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公开(公告)号：CN101276907B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200810008628.0
申请日：2008-02-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01M4/04
CPC classification number: H01M10/0525 , H01M4/0421 , H01M4/134 , H01M4/139 , H01M4/1395 , H01M2004/021 , H01M2004/027
Abstract: 本发明涉及电池及其负极的检查方法、制造方法、负极的检查装置及制造装置，特别涉及将硅(Si)和硅化合物等具有高容量密度的活性物质用于负极的非水电解质二次电池的性能的稳定化。在所述电池用负极的检查方法中，对集电体和活性物质层的总计厚度进行测定。另外，为推定活性物质层的组成而测定集电体和活性物质层的总计电阻率。使用了根据本发明的制造方法而制作的负极的电池作为移动通信设备、便携式电子设备等的主电源是有用的。
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公开(公告)号：CN101542008B
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN200880000483.8
申请日：2008-03-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C23C14/24
CPC classification number: C23C14/562 , C23C14/02 , C23C14/226 , H01M4/0421 , H01M4/1395 , H01M10/052
Abstract: 本发明提供一种蒸镀装置，是通过在腔室(2)内以卷轴到卷轴的方式使片状的基板(4)移动，由此在基板(4)上连续形成蒸镀膜的蒸镀装置(100)，具有：使蒸镀原料蒸发的蒸发源(9)；包括卷绕保持基板(4)的第1及第2卷轴(3、8)和对基板(4)进行引导的引导部的输送部；配置在上述能够蒸镀的区域的、形成来自蒸发源(9)的蒸镀原料不能到达的遮蔽区域的遮蔽部，并且，蒸镀区域(60a～60d)包括按照使基板(4)的被蒸镀原料照射的面成为平面的方式输送基板(4)的平面输送区域，在除了遮蔽区域之外的能够蒸镀的区域中，按照使蒸镀材料不从基板(4)的法线方向入射到基板(4)的方式相对于蒸发源(9)配置输送部。
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公开(公告)号：CN101981729A
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN200980110564.8
申请日：2009-03-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M10/0525 , H01M4/139 , H01M4/483 , Y02T10/7011
Abstract: 一种锂离子二次电池用电极的制造方法，包括：(A)准备在表面具有多个凸部(12)的集电体(11)的工序；(B)通过使蒸发了的原料从相对于集电体(11)的表面的法线倾斜的方向(E)入射，在多个凸部(12)上形成对应的多个柱状体(14)的工序；和(C)通过使多个柱状体(14)氧化，形成含有原料的氧化物的多个活性物质体(18)的工序。
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公开(公告)号：CN101252181B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810081427.3
申请日：2008-02-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C23C14/562 , C23C14/226 , C23C14/228 , C23C14/243 , H01M4/0421 , H01M4/139 , H01M4/1391
Abstract: 本发明提供一种能够嵌入和脱嵌锂离子的电化学元件用电极的制造方法，其包括补充电化学元件用电极的不可逆容量的锂化处理方法。在锂化处理方法中，限制锂蒸气的移动路线，使锂蒸气流过，从而在电极上附着锂。
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公开(公告)号：CN101233629B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200680028388.X
申请日：2006-07-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M4/134 , H01M4/0423 , H01M4/0426 , H01M4/1395 , H01M4/38 , H01M2004/021 , Y02E60/122 , Y02P70/54 , Y10T29/49115
Abstract: 一种锂二次电池用负极，其具备集电体和担载于集电体上的活性物质层，活性物质层含有多数的柱状粒子，柱状粒子含有硅元素，柱状粒子相对于集电体的法线方向倾斜，活性物质层的空隙率P为10％≤P≤70％。柱状粒子与集电体的法线方向构成的角θ优选为10°≤θ≤80°。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100559647C
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200710185136.4
申请日：2007-10-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M4/661 , H01M4/665 , H01M4/70 , H01M10/0431 , H01M10/0525 , H01M10/0587 , H01M2010/0495
Abstract: 本发明提供一种非水电解质二次电池及其制造方法。在非水电解质二次电池的制造方法中，使用在相当于电极体的最外周的部分上具有集电体露出部的负极，通过在该集电体露出部上析出或沉积金属锂，使该金属锂和集电体露出部的其它部分接合、或者使金属锂彼此之间接合，由此固定负极的两个部位。
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公开(公告)号：CN101361209A
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200780001704.9
申请日：2007-02-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M4/134 , H01M4/04 , H01M4/366 , H01M4/485 , H01M10/058
Abstract: 本发明的非水电解质二次电池用电极(6)具有集电体(3)、在集电体(3)上形成的第1活性物质层(2)、位于第1活性物质层(2)上并含有多个活性物质粒子(4)的第2活性物质层(5)，多个活性物质粒子(4)以由SiOx(0≤x＜1.2＝表示的化学组成为主体，第1活性物质层(2)以由SiOy(1.0≤y＜2.0、y＞x)表示的化学组成为主体，第1活性物质层(2)与多个活性物质粒子(4)接触的面积小于集电体(3)与第1活性物质层(2)接触的面积。
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公开(公告)号：CN101346837A
公开(公告)日：2009-01-14
申请号：CN200780000903.8
申请日：2007-09-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M4/1395 , H01M4/366 , H01M4/382 , H01M10/052
Abstract: 一种负极的制造方法，其包括：在集电体的表面上形成能够电化学地嵌入、脱嵌锂离子的多个柱状的活性物质块的第1步骤；和使粒子状的锂介入所述活性物质块之间的空隙中的第2步骤。
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公开(公告)号：CN101276905A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810008620.4
申请日：2008-02-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01M4/04
CPC classification number: H01M4/04 , H01M4/485 , H01M4/58 , H01M4/583 , H01M4/661 , H01M10/05 , H01M2004/027
Abstract: 本发明涉及电池及其负极的制造方法、负极的制造装置，特别涉及将硅(Si)和硅化合物等具有高容量密度的活性物质用于负极的非水电解质二次电池的性能的稳定化。在所述电池用负极的制造方法中，在集电体上形成含有金属元素M、和选自氧、氮、碳之中的至少任一种的元素A的活性物质层。向该活性物质层照射X射线，对由活性物质层产生的荧光X射线中元素A的Kα线的强度和金属元素M的Kα线的强度中的至少一个进行测定。使用了根据本发明的制造方法而制作的负极的电池作为移动通信设备、便携式电子设备等的主电源是有用的。
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公开(公告)号：CN101276904A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200810008619.1
申请日：2008-02-01
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01M4/04
CPC classification number: C23C14/0021 , C23C14/10 , C23C14/547 , C23C14/562 , H01M4/0421 , H01M4/139 , H01M4/1397 , H01M4/485 , H01M4/58 , H01M4/70 , H01M10/0404 , H01M10/4285 , H01M2004/021
Abstract: 本发明涉及电池及其负极的制造方法、负极的制造装置，特别涉及将硅(Si)和硅化合物等具有高容量密度的活性物质用于负极的非水电解质二次电池的性能的稳定化。在所述电池用负极的制造方法中，在输送的集电体表面和比集电体更快地被输送的测量用集电体的表面分别形成由具有红外特性吸收的材料构成的活性物质层和测量用活性物质层；然后将红外线照射在测量用活性物质层上，至少为推定所述测量用活性物质层的组成而对反射的红外线的波数进行测定。使用了根据本发明的制造方法而制作的负极的电池作为移动通信设备、便携式电子设备等的主电源是有用的。
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