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公开(公告)号：CN114530511A
公开(公告)日：2022-05-24
申请号：CN202210150537.0
申请日：2022-02-18
Applicant: 暨南大学
IPC: H01L31/0296 , H01L31/0445 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种碲化镉太阳电池的梯度吸收层硒源层的制备方法及太阳电池。所述硒源层包括CdTe1‑xSex或CdSe，所述制备方法为三步法：首先，沉积硒源预制层；其次，在硒源预制层表面沉积金属氯化物；再次，对沉积有金属氯化物的硒源预制层进行气氛热处理。本发明通过分步制备硒源预制层、金属氯化物涂层、和含氧环境下的热处理过程，显著改善了硒源层制备的可控性，获得了高质量的硒源层。本发明的低温沉积硒源预制层大大拓宽了制备温度工艺窗口，金属氯化物环境下的热处理过程大大提高了硒源层的结晶性，获得了大晶粒紧密排列的薄膜，含氧环境下热处理形成了适度氧化的硒源层，改善了硒源层电学性质。
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公开(公告)号：CN114242819A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111548932.6
申请日：2021-12-17
Applicant: 暨南大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/0445 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于新能源薄膜太阳电池器件领域，具体涉及一种Sb2(S1‑xSex)3薄膜太阳电池吸收层及其制备方法与应用。本发明采用硫化锑和硒化锑粉末作为双蒸发源，置于同一管式炉中，通过移动源位置以近空间升华的方式依次沉积。保持衬底位置不变和衬底温度恒定，通过组分扩散形成具有梯度带隙的Sb2(S1‑xSex)3吸收层薄膜。梯度带隙有利于光生载流子的提取和收集，具有开发高效Sb2(S1‑xSex)3太阳电池的潜力。此过程中无需通入载气，不受载气流速的影响。本发明制备工艺稳定，成本较低，可制备高质量、梯度带隙的Sb2(S1‑xSex)3吸收层薄膜，并用于制备高效的Sb2(S1‑xSex)3薄膜太阳电池。
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公开(公告)号：CN114197343A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111486469.7
申请日：2021-12-07
Applicant: 暨南大学
IPC: E01F7/06 , H02S20/30 , F16F15/067
Abstract: 本发明公开了一种光伏防眩板，属于道路设施的技术领域，包括底座和设置在底座上的防眩板，所述防眩板包括板一和板二，所述板一和板二均为光伏板，所述板一和板二相邻的端部相互铰接，所述板一相对于与板二连接的另一端与底座铰接，所述板二相对于与板一连接的另一端铰接有滑块，所述滑块与底座滑移连接，所述滑块与底座之间设有定位件。该光伏防眩板结构稳定，且可以进行角度调节，适用范围广。
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公开(公告)号：CN113745438A
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN202110821831.5
申请日：2021-07-19
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种大面积钙钛矿发光薄膜及其发光二极管，所述的大面积钙钛矿发光薄膜高度致密、光致发光效率高，该大面积钙钛矿发光薄膜的印刷制备方法，通过真空预处理能够将湿膜的溶剂挥发和钙钛矿薄膜热退火结晶两个关键步骤分开，从而实现钙钛矿发光薄膜制备过程中结晶动力学的控制，解决了传统旋涂工艺无法制备均匀的大面积钙钛矿发光层的问题。在大面积钙钛矿发光薄膜的印刷制备工艺基础上，同时制备出发光均匀、外量子效率高的大面积钙钛矿发光二极管，该制备发光二极管的工艺步骤简单，解决了目前制备工艺(如旋涂法、反溶剂萃取法)对钙钛矿发光二极管制备尺寸上的限制，得到了大面积发光强度均匀的钙钛矿发光二极管。
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公开(公告)号：CN109411554B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201811049143.6
申请日：2018-09-10
Applicant: 暨南大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明属于钙钛矿太阳电池领域，具体涉及一种阴阳离子共掺杂无机钙钛矿薄膜及其制备方法与应用。所述薄膜分子式为MX:CsPbI(3‑x)Brx，其中MX的掺杂浓度0.125～0.5％，所述无机钙钛矿型太阳电池从下至上依次包括：透明导电玻璃、空穴传输层、上述钙钛矿层、非有机电子传输层以及金属电极。本发明通过阴阳离子共掺杂所制备的无机钙钛矿薄膜不存在杂相，物相更纯，具有更优异的空气稳定性。本发明的太阳电池，具有更优异的光伏性能，不含有机层电子传输层的器件结构能够大大提升电池整体器件的热稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112201699A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202011019743.5
申请日：2020-09-25
Applicant: 暨南大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种具有背接触结构的硒化锑太阳电池及其制备方法与应用。所述硒化锑太阳电池自下而上依次包括：透明导电电极、高阻层、n型电子传输层、p型吸收层、背接触缓冲层、金属电极，其中，背接触缓冲层的材料为取向性一维Ⅵ族半导体材料。本发明通过采用取向性一维Ⅵ族半导体材料作为背接触缓冲层显著抑制了背接触面载流子复合，提高了空穴的收集效率，降低了接触电阻，进而提高硒化锑薄膜太阳电池器件性能。
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公开(公告)号：CN112003360A
公开(公告)日：2020-11-27
申请号：CN202010857299.8
申请日：2020-08-24
Applicant: 暨南大学
IPC: H02J7/35 , H02S20/32 , G05F1/67 , F24S30/425 , F24S50/20
Abstract: 本申请涉及一种多波段混合光能采集系统、采集方法及存储介质，该采集系统包括光电转换单元；储能单元，与光电转换单元连接；及电压控制单元，与光电转换单元、储能单元连接，用于调节输出电压；还包括第一光伏电池，与光电转换单元连接，适用于采集自然光，其光学带隙在第一预设范围内；及第二光伏电池，与光电转换单元连接，适用于采集人造光，其光学带隙在第二预设范围内；第二光伏电池位于第一光伏电池上方且呈透明状，第二预设范围的最大值大于第一预设范围的最大值，且第二预设范围的最小值大于第一预设范围的最小值。本申请具有可选择性地装配第一光伏电池和第二光伏电池以在复杂光照条件下提高光能利用率的效果。
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公开(公告)号：CN110828602A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911028902.5
申请日：2019-10-28
Applicant: 暨南大学
IPC: H01L31/073 , H01L31/0272 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种硒化锑薄膜太阳电池及其制备方法，该硒化锑薄膜太阳电池在生长p型硒化锑吸收层之前插入p型硒化锑种子层，并且采用单一连续热过程生长p型硒化锑种子层以及p型硒化锑吸收层，促进晶粒外延和连续性生长，实现具有择优取向的高质量硒化锑薄膜，从而有效的促进电子的抽取和运输，进而提升硒化锑太阳电池器件的能量转换效率。
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公开(公告)号：CN110318035A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910585933.4
申请日：2019-07-01
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了合金化合物薄膜的分立式多热丝沉积方法及装置，该方法包括如下步骤：将真空腔室抽成真空；由外部电源加热真空腔室内的两条或多条热丝；真空腔室内通入至少一种反应气体；反应气体与热丝表面发生反应形成金属化合物；控制热丝加热温度使金属化合物升华并沉积到位于真空腔室内的衬底基板表面，从而形成金属化合物薄膜。本发明将热丝作为加热源同时也作为原材料，实现多元金属化合物薄膜的制备。本发明制备得到的多元金属化合物薄膜可以广泛应用于太阳电池、电致变色器件、超级电容器、光电传感器、晶体管等器件中。
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公开(公告)号：CN109860393A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910053726.4
申请日：2019-01-21
Applicant: 暨南大学
Abstract: 本发明公开了一种掺杂氨基羟基喹啉类化合物的钙钛矿型太阳能电池及其制备方法，该钙钛矿太阳能电池，包括从下至上依次层叠设置的FTO层、空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层、BCP层和电极，所述钙钛矿层为经过掺杂氨基羟基喹啉类化合物的钙钛矿层，所述掺杂后的钙钛矿层材料分子式为Cs0.15(NH2CH＝NH2)0.85PbI3。该掺杂毒性低且材料价格低廉，操作方法简便，容易控制，可以有效提高钙钛矿太阳能电池的能量转换效率和受热条件下的稳定性。
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