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公开(公告)号：KR1019990000624A
公开(公告)日：1999-01-15
申请号：KR1019970023646
申请日：1997-06-09
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 이준희
IPC: H01L27/108
Abstract: 별도의 포토공정을 통하지 않고도 커패시터의 상부전극을 소자분리 공정에서 패터닝할 수 있는 매몰 커패시터를 갖는 SOI(Silicon On Insulator) DRAM 및 그 제조방법에 관하여 개시한다. 본 발명은, 하부구조가 형성된 제1 반도체 기판 상에 매몰 산화막을 형성하는 단계와, 상기 매몰 산화막을 패터닝하여 제1, 제2 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 결과물 상에 제1 도전막을 적층하고 패터닝하여 하부전극을 형성하는 단계와, 상기 하부전극 상에 유전체막과 제2 도전막으로 이루어진 상부전극층을 적층하고 패터닝하여 커패시터를 형성하는 단계와, 상기 결과물 상에 제1 절연막을 적층하고 평탄화하는 단계와, 상기 제1 반도체 기판의 이면을 에치백하여 SOI 구조를 형성하는 단계와, 상기 제1 반도체 기판의 이면에 소자 분리공정을 위한 패드산화막과 제2 절연막을 형성하는 단계와, 상기 패드산화막과 제2 절연막을 패터닝하여 제3, 제4 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 패터닝된 패드산화막과 제2 절연막을 마스크로 제1 반도체 기판의 이� �을 식각하여 트랜치를 형성하는 단계와, 상기 식각된 SOI 반도체 기판에 소자분리막을 매립하고 제2 절연막을 제거하는 단계를 구비하는 매몰 커패시터를 갖는 SOI DRAM의 제조방법을 제공한다.
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公开(公告)号：KR100151102B1
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019960005097
申请日：1996-02-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: B24B1/00
CPC classification number: B24B57/02 , B24B37/04 , H01L21/31051
Abstract: 나선형의 슬러리 공급라인을 통하여 슬러리가 공급되는 기계적 연마 장치에 관하여 개시한다. 본 발명은 반도체 웨이퍼를 화학 기계적인 방법으로 평탄화하기 위한 화학기계적 연마 장치에 있어서, 연마하고자 하는 반도체 웨이퍼의 일면이 아래로 향하도록 상기 반도체 웨이퍼를 적재 및 고정하는 웨이퍼 캐리어와, 상기 웨이퍼 캐리어의 하부에 마련되어 일정 속도를 회전이 가능한 연마정반과, 상기 연마정반 상에 마련되어 상기 반도체 웨이퍼의 일면과 접촉할 수 있는 연마포와, 상기 연마포에 슬러리 용액을 공급하는 나선형의 슬러리 공급 라인을 구비하는 것을 특징으로 하는 화학기계적 연마장치를 제공한다. 상기 슬러리 공급라인은 그 종단에 복수개의 노즐을 구비하여, 상기 슬러리 공급 라인에 밸브에 의하여 개폐 및 조절되는 순수 공급라인이 연결되어 있다. 본 발명의 CMP장치는 순수 공급라인 및 복수개의 노즐을 갖는 나선형의 슬러리 공급라인을 구비함으로서 슬러리 용액에 포함된 연마제의 침전을 방지하고, 반도체 웨이퍼에 전달되는 슬러리 용액의 양을 균일하게 하여 연마 균일도를 향상시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019970063714A
公开(公告)日：1997-09-12
申请号：KR1019960004419
申请日：1996-02-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/04
Abstract: 입/출력 보호회로가 개시되어 있다. 본 발명은 필드 산화막이 게이트 산화막으로 이용되는 필드 트랜지스터를 구비하는 입/출력보호회로에 있어서, 상기 필드 트랜지스터는 상기 필드 산화막의 폭이 최초 디자인 룰과 같은 크기로 형성되고, 상기 필드 산화막 아래에 채널 스톱 불순물 영역이 포함되지 않는 것을 특징으로 하는 입/출력보호회로를 제공한다. 본 발명에 의하면, 출력 버퍼 트랜지스터 및 필드 트랜지스터에 모두 정전하방전전류가 흐르도록하여 ESD 내압을 크게 개선 시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019970053386A
公开(公告)日：1997-07-31
申请号：KR1019950049689
申请日：1995-12-14
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 이준희
IPC: H01L21/76
Abstract: 실리콘 - 온 - 인슐레이터 구조에 소자분리막을 형성하는 방법에 대해 기재되어 있다. 이는, 활성 기판 전면에 패드 산화막을 형성하는 단계, 패드 산화막 상에, 비활성 영역의 패드 산화막을 노출시키는 모양의 식각/이온주입 방지막을 형성하는 단계, 이온주입 방지 절연막을 형성하는 단계, 식각/이온주입 방지막 및 상기 식각/이온주입 방지막의 측벽에 형성되어 있는 이온주입 방지 절연막을 이온주입 방지막으로 이용한 이온주입 공정을 행함으로써 불순물 도핑 영역을 형성하는 단계, 불순물 도핑 영역이 형성되어 있는 결과물 전면에 스페이서층을 형성하는 단계, 스페이서층을 이방성식각함으로써 이온주입 방지 절연막의 측벽에 스페이서를 형성하는 단계, 스페이서 및 식각/이온주입 방지막을 식각마스크로하여 스페이서 사이로 노출된 불순물 도핑 영역을 식각함으로써 트렌치를 형성하는 단계 및 트렌치를 절연물질로 채움으 써 소자분리막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
따라서, 가장자리 불순물층과 소자분리막이 차지하는 면적을 줄일 수 있고, 활성영역의 면적을 넓힐 수 있다.-
公开(公告)号：KR1019970051407A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950052591
申请日：1995-12-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C29/00
Abstract: 반도체 메모리 장치에 관한 것으로 특히 고속으로 메모리 어레이내의 데이타를 억세스하는 동기식 디램을 번-인 테스트시 싸이클 타임을 감축할 수 있는 동기식 반도체 메모리 장치의 클럭버퍼에 관한 것이다. 상기의 클러버퍼는, 칩 외보로부터 입력되는 시스템 클럭의 제1에지에 응답하여 소정의 듀레이션을 갖는 펄스를 출력하는 제1자동펄스 발생수단과, 번-인보드 인에이블 신호의 활성화에 인에이블되며, 상기 시스템 클럭의 제1에지 및 제2에지에 각각 응답하여 소정의 듀레이션을 갖는 펄스를 출력하는 제2자동펄스 발생수단과, 상기 제1, 제2자동펄스 발생수단의 출력노드와 상기 칩내부의 클럭입력노드의 사이에 접속되며, 상기 번-인모드 인에이블신호의 활성화 상태에 따라 상기 제1, 제2자동펄스 발생수단들로부터 각각 출력되는 펄스를 선택적으로 상기칩으로 전송하는 전송수단을 포함하여 구성된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019970009032A
公开(公告)日：1997-02-24
申请号：KR1019950021370
申请日：1995-07-20
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 이준희
IPC: H04L12/16
Abstract: 본 발명은 네트워크 재연결 방법을 공개한다. 그 방법은 클라이언트가 서버에게 제1패킷 신호를 전송하여 상기 클라이언트와 서버가 접속되는 단계, 통신 도중에 상기 클라이언트와 서버의 연결이 끊어졌는지를 판단하는 단계, 상기 판단단계에서 상기 클라이언트와 서버의 연결이 끊어지면 상기 서버는 상기 클라이언트와 연결되기 전의 상태로 복귀하고 상기 접속단계로 이동하는 단계, 및 상기 판단단계에서 상기 클라이언트와 서버의 연결이 끊어지지 않았으면 통신이 완료된 후에 상기 서버가 클라이언트에게 제2패킷 신호를 전송하고 상기 서버와 클라이언트의 연결이 끊어지는 단계로 구성되어 있다. 따라서, 클라이언트와 서버가 통신도중 두절된 후 네트워크 재연결이 수행될 때 고속으로 접속이 될 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019960042906A
公开(公告)日：1996-12-21
申请号：KR1019950011762
申请日：1995-05-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/02
Abstract: 실리콘 온 인슐레이터 웨이퍼의 라벨링 방법에 대해 기재되어 있다. 이는 핸들링 웨이퍼 상에 사진식각 공정으로 웨이퍼의 라벨을 새기는 제1공정, 상기 핸들링 웨이퍼의 전체면을 제1절연막으로 캐핑하는 제2공정, 그 상부에 제2절연막이 형성되어 있는 패터닝 웨이퍼를 상기 핸들링 웨이퍼에 본딩하는 제3공정, 상기 패터닝 웨이퍼의 가장자리를 연마하는 제4공정, 및 상기 제2절연막이 표면으로 드러날 때까지 상기 패터닝 웨이퍼의 표면을 식각용액으로 식각하는 제5공정을 포함하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 라벨 인식과 웨이퍼 관리가 용이하고, 핸들링 웨이퍼의 스트레스 및 긁힘을 줄일 수 있다.
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