公开(公告)号：TW202011480A

公开(公告)日：2020-03-16

申请号：TW108124254

申请日：2019-07-10

Applicant: 荷蘭商ASM IP 控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 佛沃特 雷奈 亨利克斯 約瑟夫 ,  VERVUURT, RENE HENRICUS JOZEF ,  小林伸好 ,  KOBAYASHI, NOBUYOSHI ,  堤隆嘉 ,  TSUTSUMI, TAKAYOSHI ,  堀勝 ,  HORI, MASARU

IPC: H01L21/311

Abstract: 於一些實施例中，藉由化學原子層蝕刻於反應室中相對於基板第二表面而對基板第一表面進行之選擇性循環（可視情況為乾式）蝕刻包括，使用第一電漿形成修飾層，並蝕刻該修飾層。該第一表面包括碳及/或氮化物，而該第二表面不包括碳及/或氮化物。

Abstract in simplified Chinese: 于一些实施例中，借由化学原子层蚀刻于反应室中相对于基板第二表面而对基板第一表面进行之选择性循环（可视情况为干式）蚀刻包括，使用第一等离子形成修饰层，并蚀刻该修饰层。该第一表面包括碳及/或氮化物，而该第二表面不包括碳及/或氮化物。

公开(公告)号：TWI687541B

公开(公告)日：2020-03-11

申请号：TW105101795

申请日：2016-01-21

Applicant: 荷蘭商ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 塔勒 約翰 ,  TOLLE, JOHN ,  希爾 艾瑞克 R. ,  HILL, ERIC R.

IPC: C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  C23C16/02 ,  C23C16/458 ,  C23C16/455

公开(公告)号：TWI687536B

公开(公告)日：2020-03-11

申请号：TW108105023

申请日：2015-10-22

Applicant: 荷蘭商ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 賀加蘇維 ,  HAUKKA,SUVI ,  吉文斯麥克 ,  GIVENS,MICHAEL ,  雪洛艾立克 ,  SHERO,ERIC ,  溫克傑利 ,  WINKLER,JERRY ,  拉薩內尼佩托 ,  RAISANEN,PETRI ,  阿西凱寧泰瑪 ,  ASIKAINEN,TIMO ,  朱馳宇 ,  ZHU,CHIYU ,  安提拉雅各 ,  ANTTILA,JAAKKO

IPC: C23C16/08 ,  C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/52 ,  C23C16/56

公开(公告)号：TW202008424A

公开(公告)日：2020-02-16

申请号：TW108120080

申请日：2019-06-11

Applicant: 荷蘭商ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 堅固山裕子 ,  KENGOYAMA, YUKO ,  吉田嵩志 ,  YOSHIDA, TAKASHI

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/3065

Abstract: 基底處理方法的範例包括：使放置在基座上的基底經過電漿處理；只有既定的靜電移除時間施加功率至面向基座的RF電極以產生電漿，藉此降低基底的電荷量；當使基座接腳從基座上表面突出並舉起基底時，測量RF電極的自偏壓電壓；以及利用控制器，當自偏壓電壓具有正值時，縮短靜電移除時間，並且當自偏壓電壓具有負值時，加長靜電移除時間。

Abstract in simplified Chinese: 基底处理方法的范例包括：使放置在基座上的基底经过等离子处理；只有既定的静电移除时间施加功率至面向基座的RF电极以产生等离子，借此降低基底的电荷量；当使基座接脚从基座上表面突出并举起基底时，测量RF电极的自偏压电压；以及利用控制器，当自偏压电压具有正值时，缩短静电移除时间，并且当自偏压电压具有负值时，加长静电移除时间。

公开(公告)号：TW202007792A

公开(公告)日：2020-02-16

申请号：TW108126178

申请日：2019-07-24

Applicant: 荷蘭商ASM 智慧財產控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 馬明陽 ,  MA, MINGYANG ,  蘇俊威 ,  SU, JUNWEI ,  迪摩斯 亞歷山德羅斯 ,  DEMOS, ALEXANDROS ,  林興 ,  LIN, XING ,  金 S ,  KIM, SAM ,  巴萊特 葛雷葛瑞 麥可 ,  BARTLETT, GREGORY MICHAEL

IPC: C23C16/455

Abstract: 本揭示內容揭示一種氣體注入系統、一種包括該氣體注入系統之反應器系統、以及使用該氣體注入系統及反應器系統之方法。該氣體注入系統可用於氣相反應器系統中以獨立地監測及控制耦接至一反應腔室之一氣體注入系統之複數個通道中的氣體流動速率。

Abstract in simplified Chinese: 本揭示内容揭示一种气体注入系统、一种包括该气体注入系统之反应器系统、以及使用该气体注入系统及反应器系统之方法。该气体注入系统可用于气相反应器系统中以独立地监测及控制耦接至一反应腔室之一气体注入系统之复数个信道中的气体流动速率。

公开(公告)号：TW202003914A

公开(公告)日：2020-01-16

申请号：TW108117489

申请日：2019-05-21

Applicant: 荷蘭商ASM 智慧財產控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 卡赫爾 克日什托夫 卡米爾 ,  KACHEL, KRZYSZTOF KAMIL ,  富朗 艾莉娜 ,  FARM, ELINA

IPC: C23C16/52 ,  H01L21/205

Abstract: 本發明揭露一種滲入設備。該滲入設備可包括：一反應室，其經建構並配置成用以固持其上設有一可滲性材料之至少一基板；一第一前驅物源，其經建構並配置蒸氣；一前驅物分佈系統及移除系統，其經建構並配置成用以向該反應室提供來自該第一前驅物源之該第以向該反應室提供來自該第一前驅物源之該第一前驅物之該蒸氣，並用以將該第一前驅物之該蒸氣從該反應室移除；以及一順序控制器，其以可操作方式連接至該前驅物分佈系統及移除系統，並包括設有一程式之一記憶體，以於該順序控制器上運作時藉由以下來執行對該可滲性材料之滲透:啟動該前驅物分佈系統及移除系統，以提供該第一前驅物之該蒸氣至該反應室中該基板上之該可滲性材料，以藉由該第一前驅物之該蒸氣與該可滲性材料之反應，使該反應室中該基板上之該可滲性材料被矽原子滲入。本發明亦提供滲入方法及包含有被滲材料之半導體裝置結構。

Abstract in simplified Chinese: 本发明揭露一种渗入设备。该渗入设备可包括：一反应室，其经建构并配置成用以固持其上设有一可渗性材料之至少一基板；一第一前驱物源，其经建构并配置蒸气；一前驱物分布系统及移除系统，其经建构并配置成用以向该反应室提供来自该第一前驱物源之该第以向该反应室提供来自该第一前驱物源之该第一前驱物之该蒸气，并用以将该第一前驱物之该蒸气从该反应室移除；以及一顺序控制器，其以可操作方式连接至该前驱物分布系统及移除系统，并包括设有一进程之一内存，以于该顺序控制器上运作时借由以下来运行对该可渗性材料之渗透:启动该前驱物分布系统及移除系统，以提供该第一前驱物之该蒸气至该反应室中该基板上之该可渗性材料，以借由该第一前驱物之该蒸气与该可渗性材料之反应，使该反应室中该基板上之该可渗性材料被硅原子渗入。本发明亦提供渗入方法及包含有被渗材料之半导体设备结构。

公开(公告)号：TWI682454B

公开(公告)日：2020-01-11

申请号：TW107123992

申请日：2018-07-12

Applicant: 荷蘭商ASM知識產權私人控股有限公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 金永勳 ,  KIM, YOUNG HOON ,  崔鐘完 ,  CHOI, JONG WAN ,  禹正俊 ,  WOO, JEONG JUN ,  柳太熙 ,  YOO, TAE HEE

IPC: H01L21/306 ,  H01L21/311

公开(公告)号：TWD200220S

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：TW108301144

申请日：2019-02-27

Applicant: 荷蘭商ASM知識產權私人控股有限公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Designer： 李承桓 ,  LEE, SEUNG HWAN ,  權學龍 ,  KWON, HAK YONG ,  金鐘隨 ,  KIM, JONG SU ,  金成培 ,  KIM, SUNG BAE ,  朴柱赫 ,  PARK, JU HYUK

公开(公告)号：TWI673761B

公开(公告)日：2019-10-01

申请号：TW105109098

申请日：2016-03-24

Applicant: 荷蘭商ASM IP控股公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 波爾 維爾傑米 J. ,  PORE, VILJAMI J. ,  木村祥亮 ,  KIMURA, YOSUKE ,  難波邦年 ,  NAMBA, KUNITOSHI ,  安達渉 ,  ADACHI, WATARU ,  福田秀明 ,  FUKUDA, HIDEAKI ,  納盆 維爾納 ,  KNAEPEN, WERNER ,  皮耶賀 迪特爾 ,  PIERREUX, DIETER ,  宗補羅度 伯特 ,  JONGBLOED, BERT

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/30 ,  C23C16/455

公开(公告)号：TWI663653B

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：TW107112773

申请日：2018-04-13

Applicant: 荷蘭商ASM知識產權私人控股有限公司 ,  ASM IP HOLDING B.V.

Inventor： 柳太熙 ,  YOO, TAE HEE ,  閔允基 ,  MIN, YOON KI ,  劉龍珉 ,  YOO, YONG MIN

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/20 ,  H01L21/332 ,  H01L21/768 ,  H01L27/105