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公开(公告)号：CN101044653A
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200680001049.2
申请日：2006-03-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M10/0587 , H01M2/1673 , H01M4/366 , H01M10/052 , H01M10/4235 , Y02T10/7011
Abstract: 一种可防止多孔耐热层开裂从而具有出色的安全性和电池特性的圆柱形锂二次电池。该圆柱形锂二次电池包括：具有底部、侧壁和顶部开口的电池壳、电极组件、非水电解液、以及覆盖用以容纳电极组件和电解液的电池壳的顶部开口的密封板。该电极组件包括条形正极和条形负极，该条形正极和条形负极与插入在其间的多孔耐热层和隔离层缠绕在一起。该多孔耐热层的厚度A与该电池壳的侧壁的厚度B之间满足关系式：0.005≤A/B≤0.1。
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公开(公告)号：CN101032044A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200680000906.7
申请日：2006-03-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M10/0525 , H01M2/1673 , H01M10/0587 , H01M10/4235 , Y02T10/7011
Abstract: 一种圆柱形锂二次电池，具有出色的抗短路性能，能够防止因坠落所造成的容量损失，并且在电池特性方面具有良好的平衡。该圆柱形锂二次电池包括：圆柱形电池罐；电极组件和非水电解液。电极组件具有位于正极和负极之间的多孔耐热层。电极组件具有一个中心空腔，其中插有一根空心轴。空心轴具有一个沿其整个长度延伸的狭缝。空心轴的外径A和狭缝的宽度B满足关系式：0.1≤B/A≤0.6。
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公开(公告)号：CN1319197C
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：CN02806437.2
申请日：2002-11-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C01G51/42 , C01G53/42 , C01P2002/52 , C01P2002/54 , C01P2006/40 , H01M4/131 , H01M4/133 , H01M4/525 , H01M10/0525 , H01M10/058
Abstract: 锂离子二次电池，它由正极、负极及非水电解质构成，上述正极含有正极活性物质和粘合剂；上述正极活性物质由化学式Lia(Co1-x-yMgxMy)bOc(M为选自Ni、Mn及Al中的至少一种，0≤a≤1.05、0.005≤x≤0.025、0≤y≤0.25、0.85≤b≤1.1、1.8≤c≤2.1)所示的含锂复合氧化物构成。
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公开(公告)号：CN1820383A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200580000627.6
申请日：2005-03-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 一种非水电解液二次电池，其包括：正极；负极；在正极和负极之间插入的分隔层；非水电解液；以及附着在选自正极和负极中的至少一个的表面上的多孔绝缘膜，该多孔绝缘膜包括无机氧化物填料和膜粘结剂，其中分隔层的实际体积与表观体积之比R不小于0.4不大于0.7，且比值R和多孔绝缘膜的孔隙率P满足关系式：－0.10≤R－P≤0.30。
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公开(公告)号：CN1767224A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200510109947.7
申请日：2001-03-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 半导体装置具有有源区域和绝缘氧化膜，有源区域由生长在衬底上的III族氮化物半导体组成，绝缘氧化膜由在有源区域周围的III族氮化物半导体氧化而成。在有源区域上形成栅电极、源电极和漏电极，栅电极与有源区域呈肖特基接触、延伸到绝缘氧化膜上，并在氧化绝缘膜上具有栅电极的引出部，源电极和漏电极是欧姆电极，设置在栅电极栅长方向的两侧并与栅电极有一定间隔。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1240137C
公开(公告)日：2006-02-01
申请号：CN02107047.4
申请日：2002-03-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/772 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/7783 , H01L29/2003
Abstract: 确实防止在利用了含有GaN的半导体的异质结构的FET中，漏极电流的减少而使FET的操作很稳定，并减小欧姆电极的接触电阻。在衬底101上，依次形成由GaN膜制成的缓冲层103及由AlGaN膜制成的电子供给层104。电子供给层104的上面被由n型InGaAlN膜制成的盖层105盖住。在盖层105中规定区域上的凹部及其上部，形成了和电子供给层104相连的栅电极106，同时在盖层105上栅电极106的两侧形成了源电极107及漏电极108。
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公开(公告)号：CN1516306A
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN02152712.1
申请日：1998-02-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/625 , H01M6/10 , H01M10/052 , H01M10/0587 , H01M2004/028 , Y02E60/122
Abstract: 提供一种二次电池，能够在循环寿命末期防止锂在负极上沉积、循环性能好并具有高安全性和可靠性。在可再充电的非水解液二次电池中，正极包含活性物质和导电材料，导电材料采用凯提恩炭黑、凯提恩炭黑和片状石墨的混合物或凯提恩炭黑和乙炔黑的混合物。
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公开(公告)号：CN1507093A
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN200310119666.0
申请日：1998-12-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M4/0483 , H01M4/0404 , H01M4/0416 , H01M4/043 , H01M4/133 , H01M4/1393 , H01M4/364 , H01M4/602 , H01M4/621 , H01M4/622 , H01M6/10 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M2004/027
Abstract: 一种非水电解液二次电池用负极，它使用一种能够吸收和放出锂的碳材料和粘合剂作为负极材料，其特征在于，上述的碳材料是石墨材料，而且，作为上述负极材料的粘合剂使用选自乙烯－丙烯酸共聚物、乙烯－丙烯酸盐共聚物、乙烯－丙烯酯甲酯共聚物、乙烯－甲基丙烯酸共聚物、乙烯－甲基丙烯酸盐共聚物、乙烯－甲基丙烯酸甲酯共聚物中的乙烯含量在70％以上至95％以下的粘合剂的至少一种。使用该负极，并通过配备能够再充电的正极和非水电解液，可以提供一种负极合剂的剥离强度大、操作性优良、在大规模生产工序中的可靠性高，而且具有优良低温放电特性和循环特性的非水电解液二次电池。
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公开(公告)号：CN1151572C
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN98802493.4
申请日：1998-12-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M4/0483 , H01M4/0404 , H01M4/0416 , H01M4/043 , H01M4/133 , H01M4/1393 , H01M4/364 , H01M4/602 , H01M4/621 , H01M4/622 , H01M6/10 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M2004/027
Abstract: 使用能够吸收、放出锂的石墨材料作为非水电解液二次电池用的负极材料的方法，该负极材料通过使用选自聚乙烯、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-丙烯-醋酸乙烯酯共聚物、聚丙烯中至少一种粘合而成。在上述粘合剂的熔点以上至分解温度以下的温度进行加热处理，或者在上述粘合剂的熔点以上至分解温度以下的温度进行加压成形。使用该负极，并通过配备能够再充电的正极和非水电解液，可以提供一种负极合剂的剥离强度大、操作性优良、在大规模生产工序中的可靠性高，而且具有优良低温放电特性和循环特性的非水电解液二次电池。
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公开(公告)号：CN1377092A
公开(公告)日：2002-10-30
申请号：CN02107047.4
申请日：2002-03-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/772 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/7783 , H01L29/2003
Abstract: 确实防止在利用了含有GaN的半导体的异质结构的FET中,漏极电流的减少而使FET的操作很稳定,并减小欧姆电极的接触电阻。在衬底101上,依次形成由GaN膜制成的缓冲层103及由AlGaN膜制成的电子供给层104。电子供给层104的上面被由n型InGaAlN膜制成的盖层105盖住。在盖层105中规定区域上的凹部及其上部,形成了和电子供给层104相连的栅电极106,同时在盖层105上栅电极106的两侧形成了源电极107及漏电极108。
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