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公开(公告)号：KR1020100089347A
公开(公告)日：2010-08-12
申请号：KR1020090008553
申请日：2009-02-03
Applicant: 한국광기술원
CPC classification number: H01L24/75 , H01L2224/75611 , H01L2224/75621
Abstract: PURPOSE: A device for sticking pick-up tool of a flip chip bonder is provided to easily change a pickup tool corresponding to a flip chip for bonding by fixing a plurality of pick-up tools having different size on an arm shaft end a part of the flip chip bonder. CONSTITUTION: An arm shaft(10) is installed at a flip chip bonder and is vertically movable. A movable head(20) is fixed to the end part of the arm shaft. A plurality of tool fixed axes(30) are installed at the lower part of the movable head to form the same axis with arm shaft. A vacuum absorption passage(31) holds the pickup tool(40) and a flip-chip inside the tool fixed axes. A first vacuum absorption passage adsorbs the pickup tool. A second vacuum absorption passage adsorbs the flip- chip through the pickup tool.
Abstract translation: 目的：提供一种用于贴片式贴片机的拾取工具的装置，用于通过将具有不同尺寸的多个拾取工具固定在臂轴端部上来容易地改变与用于接合的倒装芯片相对应的拾取工具 倒装芯片焊接机。 构成：臂轴（10）安装在倒装芯片接合机上并且可垂直移动。 可动头部（20）固定在臂轴的端部。 多个工具固定轴（30）安装在可移动头部的下部，以与臂轴形成相同的轴线。 真空吸收通道（31）将拾取工具（40）和倒装芯片保持在工具固定轴内。 第一真空吸收通道吸附拾取工具。 第二个真空吸收通道通过拾取工具吸收倒装芯片。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020080090688A
公开(公告)日：2008-10-09
申请号：KR1020070033818
申请日：2007-04-05
Applicant: 한국광기술원
Abstract: A method of manufacturing a film optical waveguide is provided to improve a bending of the film optical waveguide by increasing a difference in refractive indexes of a clad film and a core solution. A film optical waveguide includes an upper clad film(130), a lower clad film(100), and a core solution(120). A partial groove(110) is formed on the lower clad film. The core solution is filled in the partial groove. The upper clad film is attached to the lower clad film, where the core solution is filled. The core is cured by using heat or UV(Ultra-Violet) rays. The partial groove is formed by using a diamond blading method or a laser cutting method. The lower clad film and the upper clad film are made of the same or similar material. The core solution is an adhesive material, such that the upper and lower clad films are fixed.
Abstract translation: 提供一种制造薄膜光波导的方法，通过增加包膜和芯溶液的折射率差来改善薄膜光波导的弯曲。 薄膜光波导包括上包层膜（130），下包层膜（100）和芯溶液（120）。 在下包层膜上形成有部分槽（110）。 核心溶液填充在部分凹槽中。 上包层膜附着在下包层膜上，其中芯溶液被填充。 通过使用热或UV（超紫色）光线来固化芯体。 通过使用金刚石刮刀法或激光切割法形成部分槽。 下包层膜和上包层膜由相同或相似的材料制成。 核心解决方案是粘合材料，使得上和下包层膜是固定的。
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公开(公告)号：KR100816062B1
公开(公告)日：2008-03-24
申请号：KR1020060017294
申请日：2006-02-22
Applicant: 한국광기술원
IPC: G02B6/42
CPC classification number: H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 본 발명은 연성 광보드(flexible optical PCB)와 연결되어 있는 경성 광보드(rigid optical PCB) 및 연성 광보드 (flexible optical PCB) 상에 광원 및 광수신 반도체 소자를 집적 및 실장하여 연성 광보드내의 광도파로를 사용하여 고속으로 칩 간의 광신호를 전송하는 것을 가능케 하는 구조와 연성 광보드에 광원 및 광수신 반도체를 임베디드 방식으로 집적하여 광신호를 전송 가능케 하는 구조에 관한 것으로 PCB(Printed Circuit Board) 상의 경성 광보드 및 연성 광보드에 단면 발광 광원 및 광수신 소자를 직접 실장하는 SMT(Surface Mounting Technology) 구조 방식, 표면 발광 광원(VCSEL)을 사용하여 PCB상의 경성 광보드 및 연성 광보드에 집적시켜 사용하는 SOP(System on Package) 구조 방식, 컨넥터 형태의 패키지 내부에 광원 및 광수신 소자를 집적 실장하여 광도파로에 광신호를 전송하는데 사용하는 컨넥터 구조 방식 등에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 광도파로를 사용하여 고속으로 칩 간의 광신호를 전송함으로써 기존의 고속 칩간의 전기적 연결에 의한 데이터의 전송 속도의 한계와 데이터 교합에 의한 왜곡의 문제점을 해결 할 수 있다. 또한 컨넥터 구조 방식의 경우 칩 간 또는 보드 간의 광신호 전송의 체결 방법이 쉬워 제조 공정 비용의 절감 효과가 있다.
광보드, 광원, 광도파로, 파이버-
公开(公告)号：KR100765465B1
公开(公告)日：2007-10-09
申请号：KR1020050133651
申请日：2005-12-29
Applicant: 한국광기술원
IPC: H01S5/022
Abstract: 본 발명은 장파장 출광 광원 소자와 수광 소자를 실리콘 칩 표면에 실장하여 출광된 빛이 실리콘 칩을 통과하여 고속으로 칩 간의 광연결을 가능케 하는 구조에 관한 것으로 실리콘 칩 상에 장파장 출광 광원 소자를 실장하여 실리콘 칩의 광 통과로 고속 칩 간 광연결이 가능한 구조와 이러한 구조를 포함하는 칩이 적층된 패키지 구조 간의 자유 공간을 이용한 고속 칩 및 패키지 간 광연결이 가능한 구조로 제안된다. 이러한 실리콘 재질을 투과할 수 있는 장파장 광원 소자를 이용한 패키지 구조에서 가장 중요한 부품 중의 하나인 실리콘 칩은 전력 공급 및 저속 신호를 보낼 수 있는 전기적 배선과 광원에서 출광되는 빛의 반사 손실을 억제하기 위한 무반사 코팅을 가한 것이다. 이러한 고속 신호 처리용 칩은 기존에는 와이어 본딩을 통한 동선의 연결로 신호 및 전력 전달이 가능케 하였는데, 이는 고속의 경우 신호간의 간섭이나 실리콘 칩의 적층 수에 제약을 가하는 어려움이 있다. 따라서 본 발명은 실리콘 칩 상에 실리콘을 투과할 수 있는 파장대를 가진 광원 소자를 이용하므로, 고속 신호 처리 및 실리콘 칩들의 적층을 용이하게 하는 등 공정상의 용이점과 비용절감 등의 효과가 있다.
실리콘 칩, 레이저 다이오드, 포토 다이오드-
公开(公告)号：KR1020070084915A
公开(公告)日：2007-08-27
申请号：KR1020060017294
申请日：2006-02-22
Applicant: 한국광기술원
IPC: G02B6/42
CPC classification number: H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/3025 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: A structure for integrating a laser diode and a waveguide photodiode on an FOPCB(Flexible Optical Printed Circuit Board) is provided to reduce the cost for a manufacturing process by facilitating transmission of an optical signal between chips or between boards in a connector structured method. A structure for integrating a laser diode(104) and a waveguide photodiode on an FOPCB is composed of a rigid optical PCB and the FOPCB; the laser diode and the waveguide photodiode directly installed on the upper sides of the rigid optical PCB and the FOPCB; an optical waveguide and a fiber(103) horizontally aligned on the laser diode and the waveguide photodiode; a wire(105) for driving the waveguide photodiode; and a shielding unit(101) made of epoxy to fix the laser diode, the waveguide photodiode, and the wire.
Abstract translation: 提供了一种用于在FOPCB（柔性光学印刷电路板）上集成激光二极管和波导光电二极管的结构，以便通过以连接器结构化方法在芯片之间或板之间传输光信号来降低制造过程的成本。 用于在FOPCB上集成激光二极管（104）和波导光电二极管的结构由刚性光学PCB和FOPCB组成; 激光二极管和波导光电二极管直接安装在刚性光学PCB和FOPCB的上侧; 光波导和在激光二极管和波导光电二极管上水平对准的光纤（103）; 用于驱动波导光电二极管的导线（105）; 以及由环氧树脂制成的屏蔽单元（101）以固定激光二极管，波导光电二极管和导线。
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公开(公告)号：KR1020070070787A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：KR1020050133651
申请日：2005-12-29
Applicant: 한국광기술원
IPC: H01S5/022
CPC classification number: H01S5/02212 , H01L23/50 , H01S5/02244
Abstract: A lamination structure of a semiconductor package using a long-wavelength optical source is provided to delivery signals at a high speed between laminated silicon chips. Four silicon chips are laminated. An interpose is arranged under a first silicon chip(101a). The interpose(104) is formed in multiple layers. A laser diode(102) and a photo diode(103) are arranged on a fourth silicon chip(101d). A third silicon chip(101c) is arranged under the laser diode and the photo diode. The first silicon chip is inserted into the interpose. The respective silicon chips receive an electric power from the interpose. The laser diode on the first silicon chip transmits a signal to the photo diode of an upper silicon chip. An insulation layer(105) is inserted between the third and fourth silicon chips. A spacer(106) is arranged between a second chip(101b) and the third silicon chip. A solder bump(107) is arranged under the interpose.
Abstract translation: 使用长波长光源的半导体封装的层叠结构被提供给层叠硅芯片之间的高速传送信号。 四个硅芯片层叠。 插入设置在第一硅芯片（101a）的下方。 插入（104）形成多层。 激光二极管（102）和光电二极管（103）被布置在第四硅芯片（101d）上。 第三硅芯片（101c）布置在激光二极管和光电二极管的下面。 第一个硅芯片插入插入。 相应的硅芯片从插入中接收电力。 第一硅芯片上的激光二极管将信号传输到上硅芯片的光电二极管。 绝缘层（105）插入在第三和第四硅芯片之间。 间隔物（106）布置在第二芯片（101b）和第三硅芯片之间。 在插入下方布置有焊料凸块（107）。
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