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公开(公告)号：KR1020030028045A
公开(公告)日：2003-04-08
申请号：KR1020010059956
申请日：2001-09-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/105
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L27/11507
Abstract: PURPOSE: An FRAM(Ferroelectric Random Access Memory) device and a forming method thereof are provided to restrain an increase of boundary resistance between a contact plug and a bottom electrode by preventing the generation of a void or a seam. CONSTITUTION: An interlayer dielectric(21) is formed on a substrate(10). A contact hole is formed on the interlayer dielectric layer(21). A polysilicon layer is stacked on the substrate including the contact hole by using a CVD method. A contact plug(25) is formed at the contact hole by performing an etch process for the polysilicon layer in order to expose the interlayer dielectric(21). An auxiliary polysilicon layer is stacked on the contact plug and the interlayer dielectric(21). A metal silicide layer is formed on the auxiliary polysilicon layer. A bottom electrode layer is formed on the metal silicide layer. A ferroelectric layer and an upper electrode layer are formed on the lower electrode layer. A capacitor is formed by etching the upper electrode layer, the ferroelectric layer, and the bottom electrode layer. The capacitor is formed with a lower electrode(331), a ferroelectric layer pattern(351), and an upper electrode(371).
Abstract translation: 目的：提供一种FRAM（铁电随机存取存储器）及其形成方法，以通过防止产生空隙或接缝来抑制接触插塞和底部电极之间的边界电阻的增加。 构成：在基板（10）上形成层间电介质（21）。 在层间电介质层（21）上形成接触孔。 使用CVD法将多晶硅层堆叠在包括接触孔的基板上。 通过对多晶硅层进行蚀刻工艺以在露出层间电介质（21）的过程中在接触孔处形成接触插塞（25）。 辅助多晶硅层堆叠在接触插塞和层间电介质（21）上。 在辅助多晶硅层上形成金属硅化物层。 在金属硅化物层上形成底部电极层。 铁电层和上电极层形成在下电极层上。 通过蚀刻上电极层，铁电体层和底电极层形成电容器。 电容器形成有下电极（331），铁电层图案（351）和上电极（371）。
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公开(公告)号：KR100366622B1
公开(公告)日：2003-01-09
申请号：KR1020000037397
申请日：2000-06-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
CPC classification number: H01L21/76897 , H01L21/76801
Abstract: A method for forming a conductive contact of a semiconductor device is provided. According to one aspect of the present invention, a dummy dielectric layer pattern having a dummy opening and an interdielectric layer pattern having a lower etch-rate than that of the dummy dielectric layer, for filling the dummy opening are formed on a semiconductor substrate. The dummy dielectric layer pattern using the interdielectric layer pattern as an etching mask is selectively removed, and a contact opening for exposing the semiconductor substrate of a portion in which the dummy dielectric layer pattern is located.
Abstract translation: 提供了一种用于形成半导体器件的导电触点的方法。 根据本发明的一个方面，在半导体衬底上形成伪介电层图案，该伪介电层图案具有伪开口和具有比伪介电层更低的蚀刻速率的用于填充伪开口的中间介电层图案。 选择性地去除使用中间层图案作为蚀刻掩模的伪介电层图案，以及用于暴露伪介电层图案所在的部分的半导体衬底的接触开口。
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公开(公告)号：KR100299034B1
公开(公告)日：2001-11-01
申请号：KR1019990027029
申请日：1999-07-06
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김형준
IPC: H04L12/28
Abstract: 본발명은교환기에서 ISUP(ISDN user part) 회선그룹리셋메시지를처리하는방법에관한것으로, 특정중계선에대한사용상태가다른어떤대국교환기와연동을해도정상적으로초기화할수 있도록한다. 이를위해본 발명은각 링크의특정중계선에대해대국교환기의사용여부에대응되게자국교환기의 CIC 할당상태를맞춰놓는다. 이러한상태에서시스템초기화시에각 링크의특정중계선에대한 CIC 할당여부를검사하여 CIC가할당되어있는경우에는해당링크에대해 GRS 메시지의레인지를링크단위로셋팅하여대국교환기로 1회전송하고, CIC가할당되어있지않은경우에는 GRS 메시지의레인지를특정중계선을제외하고링크단위를분할셋팅하여대국교환기로분할된횟수만큼전송한다. 이후 GRA 메시지가전송횟수만큼수신되면해당링크를정상상태로셋팅한다. 이에따라특정중계선에대한사용상태가다른어떤대국교환기와연동을해도초기화에문제가없게된다.
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公开(公告)号：KR2020000020705U
公开(公告)日：2000-12-05
申请号：KR2019990008070
申请日：1999-05-12
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김형준
IPC: G06F1/16
Abstract: 서류폴더가부착된노트북컴퓨터가개시된다. 노트북컴퓨터는본체, 본체에힌지가능하게장착되며, 그상단부전면에걸림돌기가돌출형성되는프론트케이스, 프론트케이스의후면에일체로장착되는리어케이스, 프론트및 리어케이스의사이에장착되는엘씨디패널패널, 그리고리어케이스에부착되어개폐가능하며, 그내부에서류를보관할수 있는서류폴더를구비한다.
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR100268222B1
公开(公告)日：2000-10-16
申请号：KR1019980034256
申请日：1998-08-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04L12/28
Abstract: 본 발명은 교환기의 호 분리 루팅 방법에 관한 것으로, 가입자와 중계선 타입별로 분리하여 루팅할 수 있는 방법을 제공함에 있다. 상기한 목적을 달성하기 위해서 소정의 호 요구에 대한 국번 번역을 수행하고 상기 번역된 국번에 대한 루트시퀀스를 선정하는 국번 번역부와, 다수의 일반 유선가입자용 루트정보와 다수의 종합정보통신 가입자용 루트정보를 가지는 루트시퀀스를 가지고 상기 다수의 루트 정보 중 적절한 루트를 선택하는 루트 선택부를 구비하는 번호번역프로세서와, 상기 루트 선택부에서 선정된 루트에 대한 중계선 점유 요구를 받아 해당 중계선을 점유하여 호를 설정하는 출중계호 처리부로 이루어지는 교환기의 호 분리 루팅 방법에 있어서, 일반 유선가입자 또는 종합정보통신 가입자로부터 호 요구가 발생하면 상기 번호 번역부가 상기 호에 대한 번호 번역을 수행하여 루트시퀀스를 선정하고, 루트 선택부의 해당 루트시퀀스로 루팅을 요구하는 제1과정과, � �기 루트 선택부가 상기 루팅 요구를 입력받아 상기 요구된 호의 타입을 검사하여 일반 유선가입자이면 상기 일반 유선가입자용 루트를 선정하고 종합정보통신 가입자이면 종합정보통신 가입자용 루트를 선정하는 제2과정과, 상기 루트가 선택되면 출중계호 처리부로 해당 루트의 중계선 점유를 요구하는 제3과정으로 이루어짐을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1020000044355A
公开(公告)日：2000-07-15
申请号：KR1019980060852
申请日：1998-12-30
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 김형준
IPC: G06F9/00
Abstract: PURPOSE: A makefile generation method in DSET environment is provided to generate a makefile for developing an agent software fitted to standards that ITU(International Communication Union) requires. CONSTITUTION: A system generates an action directory and the standard directory in same structure. And in the standard directory, files used in common are stored and in an action directory, new files and changed files are stored. Then the system reads files stored in the action directory and records in a list. Files stored in the standard directory, not stored in the action directory, are generated as a first makefile and a second makefile. According to whether the file references other files each other or not, the file that references becomes the first makefile and the file that does not references becomes the second makefile.
Abstract translation: 目的：提供DSET环境中的makefile生成方法，用于生成适合ITU（国际通信联盟）要求的标准的代理软件的makefile。 构成：系统以相同的结构生成操作目录和标准目录。 并且在标准目录中，常用的文件被存储，并且在操作目录中存储新文件和更改的文件。 然后系统读取存储在操作目录中的文件，并将其记录在列表中。 存储在标准目录中的文件不存储在操作目录中，作为第一个makefile和第二个makefile生成。 根据文件是否引用其他文件，引用的文件将成为第一个makefile，而不引用的文件将成为第二个makefile。
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