三维集成电路的实现方法
    61.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100483662C

    公开(公告)日:2009-04-29

    申请号:CN200710118827.2

    申请日:2007-06-12

    Applicant: 清华大学

    CPC classification number: H01L2224/16145

    Abstract: 本发明公开了一种三维集成电路的实现方法,属于半导体制造技术和三维集成技术领域。所述方法包括:在第一层电路圆片的键合面或辅助圆片的键合面淀积电镀种子层;使用所述辅助圆片作为支撑对第一层电路圆片的背面进行减薄并刻蚀穿透圆片的通孔,使电镀种子层通过通孔暴露出来;使用自底向上的电镀技术,将所述电镀种子层作为起点,电镀填充通孔,并在填充的通孔上制作凸点;采用凸点键合的方式将所述第一层电路圆片与第二层电路圆片进行连接。本发明通过沉积电镀种子层,采用自底向上的电镀方式实现高深宽比的垂直互连通孔内的填充,降低了工艺难度,不仅可以实现硅衬底的三维集成,还可以扩展到其他半导体衬底的三维集成,具有很好的通用性。

    一种基于绝缘体上硅片的应力传感器芯片

    公开(公告)号:CN100440543C

    公开(公告)日:2008-12-03

    申请号:CN200510117116.4

    申请日:2005-11-01

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明公开了属于高温力学测量以及集成电路制造、封装和测量技术领域的一种基于绝缘体上硅片的应力传感器芯片。在硅衬底上制作二氧化硅绝缘层,并在二氧化硅绝缘层上制作应力敏感元件层。其优点是传感器芯片可以测量全部6个方向的应力,同时,SOI衬底制造的应力传感器不使用反向偏置的pn结作为绝缘,即在高温下仍能保持绝缘性,保证了传感器芯片工作的可靠性,传感器芯片能够工作在600度的高温环境。同时,这种用两种不同晶向的单晶硅组成的SOI制造的应力传感器芯片,在取代被测集成电路管芯对其进行应力测量时,能够再现实际集成电路芯片的应力情况,并准确测量芯片所受到的全部六个应力分量。

    无转移圆片的三维集成电路实现方法

    公开(公告)号:CN101179038A

    公开(公告)日:2008-05-14

    申请号:CN200710179533.0

    申请日:2007-12-14

    Applicant: 清华大学

    CPC classification number: H01L2224/16145

    Abstract: 本发明公开了属于半导体和微传感器制造技术领域的一种三维集成电路实现方法。该方法利用刻蚀技术对衬底圆片局部进行减薄,并在局部减薄区刻蚀高深宽比通孔,由于只是局部减薄,衬底圆片强度得以保证,从而不需要转移圆片;另外采用自底向上的电镀方法填充高深宽比盲孔,最后键合后减薄圆片实现高深宽比的穿透衬底的三维互连,获得三维集成电路。本方法在局部减薄区刻蚀通孔,容易获得高密度的通孔互连;不使用转移圆片,简化了制造过程。本方法可以应用于三维集成电路领域和微型传感器集成领域,不仅可以实现硅衬底的三维集成,还可以扩展到其他半导体衬底的三维集成。

    纳米结构微机械生化传感器

    公开(公告)号:CN1793916A

    公开(公告)日:2006-06-28

    申请号:CN200510130477.2

    申请日:2005-12-13

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明公开了属于微加工技术及微型检测器件范围的一种纳米结构微机械生化传感器。该微机械生化传感器是在SOI硅片下层硅上的SOI硅基体制作微悬臂梁结构,在微悬臂梁结构上覆盖二氧化硅绝缘层,其上层为单晶硅制备的加热电阻,纳米材料覆盖在加热电阻上,纳米材料加热装置通过引线和加热电阻连接;包括激光发生器和位置敏感探测器的传感器输出信号检测装置固定在微悬臂梁结构上方。本发明采用微加工制备微机械结构和检测传感器,绝缘绝热性能好,制作工艺简单,具有较高的检测灵敏度;纳米材料作为吸附爆炸物气体的材料,具有吸附性能好、选择性强的突出优点,有助于提高对爆炸物气体检测的灵敏度、缩短测量时间和提高测量准确性。

    一种基于绝缘体上硅片的应力传感器芯片

    公开(公告)号:CN1755946A

    公开(公告)日:2006-04-05

    申请号:CN200510117116.4

    申请日:2005-11-01

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明公开了属于高温力学测量以及集成电路制造、封装和测量技术领域的一种基于绝缘体上硅片的应力传感器芯片。在硅衬底上制作二氧化硅绝缘层,并在二氧化硅绝缘层上制作应力敏感元件层。其优点是传感器芯片可以测量全部6个方向的应力,同时,SOI衬底制造的应力传感器不使用反向偏置的pn结作为绝缘,即在高温下仍能保持绝缘性,保证了传感器芯片工作的可靠性,传感器芯片能够工作在600度的高温环境。同时,这种用两种不同晶向的单晶硅组成的SOI制造的应力传感器芯片,在取代被测集成电路管芯对其进行应力测量时,能够再现实际集成电路芯片的应力情况,并准确测量芯片所受到的全部六个应力分量。

    长骨旋转截骨手术角度测量系统

    公开(公告)号:CN211022931U

    公开(公告)日:2020-07-17

    申请号:CN201921052555.5

    申请日:2019-07-05

    Abstract: 本实用新型一种长骨旋转截骨手术角度测量系统,结构简单,设计合理,使用方便,能够实时对所需角度进行测量。其包括两个相对独立的且组成完全相同的测量模块;测量模块包括壳体、长骨固定器和测量电路;壳体上定位设置测量电路,并且固定连接可拆卸的长骨固定器;测量电路包括传感器、处理器和显示单元;传感器的输出端连接处理器的输入端,处理器的输出端连接显示单元;传感器包括一个用于测量壳体与地磁方向夹角的地磁传感器,两个加速度传感器或者一个倾角传感器,以及一个陀螺仪传感器;处理器用于采集传感器测量实时测量数据,并输出实时测量数据与初始测量数据的差值;显示单元用于实时显示测量数据差值。

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