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公开(公告)号：CN103522626B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201310477713.2
申请日：2013-10-14
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种吸收带宽动态连续可调的太赫兹吸波体。该吸波体的每个吸波体单元，均主要由硅基底、氮化硅层、电极层和多晶硅图案层组成，氮化硅层的上、下表面分别与电极层的下表面和硅基底的上表面相贴，在电极层上设有若干个供锚点通过的孔，多晶硅图案层通过锚点固定于氮化硅层上，所述的硅基底、氮化硅层、电极层和多晶硅图案层的中心轴线重合；多晶硅图案层包括位于同一水平面上的方形支撑块、内方形支撑环和外方形支撑环，位于内方形支撑环和外方形支撑环之间的4根“L”型弹片，以及分别设置在方形支撑块和内方形支撑环的表面上的内方形金属环和外方形金属环。本发明所述吸波体能够对太赫兹波的吸收带宽进行动态、连续调节。
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公开(公告)号：CN103926257A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201410170968.9
申请日：2014-04-25
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/958 , G01N21/55 , G01N21/59
Abstract: 本发明为一种基于太赫兹时域光谱仪的镜片缺陷的检测方法，利用太赫兹时域光谱仪对镜片进行逐行扫描，获得镜片每个扫描点的反射系数S11和透射系数S21，由此计算得到各个扫描点的吸收率，分析各点吸收率，吸收率与正常不同的点为镜片缺陷点，所测镜片最大曲率为0.011/mm，镜片厚度为2～6mm。具体步骤为被测弯月透镜镜片的弧面与反射背景板相切，且镜片中轴线与反射背景板垂直；平镜镜片与反射背景板紧贴；太赫兹时域光谱仪对镜片逐行扫描，纵向步进和横向步进均为1～1.4mm。比较各点吸收率，与正常吸收率的差值大于设定值δ的扫描点，判断为缺陷点，本发明能够准确地检测镜片的微小的缺陷并且定位，检出率高，检测快捷，不受检测人员经验和状态的影响。
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公开(公告)号：CN103522626A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310477713.2
申请日：2013-10-14
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种吸收带宽动态连续可调的太赫兹吸波体。该吸波体的每个吸波体单元，均主要由硅基底、氮化硅层、电极层和多晶硅图案层组成，氮化硅层的上、下表面分别与电极层的下表面和硅基底的上表面相贴，在电极层上设有若干个供锚点通过的孔，多晶硅图案层通过锚点固定于氮化硅层上，所述的硅基底、氮化硅层、电极层和多晶硅图案层的中心轴线重合；多晶硅图案层包括位于同一水平面上的方形支撑块、内方形支撑环和外方形支撑环，位于内方形支撑环和外方形支撑环之间的4根“L”型弹片，以及分别设置在方形支撑块和内方形支撑环的表面上的内方形金属环和外方形金属环。本发明所述吸波体能够对太赫兹波的吸收带宽进行动态、连续调节。
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公开(公告)号：CN102620824A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210110776.X
申请日：2012-04-16
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01J3/02
Abstract: 本发明公开一种太赫兹频段可调多带吸波体，包括至少4个呈矩阵排列的吸波体单元，其中每个吸波体单元均主要由含硅基体、金属层、介质体、金属十字叉和空心田字框组成。金属层的上下表面分别与介质体的下表面和含硅基体的上表面相贴。空心田字框水平贴附于介质体的上表面，金属十字叉则水平嵌设在介质体的中部，空心田字框所处平面与金属十字叉所处平面相平行。金属十字叉的几何中心与空心田字框的几何中心重合，而且构成金属十字叉的2条金属条的中心轴线与构成空心田字框的内部4条金属叉齿的中心轴线重合。本发明能够有效提高吸收峰数量，并可对各个吸收峰位置的精确调控。
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公开(公告)号：CN208369592U
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201820277628.X
申请日：2018-02-27
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H04B10/90 , H04B10/516
Abstract: 本实用新型为一种基于等离子器件的透射型太赫兹波编码器及编码系统，本编码器包括硅衬底和其顶面N×N个正方形单元结构成的二维阵列。每个单元结构包括一个与之中心重合的金属结构，即“U”形结构和其右侧与其竖直部分平行的“l”形结构，二者横向中分线重合。本编码系统太赫兹源和接收器之间为本实用新型的太赫兹波编码器，编码器置于可围绕Y或Z轴旋转的样品架。太赫兹波沿X轴偏振并沿Z轴传播。编码器二维阵列面向太赫兹源。编码器与太赫兹波光轴或偏振方向的相对角度改变时，编码器中表面等离子激元的共振特性改变，独立控制双频段的透射率，实现双频段太赫兹波的二进制编码。本编码器结构单一，易制造；本系统操作方便，实用性强。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN206441845U
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201621332194.6
申请日：2016-12-07
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01P1/203
Abstract: 本实用新型为一种双带动态可调的太赫兹带通滤波器，有多个相连的阵列单元的二维阵列位于硅基底的通孔上，每个阵列单元包括两个开口环谐振器和一个一字形结构，均为顶面金属层的硅主体，高度相同。开口环谐振器为矩形环，其一边有开口，两个环谐振器的开口宽度不同，一字形结构位于两个开口环谐振器有开口的边之间，并与之平行。可动框架套在二维阵列外围，一字形结构与可动框架相连。两组静电梳齿驱动器的活动梳齿与可动框架相连接，带动可动框架与一字形结构移动。一字形结构和两个开口环谐振器之间的间距改变，即动态调节本带通滤波器两个通带中心频率对应的透射功率，实现双单带的转变，提高频率选择能力和扩大应用范围。
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公开(公告)号：CN202631109U
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201220160081.8
申请日：2012-04-16
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01J3/02
Abstract: 本实用新型公开一种太赫兹频段可调多带吸波体，包括至少4个呈矩阵排列的吸波体单元，其中每个吸波体单元均主要由含硅基体、金属层、介质体、金属十字叉和空心田字框组成。金属层的上下表面分别与介质体的下表面和含硅基体的上表面相贴。空心田字框水平贴附于介质体的上表面，金属十字叉则水平嵌设在介质体的中部，空心田字框所处平面与金属十字叉所处平面相平行。金属十字叉的几何中心与空心田字框的几何中心重合，而且构成金属十字叉的2条金属条的中心轴线与构成空心田字框的内部4条金属叉齿的中心轴线重合。本实用新型能够有效提高吸收峰数量，并可对各个吸收峰位置的精确调控。
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公开(公告)号：CN212410440U
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202021643275.4
申请日：2020-08-10
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/3586 , B81B7/04 , B81C1/00
Abstract: 本实用新型公开了一种超材料太赫兹生物传感器。所述的超材料太赫兹生物传感器，包括基底层和介质层，在基底层上设有金属反射层，在介质层上设有金属微结构层，所述金属反射层和金属微结构层之间形成有供被测液体流通的微流通道，基底层上开设有微流通道的进液口和出液口，所述金属微结构层为附着在介质层上的周期性结构单元，所述金属微结构层由正方形金属环和置于其中且与其同心的双“H”形交叉金属结构组成，其中双“H”形交叉金属结构由两个结构完全相同的“H”形金属环垂直交叉组成。本实用新型所述传感器具有极高吸收峰，以及较高灵敏度和偏振不敏感特性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN211208632U
公开(公告)日：2020-08-07
申请号：CN202020111884.9
申请日：2020-01-16
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本实用新型为一种电控转换的太赫兹带通/带阻滤波器，包括高阻硅基底、位于高阻硅基底之上的绝缘层表面固定二维阵列。每个阵列单元包括一个冂形金属结构、2个T形金属结构、2个I形金属结构及1条引线。内相变垫片处于单元内的二I形结构相对端的下方，间相变垫片处于行间相对的T形结构横条下方。二维阵列两侧各固定一电极，分别连接直流电源的正负极，不通电时，相变垫片低电导，本滤波器工作于带阻滤波状态；通电加热时，相变垫片高电导，本滤波器工作于带通滤波状态。本新型电控实现太赫兹滤波器的带通滤波/带阻滤波状态的转换，无需繁琐的更换不同功能太赫兹滤波器，适用于不同场合，操作简单，本太赫兹滤波器的应用范围显著地被拓展。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN210137332U
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201921080132.4
申请日：2019-07-11
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H04B10/90 , H04B10/516 , H04B10/50
Abstract: 本实用新型提出一种透射型太赫兹波2bit编码器件，包括：衬底；设置于衬底上且由周期性排列的多个结构单元组成的二维阵列；每个结构单元包括金属层；金属层上设置有镂空的第一方形槽、第二方形槽、第一环形槽和第二环形槽；第一方形槽、第二方形槽、第一环形槽和第二环形槽的中心依次连接形成一正四边形；在第一方形槽和第二方形槽均具有第一半导体块和第一缺口，第一环形槽和第二环形槽具有第二半导体块和第二缺口。本实用新型提出了适用于太赫兹通信领域的编码器件，很好的满足了太赫兹通信所需的要求，因为脉冲激光激发的载流子寿命极短，仅有数十个皮秒，使得编码的速度理论上限可达皮秒量级，目前方案的速度受限于高速数字微镜的编码速率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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