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公开(公告)号：KR100149931B1
公开(公告)日：1999-04-15
申请号：KR1019950061444
申请日：1995-12-28
Applicant: 한국기계연구원
IPC: B28B3/26
Abstract: 본 발명은 고온고압의 압출공정에 적용이 가능한 세라믹 압출다이의 개선에 관한 것으로, 보다 상세하게는 고온강도, 고온내 열충격, 고온경도, 고온내마모 특성이 우수하며 압출속도 10㎜/sec정도의 기계적 충격에 견딜 수 있는 파괴인성을 지닌 세라믹 압출다이에 관한 것이다.
본 발명의 세라믹 압출다이는 금속다이 케이스(1)에 세라믹 인서트(2)를 열박음하여서 되는 세라믹 압출다이에 있어서, 상기 세라믹 인서트(2)의 베어링부 끝부분(A)에서 세라믹 인서트 밑면 내경부분(B)까지의 부분이 일정한 경사도록 경사지게 형성되고, 세라믹 인서트 밑면 내경부분(B)이 금속다이 케이스의 내경과 일치되게 하여 구성되고, 상기 세라믹 인서트(22)가 단사정 지르코니아 분말에 안정화제로 마그네시아를 3.0~3.5wt% 첨가시켜 이루어진 분체를 부분안정화 지르코니아 소재로 인서트 성형품을 만들고 이 성형품을 1700~1750℃에서 1~3시간동안 소결한 후 1100~14 00℃의 온도에서 1~10시간동안 열처리하여서 되어있는 것을 특징으로 한다.-
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公开(公告)号：KR1020160049514A
公开(公告)日：2016-05-09
申请号：KR1020160046044
申请日：2016-04-15
Applicant: 한국기계연구원
Inventor： 한승우
CPC classification number: G01R31/2601 , G01K7/02 , G01R19/0092 , G01R31/2619 , H01L35/30
Abstract: 본발명은열전소자의발전특성또는냉각특성과같은복합특성을모두평가할수 있는장치에관한것으로, 더욱상세하게는열전소자에전류또는열을공급할수 있는수단과발전감지및 온도감지수단을동시에구비하여열전소자의발전성능은물론냉각특성까지평가가가능한열전소자복합특성평가장치에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种能够评估热电元件的发电特性和冷却特性等复合特性的装置，更具体地，涉及一种用于评价热电元件的复合特性的装置，其中不仅发电特性 热电元件的热电元件以及热电元件的冷却特性可以通过同时包括用于向热电元件供应电流或热量的装置以及用于检测发电和温度的装置来评估。 用于评估热电元件的复合特性的装置包括：具有形成在其中的评估空间的室; 用于加热所述热电元件并包括加热板和加热装置的加热部件; 温度检测部，用于检测加热板的温度; 用于向所述热电元件施加电流或接收由所述热电元件产生的电力的电源部件; 以及用于评估热电元件的发电特性和冷却特性的控制部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101605828B1
公开(公告)日：2016-03-24
申请号：KR1020140071379
申请日：2014-06-12
Applicant: 한국기계연구원
Abstract: 본발명은열전소자의자가발전을이용한무전원온도측정장치에관한것으로, 더욱상세하게는열전소자의일부를온도측정부로구성하고, 나머지부는온도측정대상의열을이용하여발전하는발전부로구성하여발전부의전기를온도측정부에공급하는열전소자를이용한무전원온도측정장치및 이를포함하는화재예방시스템에관한것이다.
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公开(公告)号：KR1020150142460A
公开(公告)日：2015-12-22
申请号：KR1020140071379
申请日：2014-06-12
Applicant: 한국기계연구원
Abstract: 본발명은열전소자의자가발전을이용한무전원온도측정장치에관한것으로, 더욱상세하게는열전소자의일부를온도측정부로구성하고, 나머지부는온도측정대상의열을이용하여발전하는발전부로구성하여발전부의전기를온도측정부에공급하는열전소자를이용한무전원온도측정장치및 이를포함하는화재예방시스템에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种使用热电元件的自发电的无电力温度传感器，更具体地说，涉及一种使用热电元件的无电力温度传感器和包括该热电元件的防火系统，其将热电元件的一部分配置成 温度检测单元，其余部分作为使用来自温度感测对象的热量的发电单元，因此将发电单元的电力供应给温度感测单元。
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公开(公告)号：KR101068490B1
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：KR1020100075959
申请日：2010-08-06
Applicant: 한국기계연구원
Abstract: 본 발명은 물리 기상 증착을 이용하여 기판(wafer)위에 n형 반도체 패턴과 p형 반도체 패턴을 형성하여 박막형 열전 에너지변환 모듈을 제조하는 공정에 관한 것이다.
보다 구체적으로는 열전 박막소재로 이용되는 금속화합물을 co-evaporating이나 co-sputtering 공정을 이용하여 증착함으로써 정확한 조성비를 갖는 n형 반도체 패턴과 p형 반도체 패턴으로 형성하여 열전성능이 높은 박막형 열전 에너지변환 모듈을 제조하는 공정에 관한 것이다.Abstract translation: 本发明涉及用于制造薄膜热电能量转换模块，以形成通过使用物理气相沉积一个n型半导体图案和衬底（晶片）上的p型半导体图案的工艺。
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公开(公告)号：KR1020110043424A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：KR1020100075961
申请日：2010-08-06
Applicant: 한국기계연구원
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a thin film thermoelectric energy conversion module is provided to correct a height error and an arrangement error of an n type semiconductor pattern and a p type semiconductor pattern by using a solder ball when a substrate is bonded. CONSTITUTION: An insulation layer(110) and an electrode layer(120) are formed on a substrate(100). A first photoresist is formed on the electrode layer. The first photoresist is patterned. A part of the insulation layer is exposed by using the patterned first photoresist. A lift-off resistor and a second photoresist are successively formed on the exposed insulation layer. The upper side of the electrode layer is partially exposed by etching the lift-off photoresistor. A first semiconductor pattern(160a) is formed on the exposed electrode layer. A first pattern is formed by removing a second photoresist pattern and the lift-off resistor. A second pattern with a second semiconductor pattern is formed. The second semiconductor pattern is opposite to the first semiconductor pattern. A solder ball is bonded between the upper side of the first pattern and the electrode layer of the substrate with the second pattern.
Abstract translation: 目的：提供一种制造薄膜热电能转换模块的方法，用于当基片接合时通过使用焊球来校正n型半导体图案和p型半导体图案的高度误差和布置误差。 构成：在基板（100）上形成绝缘层（110）和电极层（120）。 在电极层上形成第一光致抗蚀剂。 第一光致抗蚀剂被图案化。 通过使用图案化的第一光致抗蚀剂来暴露绝缘层的一部分。 在暴露的绝缘层上依次形成剥离电阻和第二光致抗蚀剂。 通过蚀刻剥离光敏电阻来部分地暴露电极层的上侧。 在暴露的电极层上形成第一半导体图案（160a）。 通过去除第二光致抗蚀剂图案和剥离电阻器形成第一图案。 形成具有第二半导体图案的第二图案。 第二半导体图案与第一半导体图案相对。 焊料球以第二图案结合在第一图案的上侧和基板的电极层之间。
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公开(公告)号：KR1020110043423A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：KR1020100075960
申请日：2010-08-06
Applicant: 한국기계연구원
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a thin film thermoelectric energy conversion module is provided to improve productivity by decreasing a deposition process of a plurality of insulation layers and a photoresist. CONSTITUTION: A first semiconductor pattern(160a) is formed on an exposed electrode layer. A nickel layer(170) is formed on a first semiconductor pattern through a deposition process. A tin layer that is a bonding layer is formed on the nickel layer. A first pattern is formed by removing a second photoresist pattern and a lift off resistor and forming the bonding layer on the first semiconductor pattern. A second pattern includes a second semiconductor pattern(160b) opposite to the first semiconductor pattern. The bonding layer of the second pattern is connected to the upper side of the electrode layer of the first pattern.
Abstract translation: 目的：提供一种制造薄膜热电能转换模块的方法，通过减少多个绝缘层和光致抗蚀剂的沉积工艺来提高生产率。 构成：在暴露的电极层上形成第一半导体图案（160a）。 通过沉积工艺在第一半导体图案上形成镍层（170）。 在镍层上形成作为结合层的锡层。 通过去除第二光致抗蚀剂图案和剥离电阻并在第一半导体图案上形成接合层来形成第一图案。 第二图案包括与第一半导体图案相对的第二半导体图案（160b）。 第二图案的接合层连接到第一图案的电极层的上侧。
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