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公开(公告)号：KR1020150044729A
公开(公告)日：2015-04-27
申请号：KR1020130124150
申请日：2013-10-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F1/32
Abstract: 본발명에따른다양한실시예는, 현재멀티코어기반디바이스의소모전류를감소시키기위해, 다수의 CPU들의현재작동상태를분석하여 CPU 자원을조절하는방법을제공한다. 멀티코어기반디바이스의소모전류인지방법에있어서, 멀티코어를구성하는둘 이상의 CPU(Central Processing Unit)들의작동상태들의상태변경에따라온라인 CPU의소모전류를측정하고, 측정된온라인 CPU의소모전류에기초하여, 온라인 CPU의개수및 CPU 최대주파수에대한제어조건들을각각결정하고, CPU 점유율, CPU 현재주파수및 CPU 최대주파수에기초하여, 온라인 CPU 중에서비지(Busy) 상태인온라인 CPU를결정하여, 비지 CPU의개수및 실행중인태스크개수와 CPU 현재주파수를각각제어조건들과비교한결과에기초하여, CPU 최대주파수및 온라인 CPU의개수중 적어도하나를조절하는소모전류인지방법의다양한실시예가제안된다.
Abstract translation: 本发明的各种实施例提供了一种用于分析多个中央处理单元（CPU）的当前操作状态并调整CPU资源以减少当前基于多核的设备的电流消耗的方法。 根据各种实施例，用于检测基于多核的设备的电流消耗的方法包括：根据构成多核的两个或多个CPU的操作状态的变化来测量在线CPU的电流消耗; 基于在线CPU的测量电流消耗，分别确定在线CPU数量的控制条件和最大CPU频率; 基于CPU共享，当前CPU频率和最大CPU频率确定在线CPU中的忙碌在线CPU; 并且基于所述繁忙CPU的数量，正在执行的任务的数量以及当前的CPU频率和所述控制条件之间的比较结果来调整所述最大CPU频率和所述在线CPU的数量中的至少一个。
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公开(公告)号：KR101046927B1
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：KR1020040070341
申请日：2004-09-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/1345
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/13454 , G02F2001/13629 , G02F2201/50 , H01L27/124
Abstract: 본 발명의 박막 트랜지스터 표시판에는, 게이트선과 데이터선이 제1 층간 절연막을 사이에 두고 서로 교차하고 있으며, 게이트선 중 하나와 데이터선 중 하나에 각각 연결되어 있는 스위칭 소자와 화소 전극이 각각의 화소 영역에 형성되어 게이트선 및 데이터선과 연결되어 있다. 화소 전극 하부에 위치하여 게이트선, 데이터선 및 스위칭 소자를 덮는 제2 절연막에는 데이터선의 끝 부분을 드러내는 접촉구가 형성되어 있고, 화소 전극과 동일한 층에는 접촉구를 통하여 데이터선의 끝 부분과 연결되어 있는 접촉 보조 부재가 형성되어 있다. 이때, 게이트선과 동일한 층에는 게이트선과 동일한 층으로 이루어져 있으며, 제1 층간 절연막의 접촉구를 통하여 데이터선과 연결되어 있는 보조 신호선이 형성되어 있는데, 보조 신호선을 연결하는 접촉구는 제2 절연막에 의해 완전히 덮여 있다.
접촉불량, 부식, 알루미늄, 테이퍼, 유기절연막-
公开(公告)号：KR1020080025494A
公开(公告)日：2008-03-21
申请号：KR1020060090031
申请日：2006-09-18
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박경민
IPC: H01L21/786
Abstract: A method for manufacturing a thin film transistor display panel is provided to reduce the process by implementing at the same time source, drain, and low density doping regions according to once dopant implant into a silicon layer. Pixel and driver semiconductors(151a,151b) are formed on an insulating substrate(110). A first gate insulating layer is formed on the semiconductor. A second gate insulating layer is formed on the first gate insulating layer. A metal layer is formed on the second gate insulating layer. A first photoresist pattern is formed on the metal layer. By patterning the metal layer using the first photoresist pattern as a mask, a control electrode(124b) is formed on the driver semiconductor. The first photoresist pattern is removed. Dopant ions with high density are implanted on the driver semiconductor. A second photoresist pattern is formed on the insulating substrate. By wet-etching the metal layer using the second photoresist pattern as a mask, gate and sustain electrodes are formed. The second gate insulating layer is etched using the second photoresist pattern as a mask. Then, the second photoresist pattern removed. Dopant ions are implanted on the pixel semiconductor such that source, drain, and low density doping regions(153a,155a,152) are formed.
Abstract translation: 提供一种用于制造薄膜晶体管显示面板的方法，以通过根据一次掺杂剂注入硅层同时实现源极，漏极和低密度掺杂区域来减少工艺。 像素和驱动器半导体（151a，151b）形成在绝缘基板（110）上。 在半导体上形成第一栅极绝缘层。 在第一栅极绝缘层上形成第二栅极绝缘层。 金属层形成在第二栅极绝缘层上。 在金属层上形成第一光刻胶图形。 通过使用第一光致抗蚀剂图案作为掩模图案化金属层，在驱动器半导体上形成控制电极（124b）。 去除第一光致抗蚀剂图案。 驱动半导体上注入高密度的掺杂离子。 在绝缘基板上形成第二光刻胶图案。 通过使用第二光致抗蚀剂图案作为掩模对金属层进行湿蚀刻，形成栅极和维持电极。 使用第二光致抗蚀剂图案作为掩模蚀刻第二栅极绝缘层。 然后，去除第二光致抗蚀剂图案。 将掺杂离子注入到像素半导体上，使得形成源极，漏极和低密度掺杂区域（153a，155a，152）。
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公开(公告)号：KR1020080024338A
公开(公告)日：2008-03-18
申请号：KR1020060088566
申请日：2006-09-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/133 , G02F1/136 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/124 , G02F1/136286 , H01L27/1222 , H01L27/1229
Abstract: A thin film transistor substrate, a method for manufacturing the same, and a display device having the same are provided to set a layout of an active layer in a display area and a layout of an active layer in a peripheral area differently, thereby preventing a blotch due to crystallizing from being recognized. A display area(D) and a peripheral area(P) are defined on a substrate. A gate line(130) and a first thin film transistor(160) are formed in the display area. A second thin film transistor(260) is formed in the peripheral area. A first gate electrode(131) of the first thin film transistor is extended in a first direction. A second gate electrode(231) of the second thin film transistor is extended in a second direction crossing the first direction.
Abstract translation: 提供薄膜晶体管基板，其制造方法和具有该薄膜晶体管基板的显示装置，以使显示区域中的有源层的布局和周边区域中的有源层的布局不同，从而防止 由于结晶而被识别的斑点。 显示区域（D）和周边区域（P）被限定在基板上。 在显示区域中形成栅极线（130）和第一薄膜晶体管（160）。 第二薄膜晶体管（260）形成在周边区域中。 第一薄膜晶体管的第一栅电极（131）沿第一方向延伸。 第二薄膜晶体管的第二栅电极（231）沿与第一方向交叉的第二方向延伸。
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公开(公告)号：KR1020070016268A
公开(公告)日：2007-02-08
申请号：KR1020050070634
申请日：2005-08-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: H01L27/1262 , G02F1/13439 , G02F1/136213 , G02F1/1368
Abstract: 본 발명은 투과 모드 및 반사 모드시 동일한 감마 곡선을 이용하여 화상을 구현할 수 있는 박막트랜지스터 기판 및 이의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 박막트랜지스터 기판은 게이트라인과; 상기 게이트라인과 교차구조로 형성되어 투과영역과 반사영역을 가지는 화소영역을 정의하는 데이터라인과; 상기 게이트라인 및 데이터라인과 접속된 폴리 실리콘형 박막트랜지스터와; 상기 투과 영역에 상기 박막트랜지스터와 접속되도록 형성된 투과 전극과; 상기 반사 영역에 분리되어 형성된 적어도 두 개의 반사 전극과; 상기 적어도 두 개의 반사 전극을 용량성으로 결합시키기 위한 보조 캐패시터를 구비하는 것을 특징으로 한다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020060038076A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：KR1020040087229
申请日：2004-10-29
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박경민
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78621 , G02F1/136286 , H01L29/42384 , H01L29/4908
Abstract: 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 표시판은 절연 기판, 절연 기판 위에 형성되어 있으며, 소스 영역 및 드레인 영역, 소스 영역 및 드레인 영역 사이에 위치하는 채널 영역, 소스 영역과 채널 영역 및 드레인 영역과 채널 영역 사이에 위치하는 저농도 도핑 영역을 가지는 반도체층, 반도체층 위에 형성되어 있으며 채널 영역에 대응하는 제1 부분, 제1 부분보다 얇은 두께를 가지는 제2 부분을 가지는 게이트 절연막, 게이트 절연막 위에 형성되어 있으며 제1 부분 위에 위치하며 채널 및 저농도 도핑 영역과 중첩하는 게이트 전극을 가지는 게이트선, 게이트선과 절연되어 교차하며 소스 영역과 연결되어 있는 소스 전극을 가지는 데이터선, 소스 전극과 마주하며 드레인 영역과 전기적으로 연결되어 있는 드레인 전극, 드레인 전극과 연결되어 있는 화소 전극 을 포함한다.
박막트랜지스터, 저농도도핑영역-
公开(公告)号：KR1020050048832A
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：KR1020030082562
申请日：2003-11-20
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박경민
IPC: G02F1/136
Abstract: 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 표시판은 절연 기판, 절연 기판 위에 형성되어 있는 게이트선, 절연 기판 위에 형성되며 게이트선과 분리되어 형성되어 있는 유지 전극선, 게이트선과 절연되어 교차하는 데이터선, 게이트선 및 데이터선과 연결되어 있는 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터를 덮고 있는 보호막, 보호막 위에 형성되며 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소 전극, 유지 전극선과 대응하는 보호막의 소정 영역은 다른 부분에 비해서 두께가 얇게 형성되어 있다.
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公开(公告)号：KR1020040063521A
公开(公告)日：2004-07-14
申请号：KR1020030000974
申请日：2003-01-08
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박경민
IPC: G02F1/133
Abstract: PURPOSE: A TFT(Thin Film Transistor) panel and an LCD(Liquid Crystal Display) having the same are provided to effectively discharge static electricity by composing a static electricity protecting unit having a resistance unit. CONSTITUTION: A plurality of gate lines(G1-Gn) and data lines(D1-D2l) transmit signals to a plurality of pixels. A gray voltage generating unit(800) generates a plurality of gray voltages. A data driving unit(500) selects a gray voltage corresponding to image data among a plurality of the gray voltages, and outputs the selected gray voltage as a data voltage. A transmission gate unit(750) includes odd-numbered switching elements connected to odd-numbered data lines and even-numbered switching elements connected to even-numbered data lines, and connects to the data driving unit(500). A signal control unit(600) inputs the image data to the data driving unit(500), generates a control signal for controlling the image data, and provides the generated control signal to the data driving unit(500) and the transmission gate unit(750). A static electricity protecting unit(900) connects to the transmission gate unit(750), and has a resistance unit to which the first conductive layer formed as metal and the second conductive layer formed as silicon are contacted.
Abstract translation: 目的：提供具有该TFT（薄膜晶体管）面板和LCD（液晶显示器）的LCD（液晶显示器），以通过组合具有电阻单元的静电保护单元来有效地排出静电。 构成：多条栅极线（G1-Gn）和数据线（D1-D21）将信号发送到多个像素。 灰度电压产生单元（800）产生多个灰度电压。 数据驱动单元（500）选择与多个灰度电压中的图像数据相对应的灰度电压，并输出所选择的灰度电压作为数据电压。 传输门单元（750）包括连接到奇数数据线的奇数开关元件和连接到偶数数据线的偶数开关元件，并连接到数据驱动单元（500）。 信号控制单元（600）将图像数据输入到数据驱动单元（500），产生用于控制图像数据的控制信号，并将产生的控制信号提供给数据驱动单元（500）和传输门单元 750）。 静电保护单元（900）连接到传输门单元（750），并且具有电阻单元，形成为金属的第一导电层和与硅形成的第二导电层接触。
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公开(公告)号：KR1020170098119A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：KR1020160020050
申请日：2016-02-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G09G3/20
Abstract: 전자장치가개시된다. 일실시예에따른전자장치는이미지를출력하는디스플레이패널, 자동전류제한(ACL: automatic current limitation)과연관된파라미터에기초하여디스플레이패널의밝기를조절하는디스플레이구동회로및 디스플레이구동회로에적용된제1 파라미터의변경과관련된지정된조건이발생되면, 지정된조건에대응하는제2 파라미터를디스플레이구동회로에제공하는프로세서를포함하고, 디스플레이구동회로는, 제1 파라미터와제2 파라미터사이의값을갖는하나이상의파라미터및 제2 파라미터를순차적으로적용하여디스플레이패널의밝기를조절할수 있다. 이외에도명세서를통해파악되는다양한실시예가가능하다.
Abstract translation: 公开了一种电子设备。 根据一个实施例的电子装置包括用于输出图像的显示面板，用于基于与自动电流限制（ACL）相关联的参数来调整显示面板的亮度的显示驱动器电路， 以及显示驱动电路，用于当产生与所述参数的改变有关的指定条件时，将与所述指定条件相对应的第二参数提供给所述显示驱动电路， 通过依次应用参数和第二参数可以调整显示面板的亮度。 通过说明书已知的各种实施例也是可能的。
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