公开(公告)号：KR100298314B1

公开(公告)日：2001-08-07

申请号：KR1019980027242

申请日：1998-07-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박재현

IPC: H04L12/43

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
비동기 통신모드 교환시스템에 있어서 스위치 패브릭에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
링-베니언 네트워크에서 마지막 메인단에서도 원하는 목적지에 도착하지 못한(미스라우팅된) 패킷을 처리하기 위해 보강 단들(enforced stages)을 추가함에 따른 지연시간을 최소화 하는 확장된 링-베니언 네트워크를 제공함에 있다.
3. 발명의 해결방법의 요지
본 확장된 링-베니언 네트워크는 하나 혹은 그 이상의 메인단들과 마지막 메인단을 구비하며, 상기 각 단들은 제1레벨부터 제m
1 레벨까지 연속적으로 확장된 m
1 레벨들을 가지고 상기 각 레벨들마다 소정의 입·출력 링크들을 갖는 스위치 엘리먼트를 배치한 링-베니언 네트워크와(m
1 : 양의 정수, m
1 ≥2), 우회경로를 제공하기 위해 상기 하나 혹은 그 이상의 메인단들 혹은 마지막 메인단에 포함된 임의의 제1메인단과 제2메인단 사이에 소정의 스위치 엘리먼트를 각 레벨에 대응되도록 입·출력 링크로써 연결한 산재된 확장단들로 구성됨을 특징으로 한다.
4. 발명의 중요한 용도
고성능이고 경제적인 비동기 통신모드 스위치를 설계하는 데 사용한다.

公开(公告)号：KR1020000031370A

公开(公告)日：2000-06-05

申请号：KR1019980047375

申请日：1998-11-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 석종욱 ,  김성환 ,  심광보 ,  박재현

IPC: H01L21/28

Abstract: PURPOSE: A fabrication method of a semiconductor device is provided to minimize the effect of byproduct generated while etching a multi-layered film made by metal wire. CONSTITUTION: To fabricate a semiconductor device, each metal wire layer is etched in each chamber while etching a tungsten metal wire. Then, tungsten is etched at a low temperature of 30°C in a first chamber, and Ti/TiN is etched at a high temperature over 50°C in a second chamber. A semiconductor device having the tungsten and the Ti/TiN layers is stripped for being etched in a third chamber at the low temperature. Herein, SF6,O2 gas is used as a clean gas, and BCl3, Cl2 gas is used as a polymer gas to minimize the generation of polymer. A semiconductor producer(10) is consisted of first to fourth chambers(15,20,30,40) and a load lock chamber(60) centering a transporter(50) for transporting a semiconductor wafer.

Abstract translation: 目的：提供半导体器件的制造方法，以最小化在蚀刻由金属线制成的多层膜时产生的副产物的影响。 构成：为了制造半导体器件，在蚀刻钨金属线时，在每个室中蚀刻每个金属线层。 然后，在第一室中在30℃的低温下蚀刻钨，并在第二室中在高于50℃的高温下对Ti / TiN进行蚀刻。 剥离具有钨和Ti / TiN层的半导体器件，以在低温下在第三室中进行蚀刻。 在这里，使用SF 6，O 2气体作为清洁气体，并且使用BCl 3，Cl 2气体作为聚合物气体以最小化聚合物的产生。 半导体制造器（10）由第一至第四腔室（15,20,30,40）和负载锁定室（60）组成，用于传送半导体晶片的运送器（50）。

公开(公告)号：KR1020000019101A

公开(公告)日：2000-04-06

申请号：KR1019980037029

申请日：1998-09-08

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박재현 ,  심광보 ,  이재봉 ,  이현철

IPC: H01L21/306

Abstract: PURPOSE: A method can etch effectively a poly film used in a semiconductor device using plasma formed by using an etching apparatus of TCP(transformer coupled plasma) type. CONSTITUTION: A method performs etching using plasma formed by using a TCP etching apparatus. The etching process according to the present invention uses a mixed gas including a Cl2 gas and a HBr gas as a main etching gas, and the pressure in the process chamber where the etching process is performed is maintained to a high pressure of 20 mTorr or 50 mTorr. The method improves the selectivity with an oxide film(36) and prevents the generation of a stringer and undercut.

Abstract translation: 目的：一种方法可以有效地蚀刻使用通过使用TCP（变压器耦合等离子体）型蚀刻装置形成的等离子体的半导体器件中使用的多晶硅膜。 方案：一种方法使用通过使用TCP蚀刻装置形成的等离子体进行蚀刻。 根据本发明的蚀刻工艺使用包括Cl 2气体和HBr气体的混合气体作为主蚀刻气体，并且将进行蚀刻处理的处理室中的压力保持在20mTorr或50℃的高压 毫托。 该方法提高了氧化膜（36）的选择性，并防止产生桁条和底切。

公开(公告)号：KR100227282B1

公开(公告)日：1999-11-01

申请号：KR1019960055394

申请日：1996-11-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 고성현 ,  김태성 ,  박재현

IPC: H04N5/208

Abstract: 본 발명은 이미지 보간방법을 공개한다. 본 발명의 방법은 제 1 및 제 2 기준화소 사이에 새로운 화소를 보간하는 방법에 있어서, 상기 제 2 기준화소가 상기 제 1 기준화소에 인접하는 방향에 대해 수직방향으로 상기 제 2 기준화소에 인접하는 제 3 및 제 4 기준화소와 상기 제 2 기준화소의 값들 중에서 상기 제 1 기준화소와 가장 유사한 기준화소의 값을 선택하는 단계; 및 상기 제 1 기준화소의 값과 상기 선택된 기준화소의 값의 평균값을 구하고 이 평균값을 보간화소의 값으로 결정하는 단계를 구비한다. 본 발명은 단순히 기준화소에 인접하는 하나의 화소와 기준화소의 평균값을 구하여 기준화소와 인접 화소 사이의 보간화소값으로 결정하는 것이 아니라, 복수개의 인접 화소들 중에서 기준화소와 가장 유사한 값을 가진 화소를 서치한 다음 서치된 화소와 기준화소의 화소값 평균을 구하여 그 평균값을 보간화소의 값으로 결정하기 때문에 이미지의 윤곽이 화면 확대로 인하여 흐려지는 것을 방지할 수 있어 시각적으로 보다 뚜렷한 이미지를 얻을 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019990066136A

公开(公告)日：1999-08-16

申请号：KR1019980001787

申请日：1998-01-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박재현

IPC: H03K21/00

Abstract: 본 발명의 실시간 클락 발생기는 마이크로 컨트롤러와 인터페이스를 수행하는 인터페이스부와, 외부 크리스털로부터 발생되는 클락을 분주하여 내부 클락 신호를 출력하는 디바이더와, 상기 디바이더로부터 제공되는 클락을 카운트하여, 실시간 데이터를 출력하는 BCD 카운터와, 상기 BCD 카운터의 출력을 입력하여 윤년에 대한 오버 플로우를 발생하는 윤년 발생부를 포함한다. 이 실시간 클락 발생기는 생산 단계에서 그 테스트 시간이 단축되고, 일반적인 동작환경에서 갑작스런 파워-오프 발생 시에도 실시간 클락을 보호할 수 있다.

公开(公告)号：KR100165506B1

公开(公告)日：1999-03-20

申请号：KR1019950000848

申请日：1995-01-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김제원 ,  이성원 ,  정기호 ,  박재현

IPC: H04N19/60 ,  H04N19/42

Abstract: 본 발명은 동화상 복호기에서 디.시.(DC)인트라 계수복호화장치 및 그 방법을 공개한다. 동화상 복호화기의 가변장 복호화부에서, DC인트라 계수를 복호화하는 이 장치는, 차분 펄스 코드 변조방식으로 부호화된 DC인트라 계수의 차값을 나타내는 제1신호의 최상위비트를 반전하고, 반전된 비트를 부호비트로서 발생하는 반전수단과, 제1신호의 유효비트 수를 나타내는 제2신호에 상응하여 제1신호를 우로 이동하고, 이동된 만큼의 나머지 비트를 상기 부호비트로 채우는 우정렬수단과, 부호비트를 입력하여 제3신호를 발생하는 신호발생수단과, 제1제어신호에 응답하여 DC계수의 리셋값인 DC리셋값을 결정하는 리셋수단과, 이전 블록의 DC값을 저장하거나, 결정된 DC리셋값을 저장하는 저장수단과, 우정렬수단의 출력과 저장수단의 출력을 제3신호에 상응하여 가감산하고, 가감산된 결과를 현재 블록의 DC값으로서 출력하는 가감산수단과, 제2제� ��신호에 응답하여 DC 리셋값과, 현재 블록의 DC값들 중에서 하나를 선택하고, 선택된 값을 저장수단으로 출력하는 선택수단 및 제3제어신호에 응답하여 가감산수단에서 출력되는 DC값의 비트수를 결정하여 역양자화부로 공급하는 비트이동수단을 구비하는 것을 특징으로 한다.

公开(公告)号：KR1019980065376A

公开(公告)日：1998-10-15

申请号：KR1019970000324

申请日：1997-01-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박재현

IPC: H01L27/085

Abstract: 게이트 어레이에서의 지연 버퍼가 개시된다. 임의의 신호를 입력하여 소정 시간동안 지연후에 출력하는 이 지연 버퍼는, 입력한 임의의 신호를 반전하여 출력하는 제 1 상보형 MOS트랜지스터와, 제 1 상보형 MOS트랜지스터의 출력을 버퍼링하기 위한 제 2∼N(여기서, N은 3이상의 홀수)상보형 트랜지스터들과, 제 2∼N 상보형 트랜지스터들 각각이 공급전원과 연결되는 부분과 공급전원 사이에 삽입되어 직렬로 연결되는 다수개의 폴리저항들로 이루어진 N-1개의 제1저항 어레이와, 제 2∼N 상보형 트랜지스터들 각각이 기준전위와 연결되는 부분과 기준전위 사이에 삽입되어 직렬로 연결되는 다수개의 폴리저항들로 이루어진 N-1개의 제 2 저항 어레이 및 제N상보형 트랜지스터의 출력을 반전하여 임의의 신호를 소정 시간동안 지연한 신호로서 출력하는 제 N+1 상보형 MOS트랜지스터를 구비하는 것을 특징� �로 하고, 게이트 어레이에서의서의 폴리 패턴의 특징을 이용함으로서 종래의 노말 인버터 체인을 이용한 것보다 인버터의 지연시간을 좀 더 크게 할 수 있고, 전압 및 온도에 영향을 덜 받고, 칩 설계시에 크기를 줄일 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1019980027088A

公开(公告)日：1998-07-15

申请号：KR1019960045749

申请日：1996-10-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박재현

IPC: H04L12/56

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
비동기 통신모드 교환시스템에 있어서 스위치 패브릭에 관한 것이다.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
마지막 단에서 미스라우팅하는 패킷을 처리하는 부분을 가지는 확장된 링-베니언 네트워크 및 그 경로 제어방법을 제공함에 있다.
3. 발명의 해결방법의 요지
상기 링-베니언 네트워크의 마지막 단계의 각 스위치 엘리먼트에 제q(q≥1, 정수)확장단계를 이루는 소정의 스위치 엘리먼트를 연결하고, 상기 제q확장단계를 이루는 각 스위치 엘리먼트에 제q+1확장단계를 이루는 소정의 스위치 엘리먼트를 연결하여 구성하고,

각 스위치 엘리먼트의 출력링크에 대한 위상은

와 같음을 특징으로 하는 확장된 링-베니언 네트워크.(단, l=(log2N)-1, i ≥ l+1)
4. 발명의 중요한 용도
고성능이고 경제적인 비동기 통신모드 스위치를 설계하는 데 사용한다.

公开(公告)号：KR1019970032150A

公开(公告)日：1997-06-26

申请号：KR1019950039746

申请日：1995-11-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박재현

IPC: H04N1/387

Abstract: 본 발명은 정지 영상 압축장치에 관한 것으로서, 정지 영상에 대한 DCT블록 단위의 각 계수들의 분포특성에 따른 DC계수의 통계적 모델정보를 저장한 제1저장수단과 DCT블록 단위의 각 계수들의 분포 특성에 따른 AC계수의 통계적 모델 정보를 저장한 복수의 제2저장수단을 내장하여 상기 정지 영상을 DCT블록으로 분리하고 각 분리된 블록의 통계적 모델 정보에 대응하는 선택 신호를 발생하는 영상 분리기와 상기 분리된 DCT블록 단위로 DCT계수를 구하는 DCT처리기, 상기 DCT계수를 양자화하는 양자화기, 상기 선택신호에 응답하여 상기 복수의 제2저장수단들 중 하나를 선택하는 저장수단 및 양자화기의 출력 데이타를 입력하여 선택수단에서 선택된 제2저장수단의 AC계수의 통계적 모델 정보와 제1저장수단의 DC계수의 통계적 모델 정보에 의해 산술부호화하 산술 부호화기를 구비한다. 따라서, 본 발명에서는 DCT계수의 분포 특성에 따라 산술부호화하여 데이타 압축률이 향상되는 효과를 얻을 수 있다.

公开(公告)号：KR1019960030707A

公开(公告)日：1996-08-17

申请号：KR1019950000950

申请日：1995-01-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김제원 ,  이성원 ,  정기호 ,  박재현

IPC: H04N19/94

Abstract: 본 발명은 역양자화부의 메모리 어드레싱을 이용한 역스캔 및 런-길이 복호장치를 공개한다. 그 장치는 동화상 부호화장치에서 런신호, 부호신호 및 계수값을 입력하여 이산코사인변환(이하 DCT)계수를 출력하는 역양자화부에서, 런신호를 입력후 축적하여 축적된 수만큼 어드레스를 증가하도록 하는 제1제어신호를 발생하는 어드레스제어수단과, 동화상 부호화장치에서 DCT 계수들이 스캔되는 순서의 역순으로 어드레스들을 저장하고, 제1제어신호에 제어되어 저장된 순서대로 어드레스를 출력하는 스캔 테이블수단과, 스캔 테이블수단의 출력에 제어되어 양자화메트릭스 값들을 출력하는 양자화테이블수단과, 부호신호 및 계수값과 양자화메트릭스 값을 입력하여 DCT 계수들을 복호화하는 계수복호수단과, DCT 블럭의 계수들을 출력하고, 런-길이 복호화를 수행하기 위해, 입력전에 소정의 수로 패딩(Padding)되어 있고 스캔 테이블수단의 출력에 어되어 계수복호수단의 출력을 저장하는 출력버퍼수단을 구비하는 것을 특징으로 하고, 스캔 테이블부에 어드레스가 역으로 저장되어 있기 때문에 이 어드레스를 읽어서 양자화 테이블부로 출력함에 의하여 자동적으로 역 스캔 과정이 이루어지도록 하고, 런-길이 복호화를 위한 별도의 회로가 필요없이 어드레스 제어부에서 출력버퍼의 입력을 조절하여 런-길이 복호를 수행하는 효과가 있다.