公开(公告)号：TWI378161B

公开(公告)日：2012-12-01

申请号：TW094110876

申请日：2005-04-06

Applicant: 住友電氣工業股份有限公司 ,  森勇介

Inventor： 佐佐木孝友 ,  森勇介 ,  吉村政志 ,  川村史朗 ,  弘田龍 ,  中田成二

IPC: C30B ,  H01L

CPC classification number: C30B9/08 ,  C30B9/00 ,  C30B11/00 ,  C30B11/06 ,  C30B29/403

Abstract: 本發明之III族氮化物結晶基板之製造方法，其特徵在於：包含於反應容器(51)內導入含鹼金屬元素物(1)、含III族元素物(2)與含氮元素物(3)之步驟；於反應容器(51)內形成至少含有鹼金屬元素、III族元素以及氮元素之熔融液(5)之步驟；及自熔融液(5)使III族氮化物結晶(6)生長之步驟；於反應容器(51)內至少導入含鹼金屬元素物(1)之步驟中，於將水分濃度控制為1.0 ppm以下之乾燥容器(100)內處理含鹼金屬元素物(1)。藉此，可提供一種光吸收係數較小之III族氮化物結晶基板及其製造方法及III族氮化物半導體裝置。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之III族氮化物结晶基板之制造方法，其特征在于：包含于反应容器(51)内导入含碱金属元素物(1)、含III族元素物(2)与含氮元素物(3)之步骤；于反应容器(51)内形成至少含有碱金属元素、III族元素以及氮元素之熔融液(5)之步骤；及自熔融液(5)使III族氮化物结晶(6)生长之步骤；于反应容器(51)内至少导入含碱金属元素物(1)之步骤中，于将水分浓度控制为1.0 ppm以下之干燥容器(100)内处理含碱金属元素物(1)。借此，可提供一种光吸收系数较小之III族氮化物结晶基板及其制造方法及III族氮化物半导体设备。