡 秀明 ,  赤星 知幸 ,  水谷 大輔

    IPC: H01L23/12 ,  H05K3/46

    Abstract: 【課題】回路基板に内蔵されるキャパシタの誘電体層の応力、それによる破壊を抑える。 【解決手段】回路基板1は、絶縁層10、及び絶縁層10内に設けられたキャパシタ20を含む。キャパシタ20は、誘電体層21、電極層22及び電極層23を有する。例えば、誘電体層21の一方の面に設けられた電極層22の開口部22aのエッジ22aaに、絶縁層10よりも弾性率が高く、且つ絶縁層10よりも熱膨張率が低い材料30を設ける。加熱及び冷却に伴う絶縁層10の膨張及び収縮の際に開口部22aの誘電体層21に生じる応力を材料30で緩和し、誘電体層21の破壊を抑える。 【選択図】図1

    配線基板、配線基板の製造方法及び電子装置
    68.
    发明专利
    配線基板、配線基板の製造方法及び電子装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2017112236A

    公开(公告)日：2017-06-22

    申请号：JP2015245759

    申请日：2015-12-17

    Applicant: 富士通株式会社

    Inventor： 長岡 秀明 ,  赤星 知幸 ,  水谷 大輔

    IPC: H01L23/12 ,  H01L23/14 ,  H05K1/11 ,  H05K3/46

    Abstract: 【課題】配線基板に内蔵されるキャパシタの誘電体層が、付近の導体ビアの変形によって破壊されるのを抑える。 【解決手段】配線基板10は、樹脂層1及びキャパシタ層2を有する。キャパシタ層2は、電極層2a及び電極層2bと、それらの間に介在された誘電体層2cとを含む。配線基板10には、キャパシタ層2の電極層2a又は電極層2bと誘電体層2cとを貫通して樹脂層1の内部に達する開口部6が設けられる。開口部6の内面に導体ビア3が設けられ、更にその導体ビア3の内面に、導体ビア3よりも低い熱膨張率を有する材料4が設けられる。材料4により、導体ビア3の変形を抑え、その付近の誘電体層2cの破壊を抑える。 【選択図】図1

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