公开(公告)号：CN108227398A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711305669.1

申请日：2017-12-11

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 守屋光彦 ,  友野胜 ,  嶋田谅 ,  早川诚 ,  永原诚司

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70533 ,  G03F7/201 ,  G03F7/7005 ,  G03F7/70133 ,  G03F7/7055 ,  G03F7/70558 ,  G03F7/70725 ,  G03F7/70775 ,  G03F7/70808 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6776 ,  G03F7/7015 ,  G03F7/70733

Abstract: 本发明提供光处理装置和基板处理装置。提供一种在向晶圆的表面照射光而进行处理时、抑制生产率的降低而向晶圆进行稳定的光照射的技术。在使输入到成批曝光装置(3)内的晶圆(W)从输入输出口(34)侧朝向进行里侧的对位的待机位置(B)移动时，使作为光的照射口的狭缝(43)关闭。接下来，在使晶圆从待机位置向交接位置(A)移动时将开闭器(45)打开而向晶圆照射光。因而，在不以曝光为目的而使晶圆在LED光源组(400)的下方经过时，不对晶圆进行曝光，并且，保持使LED光源组发光的状态而使其不断开。因此，将LED光源组从断开切换成连通时的光强度的过度的偏离被抑制，因此，光强度稳定。

公开(公告)号：CN108205242A

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201711381750.8

申请日：2017-12-20

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 永原诚司 ,  友野胜 ,  福永信贵 ,  白石豪介

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/7055 ,  G03F7/16 ,  G03F7/201 ,  G03F7/2022 ,  G03F7/30 ,  G03F7/7005 ,  G03F7/70133 ,  G03F7/70558 ,  H01L21/027 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6715

Abstract: 本发明提供一种在利用多个发光区块形成带状的照射区域来对基片进行光处理时，能够将照射区域的长度方向的照度分布模式容易地高精度地调节到目标照度分布模式的技术。按每个发光区块(42)事先取得将照射区域的长度方向的位置与驱动电流的变化量引起的照度的变化量相对应的照度分布模式分布图的变化量即照度分布响应量，并将其存储到存储部中。而且，设置有运算处理部，其为了使照射区域的当前的长度方向的照度分布模式接近目标照度分布模式，基于发光区块(42)各自当前的电流指令值和存储于各发光区块的上述照度分布模式的变化量，求取(推算)各发光区块的电流指令值。

公开(公告)号：CN107621755A

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201710575782.5

申请日：2017-07-14

Applicant: 苏斯微技术光刻有限公司

Inventor： 保罗·凯撒

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/70191 ,  G02B26/08 ,  G03F7/20 ,  G03F7/2004 ,  G03F7/2008 ,  G03F7/201 ,  G03F7/7005 ,  G03F7/70075 ,  G03F7/70391 ,  G03F7/70575 ,  H01L21/027

Abstract: 一种用于光刻曝光系统(10)的光源布置(12)，包括：具有不同波长的至少三个光源(18、20、22)；以及分束单元(16)，其包括至少三个输入、一个输出和至少两个反射面。输入被分配给每个光源(18、20、22)和每个反射面。反射面将从分配给其对应输入的光源(20、22)发射的光反射到输出中。三个光源(18、20、22)被布置在分束单元(16)周围的三个不同的侧上。另外，示出了光刻曝光系统(10)。

公开(公告)号：CN104802400B

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201410698306.9

申请日：2014-11-27

Applicant: 上海普利生机电科技有限公司 ,  上海普利生信息科技有限公司

Inventor： 侯锋

IPC: B29C64/282 ,  B29C64/153 ,  B29C64/386 ,  B22F3/115 ,  B28B1/00 ,  B33Y30/00 ,  B33Y50/00

CPC classification number: G03F7/702 ,  B29C64/129 ,  B29C64/20 ,  B33Y30/00 ,  G03F7/0037 ,  G03F7/201 ,  G03F7/70416

Abstract: 本发明涉及一种3D打印设备的图像曝光系统，包括：空间光调制器，具有多个微镜，用于根据控制信号调节照射到其上的光的反射方向，其中每一微镜为凹面镜，将照射到其上的光会聚成尺寸小于微镜所对应的像素尺寸的微光斑；光源，产生一照射到空间光调制器上的光束；投影镜头，对准空间光调制器的第一方向，使光源通过各微镜所成的微光斑阵列投射到光敏材料表面；微位移驱动机构，连接空间光调制器，能够驱动空间光调制器在相互垂直的第三方向和第四方向移动，以微调微光斑阵列投影到光敏材料表面的位置；以及控制器，命令光源进行多次曝光，在每次曝光时命令微位移驱动机构进行移动，以将各次曝光的微光斑阵列投影到光敏材料表面的不同位置。

公开(公告)号：CN103592727B

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：CN201310357355.1

申请日：2013-08-16

Applicant: 超科技公司

Inventor： D·G·斯蒂特斯 ,  A·M·霍里鲁克

IPC: G02B6/42 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/201 ,  G03F7/70391 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/642 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种具有高收光效率的基于发光二极管的光刻发光器揭露于此。所述发光器使用发光二极管阵列，其中各发光二极管具有发光二极管晶粒以及散热器。发光二极管晶粒被成像在光均匀器柱的输入端以大致覆盖该输入端，而不包含发光二极管的不会发光的散热器部分。微透镜阵列用来成像发光二极管晶粒。发光器的收光效率比50%来的更好，且光均匀器的输出端的照明均匀性在+/‑2%以内。

公开(公告)号：CN104662477B

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：CN201380043823.6

申请日：2013-07-12

Applicant: 于利奇研究中心有限公司

Inventor： H.哈特德根 ,  M.米库利茨

IPC: G03F7/20

CPC classification number: G03F7/201 ,  G03F7/20 ,  G03F7/70383 ,  G03F7/70391

Abstract: 在本发明的框架内开发一种用于以光学方式将结构传输到记录介质中的方法，所述记录介质通过来自光子源的光子的照射能够局部地从第一未描画状态转变为第二描画状态。在此，记录介质的两种状态在记录介质的不同物理和/或化学特性中显现。根据本发明，选择至少一个具有少于每秒104个光子的光子流的光子源用于光子照射。已认识到，有利的是，利用这样少量的光子流能够传输特别精细的结构到记录介质中，而无需通过掩膜部分地遮挡照射。以该方式能够利用给定的光子波长（能量）来传输结构，所述结构明显小于由衍射极限预先确定的、所发出光子撞击的位置的概率分布的宽度。

公开(公告)号：CN105575776A

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201610004474.2

申请日：2016-01-04

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 张斌 ,  周婷婷 ,  刘震 ,  曹占锋 ,  舒适 ,  姚琪 ,  关峰

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/6675 ,  G03F7/094 ,  G03F7/16 ,  G03F7/20 ,  G03F7/201 ,  G03F7/2022 ,  G03F7/2026 ,  G03F7/203 ,  G03F7/40 ,  H01L21/027 ,  H01L21/0274 ,  H01L27/12 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/7869 ,  H01L21/0271 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/66742

Abstract: 本发明提供了一种掩膜图案的形成方法、薄膜晶体管及形成方法、显示装置，涉及显示技术领域，该掩膜图案的形成方法只需采用普通掩膜板即可形成厚度不均的掩膜图案，从而避免了采用半色调掩膜板。一种掩膜图案的形成方法，包括：在衬底上形成负性光刻胶；在无氧环境中，利用第一普通掩膜板对负性光刻胶进行第一次曝光，以使得负性光刻胶的完全固化部被曝光、半固化部和去除部不被曝光；在有氧环境中，利用第二普通掩膜板对负性光刻胶进行第二次曝光，以使得负性光刻胶的半固化部被曝光、去除部不被曝光；去除掉未固化的负性光刻胶，形成掩膜图案。本发明适用于掩膜图案的制作。

公开(公告)号：CN103353710B

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201310259659.4

申请日：2013-06-26

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方显示技术有限公司

Inventor： 万冀豫 ,  吴洪江 ,  黄常刚 ,  王耸 ,  张继凯

IPC: G03F7/24

CPC classification number: G03F7/201

Abstract: 本发明提供一种曝光装置、曝光系统和曝光方法，该曝光装置包括：提供曝光光线的光源系统，所述曝光光线为扩散光线；曝光光线经由掩模板照射到待曝光基板上，将所述掩模板的图案光刻到所述基板上。本发明的技术方案可以有效解决在大尺寸液晶显示装置基板制作过程中，因掩模板弯曲变形造成的基板上曝光图形尺寸偏差的问题，保证了基板图形关键尺寸准确性，进而改善了液晶显示装置的显示品质。

公开(公告)号：CN104395831A

公开(公告)日：2015-03-04

申请号：CN201380034890.1

申请日：2013-03-29

Applicant: 株式会社V技术

Inventor： 桥本和重 ,  新井敏成 ,  富冢吉博

IPC: G03F7/20 ,  F21S2/00 ,  F21V19/00 ,  H01L21/027 ,  F21Y103/00

CPC classification number: G03F7/201 ,  G03F7/2004

Abstract: 本发明提供一种曝光装置，其使用多个短尺寸灯作为光源，并能够以简单的结构进行照度不均较低的曝光。提供一种可轻松更换灯的曝光装置。曝光装置(100)具有：搬送部(2)，向搬送方向搬送被曝光体(11)；及光照射部(3)，在水平面内以规定间隔排列配置有具备长边方向的长度比被曝光体(11)短的棒状光源(32)及配置于光源(32)与被曝光体(11)之间的偏光器(34)的多个光照射单元(31)，光照射单元(31)配置成光源(32)及偏光器(34)相对于被曝光体(11)平行，且各偏光器(34)的偏振轴的方向相对于搬送方向设定为规定方向，各光源(32)配置成光源(32)的长边方向相对于搬送方向平行或成为倾斜方向。曝光装置(100)具有摆动机构(56b)，所述摆动机构使被曝光体(11)或光照射部(3)向相对于搬送方向交叉的方向摆动。

公开(公告)号：CN102147498A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN201110032702.4

申请日：2011-01-30

Applicant: 通用汽车环球科技运作有限责任公司

Inventor： J.A.洛克

IPC: G02B6/138 ,  G03F7/00 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F1/50 ,  G02B2006/1219 ,  G03F7/201 ,  G03F7/2041

Abstract: 本发明涉及微桁架加工工艺的光约束方案，具体提供一种用于制作辐射固化结构的系统。该系统包括：具有第一折射率的辐射敏感材料；由具有第二折射率的掩模材料形成的掩模；和辐射源。掩模介于辐射源和辐射敏感材料之间，并且具有多个大体上辐射透射的孔。辐射源配置成能够产生用于进行引发、聚合和交联辐射敏感材料中的至少一种操作的辐射束。所述系统具有下列特征中的至少一项:a）在辐射源和掩模之间设置有至少一个法线面，b）在辐射源和掩模之间设置有具有第三折射率的折射流体，和c）在掩模和辐射敏感材料之间设置有具有第三折射率的折射流体。本发明还提供一种用于制作辐射固化结构的方法。