公开(公告)号：CN112701218B

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202110187433.2

申请日：2017-09-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐佐木智生

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/85 ,  H10N50/01

Abstract: 本发明提供一种在高的偏压下产生比使用了现有的隧道势垒的TMR元件更高的MR比的磁阻效应元件。本发明的磁阻效应元件，其特征在于，具备层叠体，该层叠体按顺序层叠有：基底层、第一铁磁性金属层、隧道势垒层、以及第二铁磁性金属层，所述基底层由NbN、TaN或它们的混晶构成，所述隧道势垒层由具有阳离子排列不规则的尖晶石结构的、下述组成式(1)表示的化合物构成，(1)：AxB2Oy，式中，A表示2种以上的非磁性元素的二价阳离子，B表示铝离子，x表示满足0＜x≤2的数，y表示满足0＜y≤4的数。

公开(公告)号：CN116568121A

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN202310765444.3

申请日：2017-10-16

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐佐木智生 ,  田中美知

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/85 ,  H10N50/80 ,  H10B61/00

Abstract: TMR元件具备：设置于通路配线部的上表面上的基底层、设置于基底层的表面上的磁隧道接合部、以及覆盖通路配线部及基底层的侧面的层间绝缘层，基底层具有应力缓和部，磁隧道接合部具有磁化方向被固定的参照层、磁化自由层、以及设置于参照层与磁化自由层之间的隧道势垒层，层间绝缘层包含绝缘材料。

公开(公告)号：CN111613721B

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202010103970.X

申请日：2020-02-20

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 芦田拓也 ,  佐佐木智生 ,  柴田龙雄

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/01 ,  H10B61/00 ,  G11C11/16

Abstract: 本发明提供磁畴壁移动元件和磁记录阵列。本实施方式的磁畴壁移动型磁记录元件包括：第一铁磁性层、磁记录层、非磁性层以及第一电极和第二电极，第一电极包含磁化取向在与第一铁磁性层的磁化的朝向不同的方向的磁性体，磁记录层具有：与第一电极及第一铁磁性层在第一方向上重叠的第一区域；与第二电极及第一铁磁性层在第一方向上重叠的第二区域；以及被第一区域和第二区域夹着的第三区域，第一区域的与第一电极对置的第一部分的面积比第二区域的与第二电极对置的第二部分的面积大，第一铁磁性层在第一方向上与第一电极和第二电极的一部分重叠。本发明中电阻变化幅度大。

公开(公告)号：CN116157863A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202180057636.8

申请日：2021-07-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐佐木智生 ,  盐川阳平

IPC: G11B5/39

Abstract: 本实施方式的磁元件具备配线层和与所述配线层相接的第一铁磁性层，所述配线层包括晶质的第一层、和位于所述第一铁磁性层与所述第一层之间的非晶的第二层。

公开(公告)号：CN108780779B

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN201780016326.5

申请日：2017-06-09

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 柴田龙雄 ,  佐佐木智生

IPC: H10N50/01 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  H10N59/00 ,  H01L29/82 ,  H10N50/10 ,  H10N50/85

Abstract: 本发明提供一种交换偏置利用型磁化反转元件。在该交换偏置利用型磁化反转元件中，具备：反铁磁性驱动层(1)，其由第一区域(1a)和第二区域(1b)及位于这些区域之间的第三区域(1c)构成；磁耦合层(2)，其在第三区域(1c)中与反铁磁性驱动层(1)磁耦合；第一电极层(5)，其与第一区域(1a)接合；以及第二电极层(6)，其与第二区域(1b)接合。

公开(公告)号：CN110660907B

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN201910561313.7

申请日：2019-06-26

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 市川心人 ,  中田胜之 ,  佐佐木智生

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/85

Abstract: 一种磁阻效应元件，其具备第一铁磁性层、第二铁磁性层、和夹持于上述第一铁磁性层及上述第二铁磁性层之间的隧道势垒层，上述隧道势垒层是分别含有一层以上的具有尖晶石结构的第一氧化物层和具有组成与上述第一氧化物层不同的尖晶石结构的第二氧化物层的层叠体。

公开(公告)号：CN109545954B

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN201810035098.2

申请日：2018-01-15

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 盐川阳平 ,  佐佐木智生

IPC: H01L43/06 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L43/14

Abstract: 本发明提供能够减少磁化反转所需要的反转电流密度的自旋流磁化反转元件、自旋轨道转矩型磁阻效应元件和磁存储器。该自旋流磁化反转元件具有：沿第一方向延伸的自旋轨道转矩配线；和在与上述自旋轨道转矩配线交叉的第二方向层叠的第一铁磁性层，上述第一铁磁性层具有多个铁磁性结构层和夹在相邻的铁磁性结构层间的至少1层插入层，夹着上述多个铁磁性结构层中的至少1个铁磁性结构层的层的自旋霍尔角的极性不同。

公开(公告)号：CN110268530B

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN201880008927.6

申请日：2018-08-08

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐佐木智生 ,  盐川阳平

IPC: H01L29/82 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H03B15/00

Abstract: 该自旋流磁化反转元件(10)具备：自旋轨道转矩配线(2)，其沿第一方向(X)延伸；和第一铁磁性层(1)，其设置在与所述自旋轨道转矩配线的所述第一方向交叉的第二方向(Z)上，其中，所述自旋轨道转矩配线具有位于设置有所述第一铁磁性层一侧的第一表面(2a)和与所述第一表面相反的一侧的第二表面(2b)，所述自旋轨道转矩配线在所述第一表面具有：设置有所述第一铁磁性层的第一区域(2A)；和比所述第一区域更向所述第二表面侧凹陷的第二区域(2B)。

公开(公告)号：CN114639774A

公开(公告)日：2022-06-17

申请号：CN202111515848.4

申请日：2021-12-13

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 米村祥吾 ,  佐佐木智生 ,  柴田龙雄

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/02 ,  H01L27/22

Abstract: 本发明提供一种磁畴壁移动元件和磁阵列。该磁畴壁移动元件包括：层叠体，其位于基板的上方，具有从靠近所述基板的一侧起依次层叠的铁磁性层、非磁性层和磁畴壁移动层；第1导电层；和第1表面层，所述非磁性层被夹在所述铁磁性层与所述磁畴壁移动层之间，所述第1导电层连接于所述磁畴壁移动层的上表面，所述第1表面层与所述磁畴壁移动层的上表面的至少一部分接触，所述第1表面层的电阻率比所述磁畴壁移动层的电阻率高。

公开(公告)号：CN110392931B

公开(公告)日：2022-05-03

申请号：CN201880003798.1

申请日：2018-10-10

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐佐木智生

IPC: H01L29/82 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明提供一种自旋轨道转矩型磁化旋转元件，其具备沿第一方向延伸的自旋轨道转矩配线和层叠于所述自旋轨道转矩配线的一面的第一铁磁性层，所述自旋轨道转矩配线从所述第一铁磁性层侧起具有第一配线和第二配线，所述第一配线及所述第二配线均为金属，所述第一配线与所述第二配线相比，至少在‑40℃～100℃的温度区域中的电阻率的温度依存性大。