公开(公告)号：CN205958505U

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201620386846.8

申请日：2016-04-29

Applicant: 常州大学 ,  江苏大学

Inventor： 丁建宁 ,  袁宁一 ,  孙涛 ,  王书博 ,  程广贵

IPC: G01N27/12

Abstract: 本实用新型涉及一种用于可拉伸气敏元件的测试装置，用于可拉伸气敏元件的实验测试。将待测的可拉伸气敏元件一端固定在固定支架上，另一端固定在能够来回往复运动的运动支架上；首先测量测试腔体当前状态的温度和湿度，并根据设定值调整测试腔体的温度和湿度，之后系统开始通入氢气，氨气等所需要监测的气体，匀气风扇开始工作，检测运动支架尚未运动情况下的可拉伸气敏元件输出电压和测试电压，记录气敏特性曲线，延时1-5分钟之后，运动支架按照设定的程序在驱动电机带动下开始往复运动，可以根据实际需求设定往复运动的速率与振幅，同时记录气敏特性曲线。

公开(公告)号：CN206680573U

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201720227718.3

申请日：2017-03-10

Applicant: 常州大学

Inventor： 丁建宁 ,  王书博 ,  袁宁一 ,  贾旭光

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/455 ,  C23C16/40

Abstract: 本实用新型涉及一种大面积钙钛矿薄膜的制备设备，包括真空腔，真空腔内设置有用于放置衬底的衬底加热器；衬底加热器的下方真空腔内设置有第一蒸发壳和第二蒸发壳，第一蒸发壳套嵌在第二蒸发壳的上端，第一蒸发器和衬底加热器之间设置有挡板；第一蒸发壳的底部设置有第一加热器，第一蒸发壳连接有第一载气管道，第一载气管道与外部的载气气源连通；第二蒸发壳的底部设置有第二加热器，第二蒸发壳连接有第二载气管道，第二载气管道与外部的载气气源连通。本实用新型的大面积钙钛矿薄膜的设备，通过载气经由喷头将反应物种喷至衬底上，反应形成钙钛矿薄膜，大大提高了钙钛矿薄膜大面积沉积均匀性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

公开(公告)号：CN206401344U

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201621492656.0

申请日：2016-12-30

Applicant: 常州大学

Inventor： 丁建宁 ,  王书博 ,  袁宁一

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本实用新型涉及一种基于黑硅的隧穿接触太阳能电池在线式制备设备，包括依次经输送料道连通的进样室、黑硅制备腔室、介质膜制备腔室、掺杂膜制备腔室、透明电极制备腔室以及出样室；各腔室上分别设置有真空泵组；各腔室内分别设置有滚轮组，镂空载板可在各室之间的滚轮组上移动；镂空载板用以放置硅片，镂空的四角有四个小挂钩，镂空载板的材质为导电材质；各输送料道上分别设置有真空阀。可以一次性将硅片两面制备介质膜。同时，掺杂硅薄膜层也在一个腔体完成。

公开(公告)号：CN206562454U

公开(公告)日：2017-10-17

申请号：CN201720312427.4

申请日：2017-03-28

Applicant: 常州大学

Inventor： 王书博 ,  丁建宁 ,  袁宁一 ,  贾旭光

IPC: C23C16/455 ,  C23C16/30

Abstract: 本实用新型涉及一种用于制备大面积钙钛矿薄膜的脉冲CVD设备，包括沉积系统和两路原料吹送系统，沉积系统包括至少一个沉积室以及真空泵；各个沉积室的上端分别连接有第一进气管和第二进气管，第一进气管和第二进气管上分别设置有第一脉冲阀和第二脉冲阀，第一进气管与第一路原料吹送系统连接，第二进气管与第二路原料吹送系统连接；各个沉积室的下端分别连接有排气管，各个排气管分别与真空泵连接，各个排气管上设置有截止阀；各个沉积室内设置有衬底加热器，待加工衬底放置在衬底加热器上。本实用新型的大面积钙钛矿薄膜的设备，通过逐层生长的模式，大大提高了钙钛矿薄膜大面积均匀性，多腔体的构造可以实现大规模的生产。

公开(公告)号：CN206364044U

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201621461827.3

申请日：2016-12-29

Applicant: 常州大学

Inventor： 丁建宁 ,  王书博 ,  袁宁一

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本实用新型涉及一种基于黑硅的隧穿接触太阳能电池在线式制备设备，包括进样室、黑硅制备腔室、介质膜制备腔室、掺杂膜制备腔室、透明电极制备腔室以及出样室，各室外设置真空泵组，各室内设置有滚轮组，镂空载板可在各室之间的滚轮组上往复移动；各输送料道上分别设置有真空阀；介质膜制备腔室和掺杂膜制备腔室结构相同，分别包括第一壳体，第一滚轮组的上下分别设置有阳极，楼板载板做阴极；透明电极制备腔室包括第二壳体，第二滚轮组的上下分别设设置有ITO靶材做阳极，楼板载板做阴极。可以一次性将硅片两面制备介质膜。同时，掺杂硅薄膜层也在一个腔体完成。