公开(公告)号：EP2179136B1

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：EP08785681.1

申请日：2008-08-22

Applicant: Espros Photonics AG

Inventor： DE COI, Beat ,  LEIPOLD, Dirk

IPC: E21D9/14 ,  E21F17/16

CPC classification number: E21F17/16 ,  E21D9/14

公开(公告)号：EP2549536A1

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：EP11006012.6

申请日：2011-07-22

Applicant: Espros Photonics AG

Inventor： Popp, Martin ,  De Coi, Beat ,  Annese, Marco

IPC: H01L27/146

Abstract: Vorgeschlagen wird eine Halbleiterstruktur (1, 101, 201) zur Photonendetektion, umfassend: ein Substrat (2, 102, 202) aus einem Halbleitermaterial mit einer ersten Dotierung, einen Kontaktbereich (3, 103, 203), der an der Vorderseite des Substrates angebracht ist, eine Bias-Schicht (4, 104, 204) aus einem Halbleitermaterial mit einer zweiten Dotierung, welche auf der Rückseite des Substrats beabstandet vom Kontaktbereich angeordnet ist, wobei der Kontaktbereich wenigstens teilweise der Bias-Schicht gegenüber liegt, so dass in lateraler Richtung ein Überlappbereich vorhanden ist, ein Guardring (5, 105, 205), der an der Vorderseite des Substrats angeordnet ist und den Kontaktbereich umgibt, wobei zwischen dem Kontaktbereich und dem Guardring eine Sperrspannung anlegbar ist. Um eine kostengünstigere Fertigung zu ermöglichen, weist der Überlappbereich eine laterale Ausdehnung auf, die wenigstens ein Viertel der Distanz zwischen Kontaktbereich und Bias-Schicht beträgt.

Abstract translation: 该结构即光电检测器（1）具有由半导体材料制成的偏置层（4），该偏置层（4）布置在与接触区域（3）（即桶）间隔开的衬底（2）的后侧。 接触区域与偏置层相对地部分放置。 保护结构的保护环（5）布置在基板的前侧，并且围绕接触区域。 在接触区域和环之间施加反向电压。 重叠区域表现出横向尺寸，其是接触区域和偏置层之间的距离的四分之一。 基板由浮区硅胶制成。

公开(公告)号：EP3349043A1

公开(公告)日：2018-07-18

申请号：EP17151300.5

申请日：2017-01-13

Applicant: Espros Photonics AG

Inventor： DE COI, Beat ,  POPP, Martin

IPC: G01S17/89

CPC classification number: G01S17/32 ,  G01S7/4863 ,  G01S7/4913 ,  G01S17/89 ,  H01L27/14609

Abstract: Vorgeschlagen werden ein Verfahren zum Auslesen eines Demodulationspixels (1) eines Entfernungssensors zur Bestimmung einer Entfernung, insbesondere zur Bestimmung der Differenz zweier Ladungsmengen (11A, 11B) unabhängig vom Gesamtbetrag der Ladungsmengen (11A, 11B), sowie ein Entfernungssensor. Zur schnelleren Signalverarbeitung sind ein Anlegen einer variablen Steuerspannung an die Transfergates (5A, 5B) zur Beeinflussung des Potentialwalls (4A, 4B) und ein Absenken der jeweiligen Potentialwälle (4A, 4B) der entsprechenden Transfergates (5A, 5B), bevor bzw. bis aus den Storagegates (2A, 2B) jeweils Ladungsträger den jeweiligen Potentialwall (4A, 4B) des entsprechenden Transfergates (5A, 5B) überwinden und zur zugeordneten Floating-Diffusion (6A, 6B) passieren können, vorgesehen.

公开(公告)号：EP3211673A1

公开(公告)日：2017-08-30

申请号：EP17164857.9

申请日：2016-02-16

Applicant: Espros Photonics AG

Inventor： De Coi, Beat

IPC: H01L27/146

Abstract: Der erfindungsgemäße Bildsensor ist ein Bildsensor mit einer Matrix aus Pixeln zur Erzeugung eines resultierenden Bildes mit höherem Dynamikbereich aus der Aufnahme von 2 Ursprungsbildern, wobei die Pixel des Bildsensors wie Demodulationspixel ausgebildet sind, mit jeweils einem Umwandlungsbereich zur Generation von Ladungsträgern aus der empfangenen Strahlung, einer Trenneinrichtung zur zeitlichen Trennung der generierten Ladungsträger in 2 Ladungsträgerströme, einer Speichereinrichtung mit 2 Speichern zur getrennten Speicherung der Ladungsträger der 2 Ladungsträgerströme, und einer Ausleseeinrichtung zur Umwandlung der gespeicherten Ladungsträger in elektrische Signale, wobei die Trenneinrichtung dazu ausgebildet ist, die Trennung der in einer Periode generierten Ladungsträger in 2 unterschiedlichen Zeitdauern auszuführen.

Abstract translation: 根据本发明的图像传感器是具有象素，以产生具有从2个原始图像升起更高的动态范围得到的图像的矩阵的图像传感器，如解调所述图像传感器的像素形成，每个具有一个转换区域用于产生电荷载流子从所述接收到的辐射，一个 分离装置，用于在2倍载体的电流载流子的时间分离，存储用于2个载波电流的载流子的分离的存储的存储装置2，以及用于将所存储的电荷载流子转变为电信号的读出装置，其特征在于，所述分离装置在一段适于的分离 在2个不同的时间段内产生生成的电荷载流子。

公开(公告)号：EP3208850A1

公开(公告)日：2017-08-23

申请号：EP16156012.3

申请日：2016-02-16

Applicant: Espros Photonics AG

Inventor： De Coi, Beat

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H04N5/2355 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/14609 ,  H04N5/265 ,  H04N5/3765 ,  H04N5/378 ,  H04N5/76

Abstract: Der erfindungsgemäße Bildsensor (10) ist ein Bildsensor mit einer Matrix aus Pixeln zur Erzeugung eines resultierenden Bildes mit höherem Dynamikbereich aus der Aufnahme von 2 Ursprungsbildern, wobei die Pixel des Bildsensors wie Demodulationspixel ausgebildet sind, mit jeweils einem Umwandlungsbereich (20) zur Generation von Ladungsträgern aus der empfangenen Strahlung (90), einer Trenneinrichtung (30) zur zeitlichen Trennung der generierten Ladungsträger in 2 Ladungsträgerströme, einer Speichereinrichtung (40) mit 2 Speichern zur getrennten Speicherung der Ladungsträger der 2 Ladungsträgerströme, und einer Ausleseeinrichtung (50) zur Umwandlung der gespeicherten Ladungsträger in elektrische Signale, wobei die Trenneinrichtung dazu ausgebildet ist, die Trennung der in einer Periode generierten Ladungsträger in 2 unterschiedlichen Zeitdauern auszuführen.

Abstract translation: 根据本发明（10）的图像传感器，是具有像素，以产生具有从2个原始图像升起更高的动态范围得到的图像的矩阵的图像传感器，如解调所述图像传感器的像素形成，每个具有用于生成载流子的转换部分（20） 从用于将存储在所述接收的辐射（90），电荷载流子的在2倍载体的电流的时间分离的分离装置（30），存储器装置（40）与2保存为2个载波电流的载流子的单独的存储和读出装置（50） 以电信号对载流子进行充电，其中分离装置适于执行在两个不同时间段内的时段中产生的电荷载流子的分离。

公开(公告)号：EP3191870A1

公开(公告)日：2017-07-19

申请号：EP16701177.4

申请日：2016-01-22

Applicant: Espros Photonics AG

Inventor： POPP, Martin

IPC: G01S17/89 ,  G01S7/491

CPC classification number: G01S17/89 ,  G01S7/4914

Abstract: The invention relates to a TOF distance sensor for detecting a distance to an object by receiving radiation which is reflected by the object and emanates from a radiated source modulated by a modulation frequency and having a pixel matrix for recording a pixel image. The pixel matrix consists of demodulation pixels which are designed to receive the radiation on the rear side. The demodulation pixels have a conversion region for generating charge carriers from the received radiation, and a separating device for separating the charge carriers according to the modulation frequency, and a diaphragm for partitioning the conversion region from the separating device with regard to the charge carriers and also a diaphragm opening to allow passage of the charge carriers from the conversion region into the separating device. The TOF distance sensor is designed such that in each case at least two demodulation pixels form a common diaphragm opening.

Abstract translation: TOF距离传感器技术领域本发明涉及一种TOF距离传感器，用于通过接收由物体反射并且从由调制频率调制的辐射源发出并具有用于记录像素图像的像素矩阵的辐射来检测到物体的距离。 像素矩阵由解调像素组成，这些解调像素被设计成在后侧接收辐射。 解调像素具有用于从接收的辐射产生电荷载流子的转换区域和用于根据调制频率分离电荷载流子的分离装置以及用于相对于电荷载流子从分离装置分离转换区域的膜片和 还包括隔膜开口以允许电荷载体从转换区域进入分离装置。 TOF距离传感器被设计成使得在每种情况下至少两个解调像素形成共同的光圈开口。

公开(公告)号：EP2950057B1

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：EP14193626.0

申请日：2014-11-18

Applicant: Espros Photonics AG

Inventor： De Coi, Beat

IPC: G01D5/347 ,  G01D5/36 ,  H04N1/00 ,  G01P3/38

CPC classification number: G06T7/0004 ,  G01D5/3473 ,  G01D5/36 ,  G01P3/38 ,  G06T2207/30164

公开(公告)号：EP2743724B1

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：EP12008305.0

申请日：2012-12-12

Applicant: Espros Photonics AG

Inventor： HUBER, Dieter ,  LEDERGERBER, Markus

IPC: G01S17/08 ,  G01S7/486

CPC classification number: G01S17/08 ,  G01S7/4865

公开(公告)号：EP2701181A2

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：EP13005381.2

申请日：2011-08-26

Applicant: Espros Photonics AG

Inventor： De Coi, Beat ,  Popp, Martin ,  Annese, Marco

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/32139 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338

Abstract: Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen auf einem Substrat mit fotolithographischen Strukturierungsschritten, bei welchem auf dem Substrat eine erste zu strukturierende Schicht und eine für die erste zu strukturierende Schicht als Maskenschicht dienende zweite Schicht aufgebracht wird, dadurch gekennzeichnet, dass eine als Maske für die zweite Schicht dienende dritte Schicht (401) aufgebracht wird und dass nacheinander zumindest zwei fotolithografische Strukturierungsprozesse für die zweite Schicht durchgeführt werden, wobei bei einem der Strukturierungsprozesse nach der Erzeugung einer Struktur aus einer fotoempfindlichen Schicht zur Bereitstellung einer Maskenschicht für einen Strukturierungsprozess an der dritten Schicht (401), an den Strukturierungsrändern der dritten Schicht positive Rampenwinkel α erzeugt werden, wodurch sich die freibleibenden Strukturen (420) bei einer Dicke h der dritten Schicht um einen Wert D=2*h/tanα verkleinern und wobei beim Anderen der Strukturierungsprozesse nach der Erzeugung einer Struktur aus einer fotoempfindlichen Schicht für die Bereitstellung einer Maskeschicht für einen Strukturierungsprozess an der dritten Schicht (401), an den Strukturierungsrändern der dritten Schicht negative Rampenwinkel β erzeugt werden, wobei sich die verbleibenden Strukturen bei einer Dicke h der dritten Schicht um einen Wert W=2*h/tanβ verkleinern und wobei auf der Basis der jeweils strukturierten dritten Schicht (401) eine Strukturierung der zweiten Schicht erfolgt.

Abstract translation: 多晶硅层涂布在基材上。 氧化硅层施加多晶硅层上。 的聚合物层（401）施加在硅氧化物层。 两个光刻图案化工艺是通过使用聚合物层作为掩模连续地进行对硅氧化物层。该正斜坡角度图案化工艺中的一个期间，在聚合物层的边缘图案化生产的，生产的从光敏层由结构之后。 负斜面角度在期间的其他图案化工艺的聚合物层的边缘图案化产生的。 几个开口（420）在聚合物层中搜索被形成确实开口的尺寸是等于完整性和聚合物层的厚度的乘积相对于聚合物层和基板的平面的倾斜边界之间形成的角度。 的图案线被形成在感光层搜索做的线的宽度等于整数和聚合物层的高度的产品相对于基材和表面向内倾斜的边缘之间形成的角度。 一个独立的claimsoft包括用于安装有半导体元件的基板。