线束
    71.
    发明公开
    线束 审中-实审

    公开(公告)号:CN118891689A

    公开(公告)日:2024-11-01

    申请号:CN202380021652.0

    申请日:2023-02-08

    Inventor: 萩真博

    Abstract: 一种线束(W),具备第1电线(10)、第2电线(20)以及连接部件(30)。第1电线(10)具有第1芯线(11)。第2电线(20)具有第2芯线(21)。连接部件(30)使第1芯线(11)与第2芯线(21)电连接。连接部件(30)具有第1连接部(31)、第2连接部(32)以及波纹部(33)。第1连接部(31)与第1芯线(11)电连接。第2连接部(32)与第2芯线(21)电连接。波纹部(33)设置于第1连接部(31)与第2连接部(32)之间,呈波纹形状。

    绞线、绝缘电线以及电缆
    72.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118891688A

    公开(公告)日:2024-11-01

    申请号:CN202380026879.4

    申请日:2023-01-19

    Abstract: 绞线是多个子绞线被相互绞合而成的绞线。子绞线分别具有多个素线被相互绞合而成的相同的结构,其中,多个素线的与长尺寸方向垂直的截面形状为相同直径的圆形。素线包括:钢制的芯线;以及铜或铜合金制的被覆层,覆盖芯线的表面。子绞线的绞距为子绞线的外接圆的直径的40倍以上。绞线的绞距为绞线的外接圆的直径的5倍以上且20倍以下。

    电源控制装置
    74.
    发明公开
    电源控制装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN118843560A

    公开(公告)日:2024-10-25

    申请号:CN202280093549.2

    申请日:2022-03-31

    Abstract: 电源控制装置(10)具有充放电部(18)和控制充放电部(18)的控制部(23)。充放电部(18)进行基于来自蓄电部(3)的电力向负载(4)供给电力的放电动作、基于来自蓄电部(3)的电力向电源部(2)供给电力的再生动作以及基于来自电源部(2)的电力向蓄电部(3)供给电力的充电动作。控制部(23)基于再生动作时和再生动作后的充电动作时中的至少任一方的蓄电部(3)的电压值及流向蓄电部(3)的电流值来判定蓄电部(3)的劣化度。

    电气设备
    77.
    发明公开
    电气设备 审中-实审

    公开(公告)号:CN118786761A

    公开(公告)日:2024-10-15

    申请号:CN202380025149.2

    申请日:2023-03-17

    Abstract: 电气设备(1)具备:继电器(30),具备继电器端子(32),通过通电而发热;及中间汇流条(50),与继电器端子(32)连接。中间汇流条(50)具备:第一汇流条片(51),具备第一内侧层叠部(52)和第一分离部(53),所述第一内侧层叠部(52)与继电器端子(32)连接,所述第一分离部(53)与第一内侧层叠部(52)相连;及第二汇流条片(61),具备第一外侧层叠部(54)和第二分离部(63),所述第一外侧层叠部(54)层叠于第一内侧层叠部(52),所述第二分离部(63)与第一外侧层叠部(54)相连且与第一分离部(53)分离地配置。

    电线导体、绝缘电线及线束
    78.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118786490A

    公开(公告)日:2024-10-15

    申请号:CN202380025689.0

    申请日:2023-03-07

    Abstract: 本发明提供一种电线导体、具备这样的电线导体的绝缘电线及线束,所述电线导体是将绞合线材而成的绞线成形为扁平形状的电线导体,能够确保高柔软性。电线导体(1)构成为包括多根绞合多根线材(3)而成的子绞线(2)的绞线,所述绞线(2)的与轴线方向交叉的截面具有扁平部,该扁平部形成为宽度方向的尺寸(w)比高度方向的尺寸(h)大的扁平形状,在所述扁平部中,将所述子绞线(2)中的构成配置于所述扁平部的外周的外层子绞线(2o)的所述线材(3)的总数设为外层线材数,将构成配置于所述外层子绞线(2o)的内侧的内层子绞线(2i)的所述线材(3)的总数设为内层线材数,所述外层线材数相对于所述内层线材数的比率为2.0以上。

    放大电路
    79.
    发明公开
    放大电路 审中-公开

    公开(公告)号:CN118782606A

    公开(公告)日:2024-10-15

    申请号:CN202410006111.7

    申请日:2024-01-03

    Inventor: 菊池宪

    Abstract: 放大电路具备半导体层、第一FET以及第二FET,第一FET具备:第一源电极,高频连接于第一基准电位;第一栅电极,供高频信号输入;第一漏电极;以及第一场板,至少一部分设于第一栅电极与第一漏电极之间的半导体层的上方,第二FET具备:第二源电极,电连接于第一漏电极;第二栅电极,高频连接于第二基准电位;第二漏电极,供高频信号输出;以及第二场板,至少一部分设于第二栅电极与第二漏电极之间的半导体层的上方,第一栅电极的与半导体层对置的面中靠近第一漏电极的端部与第一场板的靠近第一漏电极的端部的第一距离,比第二栅电极的与半导体层对置的面中靠近第二漏电极的端部与第二场板的靠近第二漏电极的端部的第二距离短。

    碳化硅衬底
    80.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112531019B

    公开(公告)日:2024-10-11

    申请号:CN202011131017.2

    申请日:2015-08-31

    Inventor: 冲田恭子

    Abstract: 本发明涉及碳化硅衬底。所述碳化硅衬底具有主表面,所述主表面具有小于或等于0.1nm的表面粗糙度(Ra),以及所述主表面包含钒、钨、钼、铂、镍、钛、锆和铬,在所述主表面中,钒、钨、钼、铂、镍、钛、锆和铬各自具有小于或等于1.0×1012原子/cm2的浓度,其中,在所述主表面中的钒、钨、钼、铂和锆中的每一个具有大于或等于1.0×106原子/cm2的浓度。

Patent Agency Ranking