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    ルツボ測定装置
    63.
    发明专利
    ルツボ測定装置 有权
    可测量测量装置

    公开(公告)号：JP2016064931A

    公开(公告)日：2016-04-28

    申请号：JP2014193113

    申请日：2014-09-22

    Applicant: 株式会社SUMCO

    Inventor： 須藤 俊明 ,  佐藤 忠広 ,  北原 賢 ,  飛田 修司 ,  北原 江梨子

    IPC: C30B29/06 ,  G01N21/47 ,  C03B20/00

    Abstract: 【課題】非破壊でシリカガラスルツボの厚み方向の層の構造を測定する方法及び測定装置を提供する。 【解決手段】測定の対象となるシリカガラスルツボ1にレーザー光を出射する光出射部2と、光出射部2によりシリカガラスルツボ1内に入射されたレーザー光の散乱の状態を示す散乱状況を測定する散乱状況測定部と、を有している。そして、散乱状況測定部は、シリカガラスルツボ1の厚み方向の各位置の散乱状況を測定するよう構成されているシリカガラスルツボ1の厚み方向の層の構造を測定する装置。 【選択図】図2

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种在厚度方向上非破坏性地测量石英玻璃坩埚层的结构的方法和测量装置。解决方案：测量二氧化硅玻璃坩埚层的结构的测量装置 厚度方向的厚度方向1包括向作为测定对象的石英玻璃坩埚1发射激光的发光部2，以及测定表示来自该光源的激光的散射状态的散射环境的散射环境测定部 发光部分2进入石英玻璃坩埚1.散射环境测量部分被配置为测量石英玻璃坩埚1的厚度方向上的每个位置处的散射情况。选择的图：图2

    シリカガラスルツボの赤外吸収スペクトルの三次元分布の決定方法、シリコン単結晶の製造方法
    65.
    发明专利
    シリカガラスルツボの赤外吸収スペクトルの三次元分布の決定方法、シリコン単結晶の製造方法 有权
    用于确定二氧化硅玻璃可溶性红外吸收光谱三维分布的方法和用于生产硅单晶的方法

    公开(公告)号：JP2015180881A

    公开(公告)日：2015-10-15

    申请号：JP2015097793

    申请日：2015-05-13

    Applicant: 株式会社SUMCO

    Inventor： 須藤 俊明 ,  佐藤 忠広 ,  北原 賢 ,  小玉 真喜子

    IPC: G01N21/3563 ,  C30B29/06 ,  G01B11/24

    Abstract: 【課題】シリカガラスルツボの赤外吸収スペクトルの三次元分布を高精度に決定する方法を提供する。 【解決手段】内表面側に透明シリカガラス層13を有し、透明シリカガラス層よりも外表面側に気泡含有シリカガラス層15を有するシリカガラスルツボ11の内表面に沿って非接触で内部測距部17を移動させ、移動経路上の複数の測定点において、内部測距部からシリカガラスルツボの内表面に対して斜め方向にレーザー光を照射し、レーザー光の反射光をレーザー変位計で測定して2つのピークが観測されるように内部測距部と内表面との距離やレーザー光の出射方向を変化させて、2つのピークのうちの内表面側のピークの位置によって内部測距部と内表面との間の内表面距離を測定し、各測定点の三次元座標と、内表面距離を関連付けることによって、シリカガラスルツボの内表面の三次元形状を求め、赤外吸収スペクトルの三次元分布を決定する工程を備える。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种高精度地确定石英玻璃坩埚的红外吸收光谱的三维分布的方法。解决方案：一种用于确定石英玻璃坩埚的红外吸收光谱的三维分布的方法 包括以下步骤：使内部距离测量单元17沿着内表面侧具有透明石英玻璃层13的石英玻璃坩埚11的内表面和外表面侧的含气泡石英玻璃层15非接触地移动 透明石英玻璃层外面; 在内部距离测量单元的移动路线上的多个测量点处，用激光束沿着倾斜方向照射石英玻璃坩埚的内表面，改变内部距离测量单元和内表面之间的距离以及发射 激光束的方向，通过用激光位移计测量激光束的反射光可以观察到两个峰值，并且测量内部距离测量单元与峰值位置处的内表面之间的内表面距离 在两个峰的内表面侧; 并且通过将每个测量点的三维坐标与内表面距离相关联，并且确定红外吸收光谱的三维分布来获得石英玻璃坩埚的内表面的三维形状。

    シリコン単結晶の製造方法
    68.
    发明专利
    シリコン単結晶の製造方法 有权
    制造硅单晶的方法

    公开(公告)号：JP2015131765A

    公开(公告)日：2015-07-23

    申请号：JP2015089367

    申请日：2015-04-24

    Applicant: 株式会社SUMCO

    Inventor： 須藤 俊明 ,  佐藤 忠広 ,  北原 賢 ,  鈴木 江梨子

    IPC: C30B15/20 ,  C30B29/06

    Abstract: 【課題】シリカガラスルツボのコーナー部においてもシリコン単結晶の引き上げを適切に行うことを可能にするシリコン単結晶の製造方法を提供する。 【解決手段】シリコン融液の液面がコーナー部に到達した後のシリコン単結晶の引き上げ条件が、シリカガラスルツボの内表面の三次元形状に基づいて決定される。内表面の表面粗さの三次元分布は、シリカガラスルツボの内表面に沿って非接触で内部測距部を移動させ、移動経路上の複数の測定点において、内部測距部からシリカガラスルツボの内表面に対して斜め方向にレーザー光を照射し、レーザー光の反射光をレーザー変位計で測定して2つのピークが観測されるように内部測距部と内表面との距離やレーザー光の出射方向を変化させて、2つのピークのうちの内表面側のピークの位置によって、内部測距部と内表面の間の内表面距離を測定し、各測定点の三次元座標と、内表面距離を関連付けることによって求められる。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种制造硅单晶的方法，其中即使在石英玻璃坩埚的拐角处也可以适当地提升硅单晶。解决方案：硅单晶的升高条件在 基于石英玻璃坩埚的内表面的三维形状确定硅熔体到达角部。 内表面的表面粗糙度的三维分布通过以下方式来发现：沿着不接触的石英玻璃坩埚的内表面移动内部距离测量部分; 利用来自内部测距部的激光将运动路径上的多个测量点倾斜地照射到石英玻璃坩埚的内表面; 测量激光的反射光并改变内部距离测量部分和内表面之间的距离以及激光的发射方向，使得观察到两个峰值; 测量在两个峰之间的内表面侧上的峰的位置处的内部距离测量部分和内表面之间的内表面距离; 并将各测量点的三维坐标与内表面距离相关联。

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