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公开(公告)号：KR1020110016115A
公开(公告)日：2011-02-17
申请号：KR1020090073649
申请日：2009-08-11
Applicant: 한국교통대학교산학협력단
CPC classification number: C22C19/07 , C01P2006/32 , C01P2006/40 , C22C1/1036 , H01L35/14
Abstract: PURPOSE: In-Co-Fe-Sb based skutterudite thermoelectric material and a method for manufacturing the same are provided to improve the thermoelectric figure of merit in the medium temperature range of CoSb3 skutterudite. CONSTITUTION: Co, Sb, In, and Fe are encapsulated under vacuum. The mixture of the vacuum encapsulated materials is heated and molten in an encapsulated induction melting furnace by high frequency induction electricity. The material is heat-treated under vacuum for the activation of Fe and pore filling of In, thereby making skutterudite having the composition of InzCo4-xFexSb12.
Abstract translation: 目的：提供In-Co-Fe-Sb基方钴矿热电材料及其制造方法，以改善CoSb3方钴矿的中等温度范围内的热电性能。 构成：Co，Sb，In和Fe被真空包封。 将真空包封材料的混合物通过高频感应电加热并熔化在包封的感应熔化炉中。 该材料在真空下进行热处理以激活Fe和孔填充In，从而制备具有InzCo4-xFexSb12组成的方钴矿。
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公开(公告)号：KR1020110016113A
公开(公告)日：2011-02-17
申请号：KR1020090073647
申请日：2009-08-11
Applicant: 한국교통대학교산학협력단
CPC classification number: C22C19/07 , C01P2006/32 , C01P2006/40 , C22C1/02 , H01L35/14
Abstract: PURPOSE: In-Co-Ni-Sb-based skutterudite thermoelectric material and a manufacturing method thereof are provided to manufacture InzCo4-xNixSb12 skutterudite thermoelectric material having excellent performance and to improve thermoelectric figures of merit in a medium temperature range of CoSb2 skutterudite. CONSTITUTION: In-Co-Ni-Sb-based skutterudite thermoelectric material has composition of InzCo4-xNixSb12 in which an air gap within a unit lattice is filled with In and in which Ni is doped. The z and x have the range of 0
Abstract translation: 目的：提供In-Co-Ni-Sb型方钴矿热电材料及其制造方法，以制造具有优异性能的InzCo4-xNixSb12方钴矿热电材料，并在CoSb2方钴矿的中等温度范围内改善热电性能。 构成：In-Co-Ni-Sb型方钴矿热电材料具有InzCo4-xNixSb12的组成，其中单元晶格内的气隙填充有In，并且其中掺杂有Ni。 z和x的范围为0
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公开(公告)号：KR1020090026665A
公开(公告)日：2009-03-13
申请号：KR1020070091776
申请日：2007-09-10
Applicant: 한국교통대학교산학협력단
IPC: H01L35/14
Abstract: A CoSb3 skutterudite thermoelectric material and method for manufacturing the same is provided to reduce resistivity by replacing Te with antimony producing overcharge through Te doping. A CoSb3 skutterudite thermoelectric material and method is comprised of the steps: inserting cobalt, antimony, indium, and tellurium into the quartz tube; performing air-tight in vacuum condition; heating and melting the inserted material with high frequency induction power; perform vacuum heating treatment to fill indium into the aperture and activate Te.
Abstract translation: 提供了一种CoSb3方钴矿热电材料及其制造方法，以通过用Te掺杂通过用产生锑的过充电代替Te来降低电阻率。 CoSb3方钴矿热电材料和方法包括以下步骤：将钴，锑，铟和碲插入石英管中; 在真空条件下进行气密性; 用高频感应电加热和熔化插入的材料; 进行真空加热处理以将铟填充到孔中并激活Te。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020090026664A
公开(公告)日：2009-03-13
申请号：KR1020070091772
申请日：2007-09-10
Applicant: 한국교통대학교산학협력단
IPC: H01L35/14
Abstract: A skutterudite thermoelectric material and method for manufacturing the same is provided to realize excellent thermal conduction characteristic by making indium filled into an aperture of an inner lattice. A skutterudite thermoelectric material and method for manufacturing the same is comprised of the steps: Inserting cobalt, an antimony, and indium into the quartz tube and making it air-tight; Heating the inserted material by high frequency induction electricity and melting it; performing a vacuum heat treatment to make the raw material uniform and fill indium into the aperture.
Abstract translation: 提供方钴矿热电材料及其制造方法，以通过使铟填充到内晶格的孔中来实现优异的导热特性。 方钴矿热电材料及其制造方法包括以下步骤：将钴，锑和铟插入石英管中并使其气密; 通过高频感应加热插入材料并熔化; 进行真空热处理以使原料均匀并将铟填充到孔中。
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公开(公告)号：KR100710431B1
公开(公告)日：2007-04-24
申请号：KR1020020011105
申请日：2002-02-28
Applicant: 한국교통대학교산학협력단 , (주)세원하드페이싱
IPC: H01L23/36
Abstract: IC 패키지의 하나인 기밀형 4측면 밀봉 타입에 응용하기 위한 히프싱크 기판을 회전식 플라즈마 용사법에 의한 제조방법이 개시된다.
IC 패키지용 히트싱크 제조방법에 있어서, 모재로서 무산소동을 준비하는 단계; 상기 모재의 일면에 Ni 도금을 실시하는 단계; 상기 모재의 다른 쪽면에 절연성, 내식성 및 열전도성을 부여하기 위해 다음 (a) 내지 (d)의 공정을 실시하는 단계; (a)인위적인 표면 거칠기를 부여하기 위해 그리트 블라스팅을 실시하는 단계; (b)상기 모재 표면을 흑화처리하는 단계; (c)상기 흑화처리된 표면을 Ni 도금하는 단계; (d)상기 Ni 도금 위에 알루미나를 용사 코팅하는 단계를 포함하며, 상기 용사는 회전식 플라즈마 용사법에 의해 용사 거리 70-120㎜, 용사각도 90°, 아크가스(Ar) 유량 50-130 scfh, 보조가스(H
2 ) 유량 6∼100 scfh, 캐리어 가스(Ar) 유량 21-40 scfh, 분말공급율 3.5lb/hr, 아크(Ar) 가스압 6.2 kg/㎠, 보조가스(H
2 ) 압력 4.5 kg/㎠, 캐리어 가스(Ar) 압력 4.5 kg/㎠의 조건에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 IC 패키지용 히트싱크 제조방법.-
公开(公告)号：KR100689253B1
公开(公告)日：2007-03-02
申请号：KR1020060014044
申请日：2006-02-14
Applicant: 한국교통대학교산학협력단
IPC: H01L35/14
Abstract: A method for fabricating a thermoelectric skutterudite is provided to improve a thermoelectric characteristic by performing an AM(arc melting) process and an HP(hot pressing) process. Co and Sb of an element state are prepared as a raw material. An arc melting process is performed on the raw material to form a CoSb3 ingot. The arc-melted ingot is crushed. A hot pressing process is performed on the crushed CoSb3 in a vacuum state. A vacuum heat treatment is performed on the hot-pressed material.
Abstract translation: 提供一种用于制造热电方钴矿的方法，以通过进行AM（电弧熔融）过程和HP（热压）过程来改善热电特性。 准备元素状态的Co和Sb作为原料。 对原料进行电弧熔化过程以形成CoSb3锭。 电弧熔化的锭被粉碎。 在真空状态下对压碎的CoSb3进行热压过程。 对热压材料进行真空热处理。
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公开(公告)号：KR100616431B1
公开(公告)日：2006-08-29
申请号：KR1020050007943
申请日：2005-01-28
Applicant: 한국교통대학교산학협력단 , (주)세원하드페이싱
Abstract: 본 발명의 기계부품 코팅방법은 니켈을 함유한 그라파이트계 용사 코팅용 분말소재를 마련하는 단계; 상기 분말소재를 상기 기계부품에 고온, 고속으로 용사하여 코팅하는 단계를 포함한다. 코팅의 물성을 향상시키기 위한 추가 공정 및 작업 조건이 제공된다. 이에 의하여, 상대적으로 저렴하고 그 기계적 성질이 우수한 신소재로서의 니켈 함유 그라파이트계 용사 코팅재로 기계부품을 용사 코팅하여 기계적 성질(내마모성 등)을 향상시킬 수 있다.
Abstract translation: 本发明的涂覆机械部件的方法包括以下步骤：制备用于含镍镍基石墨基热喷涂层的粉末材料; 并通过高温高速喷射将粉末材料喷涂到机械部件上。 提供额外的处理和操作条件以改善涂层的物理性质。 结果，机械性能（耐磨性等）可以通过用含镍石墨热喷涂涂层材料喷涂机械部件作为相对便宜并且机械性能优异的新材料来改进。
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公开(公告)号：KR1020050104136A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：KR1020040029443
申请日：2004-04-28
Applicant: 한국교통대학교산학협력단 , (주)세원하드페이싱
IPC: C23C4/18
Abstract: 본 발명은, 용사 코팅의 접착력과 내마모성을 동시에 향상시키기 위하여, WC 함유 니켈 기지 자용성 합금 분말을 기재에 용사 코팅하고, 표면에 용사 코팅층을 갖는 상기 기재를 일정 속도로 회전시키면서 상기 코팅층 표면을 고정식 토치로 가열하여 휴징 처리를 수행함으로써, 고경도 WC 입자를 표면 부위에 집중 분산시키고 기재와의 계면으로 니켈 기지 자용성 합금으로 충진된 버퍼층을 형성하는 WC 함유 니켈 기지 합금의 내마모성 용사 코팅의 제조방법을 제공한다.
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