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61.반도체 다이아몬드 합성용 흑연재, 그 제조방법 및 흑연재를 사용하여 제조되는 반도체 다이아몬드 합성방법 失效
Title translation: 用于合成使用其的半导体金刚石和半导体金刚石的石墨材料公开(公告)号:KR100742059B1
公开(公告)日:2007-07-23
申请号:KR1020047009057
申请日:2001-12-28
Applicant: 도요탄소 가부시키가이샤
IPC: C01B31/06 , C01B31/04 , B01J3/06 , C04B35/528
CPC classification number: C04B35/645 , B01J3/062 , B01J3/065 , B01J3/067 , B01J2203/061 , B01J2203/0655 , B30B11/004 , B30B11/007 , C04B35/52 , C04B35/522 , C04B2235/421 , C04B2235/425 , C04B2235/427 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , C04B2235/9607
Abstract: 본 발명은 붕소를 함유한 반도체 다이아몬드를 고압 합성법으로 제조할 때, 반도체 다이아몬드로 전환하는 흑연재에 붕소 또는 붕소 화합물을 균질해지도록 첨가하여 치밀화하고 고순도화하여 수소 함유량을 감소시킬 수 있는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号:JP2018518636A
公开(公告)日:2018-07-12
申请号:JP2018518761
申请日:2016-06-22
Applicant: マウリシオ・ムレット・マルティネス
Inventor: マウリシオ・ムレット・マルティネス
CPC classification number: F15B3/00 , B01J3/065 , B01J3/067 , B26F1/26 , F04B3/00 , F04B9/10 , F04B9/12 , F04B25/00 , F04B37/12
Abstract: 超高圧圧力増幅装置または増圧器は、2つのピストンを伴う2つのシリンダで構成され、それらが同時に動作するように接続されたデバイスであり、入れ子状にされた単純な圧力増幅装置を(直列または並列で取り付けない)含むマルチチャンバに取り付けることができ、使用される単純な増幅装置に依拠して超高圧を増加させるために使用され得る。本発明によると、気体または液体の流れは圧力P1で入り、一旦圧力P1で満たされると、流れは、チャンバ1内に位置する単純な圧力増幅装置に入り、流れを2つに分割し、一方は圧力P2まで増加されて、チャンバ1内に位置する別のチャンバ2に収容され、圧力P0に下げられてチャンバ1から解放される他方によって解放されたエネルギーを使用する。いくつかの排出の後、チャンバ2が圧力P2であるとき、チャンバ2内に位置する別の単純な圧力増幅装置が動作を開始して、流れを分割し、一方は、圧力P1に下げられた他方からのエネルギーを使用して、圧力P3まで増加させる。いくつかの排出の後、チャンバ3は圧力P3となり、新たな単純な圧力増幅装置および別のチャンバ4が、圧力を増加させ続けるために準備されている。このように、新たな増幅装置を伴って、所望の圧力まで高めた超高圧Pnがチャンバnに到達し得る。各チャンバは、複数の壁または一連のサブチャンバによって形成されてもよく、より大きい抵抗が実現され得る。本発明はとりわけ、超高圧焼結、超高圧を使用する殺菌した食料品の調製、または材料の切断のために使用され得る。 【選択図】図4
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公开(公告)号:JP5978496B2
公开(公告)日:2016-08-24
申请号:JP2014561442
申请日:2013-03-13
Applicant: エレメント シックス テクノロジーズ リミテッド
Inventor: ボーズ ディートリッヒ , グラ オイゲン , ドッジ カールトン ナイジェル , スピット レイモンド アンソニー
CPC classification number: C30B9/00 , B01J23/75 , B01J23/755 , B01J23/8892 , B01J3/067 , B01J2203/0625 , B01J2203/068 , C30B29/04
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公开(公告)号:JP2015515373A
公开(公告)日:2015-05-28
申请号:JP2015505817
申请日:2013-04-08
Applicant: スミス インターナショナル インコーポレイテッド , スミス インターナショナル インコーポレイテッド
Inventor: スチュアート エヌ ミドルミス , スチュアート エヌ ミドルミス , ヤフア バオ , ヤフア バオ , ラン カーター , ラン カーター
CPC classification number: B30B15/34 , B01J3/067 , B30B11/004
Abstract: 2つ以上の断熱層を含む高圧高温セルが記載される。断熱層を通る電流経路であって、加熱要素に電気接続され、断熱層を通るまっすぐでない経路を有する、電流経路を含む高圧高温セルも記載される。また前述の高圧高温セルを単独で、または組み合わせて含む、高圧高温プレスシステムも開示される。【選択図】図1
Abstract translation: 高压包括两个或多个绝热层的高温电池进行说明。 通过绝缘层的电流路径,电连接到所述加热元件,它具有一个路径不是直的通过热绝缘层也被描述含有的电流路径的高压高温电池。 此外,还包括单独地或组合,高压,上述高温电池中,高压高温压机系统也被公开。 点域1
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公开(公告)号:JP2015514015A
公开(公告)日:2015-05-18
申请号:JP2015502243
申请日:2013-03-22
Applicant: エレメント、シックス、アブレイシブズ、ソシエテ、アノニムElement Six Abrasives S.A. , エレメント、シックス、アブレイシブズ、ソシエテ、アノニムElement Six Abrasives S.A.
Inventor: ドラガン、ブコビック
CPC classification number: B30B15/026 , B01J3/067 , B30B11/004 , B30B11/007
Abstract: 本体を加圧するためのプレスアセンブリは、フレームと、本体に荷重を加えるためのカートリッジとを備え、フレームがカートリッジを収容するためのボアを備える。プレスアセンブリは、カートリッジをボア内に軸方向に固定するための軸方向固定機構と、カートリッジをボア内に径方向に固定するための径方向固定機構とを更に備える。プレスアセンブリは、カートリッジをボア内で係止状態と非係止状態との間で回転させることができるように構成される。カートリッジが係止状態にあるときに、径方向固定機構と軸方向固定機構の両方が係合した状態にあるように、ならびに、カートリッジが非係止状態にあるときに、径方向固定機構と軸方向固定機構が両方とも解除された状態にあり、かつカートリッジをボア内で軸方向に変位可能にする間隙がカートリッジとボアとの間に存在するように、径方向固定機構と軸方向固定機構が、互いに対して協働するように構成される。
Abstract translation: 用于加压体压制组件包括框架,以及用于将负载施加到所述主体的卡盒,该帧中的孔,以容纳筒。 按组件还包括轴向锁定机构,用于在孔的轴向上的锁定仓,和一个径向锁定机构,用于在径向方向上进入孔锁定盒。 按组件被构造成能够在锁定状态之间旋转和Hikakari孔内锁定盒的状态。 当盒处于锁定状态,如在两者接合在径向固定机构和轴向固定机构,并且,当盒处于解锁状态时,径向固定机构和所述轴的状态下 在将方向固定机构被解除两者的状态下,并且使得间隙,以允许在盒轴向孔内的位移是盒和孔,径向固定机构和轴向锁定机构之间存在 配置成相对于彼此协作。
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公开(公告)号:JPWO2014027470A1
公开(公告)日:2016-07-25
申请号:JP2014530476
申请日:2013-02-06
Applicant: 国立大学法人愛媛大学
CPC classification number: C30B1/12 , B01J3/067 , B01J2203/061 , C04B35/52 , C04B35/645 , C04B2235/425 , C04B2235/5292 , C04B2235/81 , C04B2235/95 , C30B29/02 , C30B29/04
Abstract: 純粋な(単相)六方晶ダイヤモンドを、工業的に利用可能な程度の大きさで(バルクで)得ることのできる方法を提供する。モザイクスプレッドが5゜以下の高配向・高結晶性グラファイトを原料とし、それに20〜25GPaの圧力下において、1000〜1500℃の範囲内の温度を付与する。この方法により得られる六方晶ダイヤモンド単相バルク焼結体の大きさは、原料たる高配向・高結晶性グラファイトの大きさに依存するが、前記圧力および温度を全体に付与することができる限り(すなわち、高圧・高温付与装置の与圧室の大きさが許す限り)、任意の大きさのものを得ることができる。
Abstract translation: 将纯的(单相)六角菱形,提供了能够获得的程度工业上可获得的尺寸(散装)的方法。 镶嵌传播低于5°的高度取向,高度结晶的石墨作为原料,它在20〜25GPa的压力下,赋予在1000范围内的温度至1500℃.. 通过该方法获得的六角菱形单相散装烧结体的大小是依赖于原料供应高取向,高结晶性石墨的大小,只要它可以赋予整个压力和温度( 也就是说,只要在高压和高温沉积设备允许)的加压室的大小,能够得到任意大小。
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公开(公告)号:JP2015511930A
公开(公告)日:2015-04-23
申请号:JP2014561442
申请日:2013-03-13
Applicant: エレメント シックス テクノロジーズ リミテッド , エレメント シックス テクノロジーズ リミテッド
Inventor: ディートリッヒ ボーズ , ディートリッヒ ボーズ , オイゲン グラ , オイゲン グラ , カールトン ナイジェル ドッジ , カールトン ナイジェル ドッジ , レイモンド アンソニー スピット , レイモンド アンソニー スピット
IPC: C30B29/04 , B01J3/06 , B01J23/889 , C01B31/06
CPC classification number: C30B9/00 , B01J3/067 , B01J23/75 , B01J23/755 , B01J23/8892 , B01J2203/0625 , B01J2203/068 , C30B29/04
Abstract: 複数の合成単結晶ダイヤモンドを製造するための方法であって、複数の種粒子パッドを形成するステップであって、各種粒子パッドは、不活性ホルダに係止または埋設された複数の単結晶ダイヤモンド種粒子を含むステップと、炭素源、金属触媒、および複数の種粒子パッドをカプセルに投入するステップと、カプセルを高圧高温(HPHT)プレスに投入するステップと、カプセルをHPHT成長サイクルに供して、複数の単結晶ダイヤモンド種粒子上に単結晶ダイヤモンド材料を成長させるステップとを含み、HPHT成長サイクルは、圧力および温度を上昇させることにより、複数の単結晶ダイヤモンド種粒子上の単結晶ダイヤモンド材料のHPHT成長を開始させるステップと、圧力および温度を制御および維持することにより、圧力駆動成長プロセスを介して、複数の単結晶ダイヤモンド種粒子上の単結晶ダイヤモンド材料のHPHT成長を維持するステップと、圧力および温度を低下させることにより、複数の単結晶ダイヤモンド種粒子上の単結晶ダイヤモンド材料のHPHT成長を停止させるステップとを含み、複数の単結晶ダイヤモンド種粒子は、HPHT成長サイクル中、不活性ホルダに係止または埋設されたままである方法。
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公开(公告)号:JP4421745B2
公开(公告)日:2010-02-24
申请号:JP2000201997
申请日:2000-07-04
Applicant: 東洋炭素株式会社
IPC: B01J3/06 , B30B11/00 , C01B31/06 , C04B35/52 , C04B35/528 , C04B35/645
CPC classification number: C04B35/645 , B01J3/062 , B01J3/065 , B01J3/067 , B01J2203/061 , B01J2203/0655 , B30B11/004 , B30B11/007 , C04B35/52 , C04B35/522 , C04B2235/421 , C04B2235/425 , C04B2235/427 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C04B2235/96 , C04B2235/9607
Abstract: A method for producing a semiconductor diamond containing boron by the high pressure synthesis method, wherein a graphite material to be converted to the semiconductor diamond is mixed with boron or a boron compound, formed and fired, in such a way that the resultant graphite material contains a boron component uniformly dispersed therein and has an enhanced bulk density, a high purity and a reduced content of hydrogen.
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公开(公告)号:JP2004505765A
公开(公告)日:2004-02-26
申请号:JP2002519090
申请日:2001-08-08
Applicant: ゼネラル・エレクトリック・カンパニイGeneral Electric Company
Inventor: アンソニー,トマス・アール , ヴァガラリ,スレシュ・エス , ウェブ,スティーブン・ダブリュー , カジオグル,ヤヴズ , ケーシー,ジョン・ケー , ジャクソン,ウィリアム・イー , スミス・アラン・シー , バンホルツァー,ウィリアム・エフ
CPC classification number: B01J3/062 , B01J3/067 , B01J2203/062 , B01J2203/0655 , B01J2203/0695 , B24B19/16 , B30B11/004 , B30B11/007
Abstract: 本発明は、帯色天然ダイヤモンド、特にIIa型ダイヤモンド及び窒素が主にBセンターとして存在するIaA/B型ダイヤモンドを処理してその色を改善する方法に関する。 当該方法は、高圧/高温(HP/HT)プレス内での破壊を防止するため帯色天然ダイヤモンドをプレブロッキング及び予備整形し、帯色天然ダイヤモンドを圧力伝達媒体中に配置し、圧密化してピルとすることを含む。 次いで、ピルを、ダイヤモンドの色を改善するのに十分な時間、炭素状態図の黒鉛安定域又はダイヤモンド安定域内の高圧高温を有するHP/HTプレスに配置する。 最後に、ダイヤモンドをプレスから回収する。 この方法で無色及びファンシーカラーダイヤモンドを製造できる。
【選択図】図1-
公开(公告)号:EP2836335A1
公开(公告)日:2015-02-18
申请号:EP13775094.9
申请日:2013-04-08
Applicant: Smith International, Inc.
Inventor: MIDDLEMISS, Stewart N. , BAO, Yahua , CARTER, Lan
CPC classification number: B30B15/34 , B01J3/067 , B30B11/004
Abstract: A high-pressure high-temperature cell including two or more thermal insulation layers, is described. A high-pressure high-temperature cell including a current path through a thermal insulation layer, the current path being electrically connected to a heating element and having an indirect path through the thermal insulation layer, is also described. High- pressure high-temperature press systems including the foregoing the high-pressure high- temperature cells alone or in combination are also disclosed.
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