公开(公告)号：KR3007220070000S

公开(公告)日：2013-12-26

申请号：KR3020130045471

申请日：2013-09-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Designer： 윤소영 ,  윤지윤 ,  김재정 ,  서선영

公开(公告)号：KR3007186080000S

公开(公告)日：2013-12-02

申请号：KR3020130045483

申请日：2013-09-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Designer： 윤소영 ,  김재정 ,  윤지윤

公开(公告)号：KR3007186050000S

公开(公告)日：2013-12-02

申请号：KR3020130045480

申请日：2013-09-03

Applicant: 삼성전자주식회사

Designer： 김재정 ,  윤소영 ,  윤지윤

公开(公告)号：KR100182163B1

公开(公告)日：1999-04-15

申请号：KR1019960014957

申请日：1996-05-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김재정

IPC: H01L21/60

Abstract: 본 발명은 반도체의 범프 형성시 스크라이브 라인 상에 형성된 TEG(Test Ele ments Group)용 알루미늄 막질을 제거하는 방법에 관한 것으로서, 칩 형성 영역에는 메탈 패드, 스크라이브 라인 내에는 TEG용 메탈이 형성된 반도체 기판 상에 상기 TEG용 메탈은 마스킹되지 않고 메탈 패드는 엣지부만이 마스킹되도록 패시베이션막이 형성된 결과물의 상부 전면에 베리어 메탈을 증착하는 1단계; 상기 베리어 메탈 상부에 범프 형성을 위한 포토레지스트 패턴을 형성하는 2단계; 상기 포토레지스트 패턴의 개구부를 통하여 상기 메탈패드 상에 범프를 형성하는 3단계; 및 상기 포토레지스트 패턴 및 그 하부에 형성되어 있는 베리어 메탈과 스크라이브 라인 상의 TEG용 메탈을 제거하는 4단계에 의해 반도체 장치의 범프를 형성함으로써 소잉 공정 후 스크라이브 라인 상의 메탈 잔존에 의한 칩내의 전극(범프 또는 리드)간의 쇼트로 인한 반도체 장치의 오동작 가능성이 현저하게 줄일 수 있다.