公开(公告)号：TW200911058A

公开(公告)日：2009-03-01

申请号：TW097108448

申请日：2008-03-11

Applicant: MEC股份有限公司 MEC COMPANY LTD.

Inventor： 中村幸子 NAKAMURA, SACHIKO ,  池尻篤泰 IKEJIRI, SHIGEHIRO ,  前田幸弘 MAEDA, YUKIHIRO ,  中島慶一 NAKAJIMA, KEIICHI

IPC: H05K ,  B23K

Abstract: 本發明之目的係在於提供一種印刷配線板之製造方法,係以直接雷射加工於多層積層板上形成通孔時,位於通孔底部內層之銅層或多層積層板表面側之銅層表面不會過度蝕刻就能將銅之飛散物確實除去。於多層積層板之最外層之銅7或銅合金表面以雷射光照射來形成通孔之配線板之製造方法中,雷射光照射後於該最外層之銅7或銅合金表面,以噴霧處理之方式,來和蝕刻速度╱浸漬處理之蝕刻速度之比為3~5之含有硫酸以及過氧化氫之蝕刻液21做接觸。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之目的系在于提供一种印刷配线板之制造方法,系以直接激光加工于多层积层板上形成通孔时,位于通孔底部内层之铜层或多层积层板表面侧之铜层表面不会过度蚀刻就能将铜之飞散物确实除去。于多层积层板之最外层之铜7或铜合金表面以激光光照射来形成通孔之配线板之制造方法中,激光光照射后于该最外层之铜7或铜合金表面,以喷雾处理之方式,来和蚀刻速度╱浸渍处理之蚀刻速度之比为3~5之含有硫酸以及过氧化氢之蚀刻液21做接触。

公开(公告)号：TW200831710A

公开(公告)日：2008-08-01

申请号：TW096135027

申请日：2007-09-20

Applicant: MEC股份有限公司 MEC COMPANY LTD.

Inventor： 秋山大作 AKIYAMA, DAISAKU ,  片山大輔 KATAYAMA, DAISUKE

IPC: C23F

CPC classification number: H05K3/26 ,  C23F1/30 ,  C23F1/44 ,  H05K3/108 ,  H05K3/181 ,  H05K2201/0761

Abstract: 本發明之金屬除去液,係用以除去鈀、錫、銀、鈀合金、銀合金及錫合金之溶液,於前述金屬除去液中含有鏈狀硫羰基化合物。本發明之鈀、錫、銀、鈀合金、銀合金及錫合金之除去方法,係使用含有鏈狀硫羰基化合物之金屬除去液,從含有銅或銅合金以及擇自於鈀、錫、銀、鈀合金、銀合金及錫合金中至少1種金屬之系統中,將銅或銅合金以外之金屬選擇性地除去。藉此,不侵蝕(侵襲)銅,且鈀、錫、銀、鈀合金、銀合金及錫合金等之除去性高,且不含有害物質,故能提供處理容易,可提供將鈀、錫、銀、鈀合金、銀合金及錫合金予以選擇性地除去之金屬除去液及使用該液之金屬除去方法。

Abstract in simplified Chinese: 本发明之金属除去液,系用以除去钯、锡、银、钯合金、银合金及锡合金之溶液,于前述金属除去液中含有链状硫羰基化合物。本发明之钯、锡、银、钯合金、银合金及锡合金之除去方法,系使用含有链状硫羰基化合物之金属除去液,从含有铜或铜合金以及择自于钯、锡、银、钯合金、银合金及锡合金中至少1种金属之系统中,将铜或铜合金以外之金属选择性地除去。借此,不侵蚀(侵袭)铜,且钯、锡、银、钯合金、银合金及锡合金等之除去性高,且不含有害物质,故能提供处理容易,可提供将钯、锡、银、钯合金、银合金及锡合金予以选择性地除去之金属除去液及使用该液之金属除去方法。

公开(公告)号：TWI298312B

公开(公告)日：2008-07-01

申请号：TW093119405

申请日：2004-06-30

Applicant: MEC股份有限公司 MEC COMPANY LTD.

Inventor： 王谷稔 OTANI, MINORU ,  久田純 ,  馬渡豐樹

IPC: C01G

CPC classification number: C23C18/08

Abstract: 本發明提供一種銅化合物,係分解溫度為100~300℃
範圍之以下述式(1):[R1COO]n[NH3]mCuX1p…(1)(其中,n
為1~3、m為1~3、p為0~1、n個之R1分別表示下述式(2)
、CH2X2、CH2X2(CH2X2)q、NH2、H,可為相同,亦可為不同
;於n為2時,2個[R1COO]係一起以下述式(3)表示,R2、
R3、R4分別為CH2X2、CH2X2(CH2X2)q、NH2、H,R5為-
(CHX2)r-,X2為H、OH、NH2,r為0~4,q為1~4,X1為
NH4+、H2O或溶劑分子);

[-OOC-R5-COO-] ...... (3)
所表示之單位1或數個連結而成。
藉此,所提供之銅化合物可安全、廉價而容易地形成
在電子元件等之製造步驟中所必須的銅薄膜,並提供使用
該銅化合物之銅薄膜之製造方法。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种铜化合物,系分解温度为100~300℃ 范围之以下述式(1):[R1COO]n[NH3]mCuX1p…(1)(其中,n 为1~3、m为1~3、p为0~1、n个之R1分别表示下述式(2) 、CH2X2、CH2X2(CH2X2)q、NH2、H,可为相同,亦可为不同 ;于n为2时,2个[R1COO]系一起以下述式(3)表示,R2、 R3、R4分别为CH2X2、CH2X2(CH2X2)q、NH2、H,R5为- (CHX2)r-,X2为H、OH、NH2,r为0~4,q为1~4,X1为 NH4+、H2O或溶剂分子); [-OOC-R5-COO-] ...... (3) 所表示之单位1或数个链接而成。 借此,所提供之铜化合物可安全、廉价而容易地形成 在电子组件等之制造步骤中所必须的铜薄膜,并提供使用 该铜化合物之铜薄膜之制造方法。

公开(公告)号：TWI240016B

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：TW090117655

申请日：2001-07-19

Applicant: 美克股份有限公司 MEC COMPANY LTD.

Inventor： 栗井良浩 ,  龜田悦司 ,  中村幸子 NAKAMURA, SACHIKO

IPC: C23F

CPC classification number: C23F1/18 ,  H05K3/383

Abstract: 本發明提供一種能提高與樹脂的接合性，且對銅或銅合金連續處理也不會出現褐色或黑色析出物的銅或銅合金的微蝕刻劑，使用該微蝕刻劑之微蝕刻法及使用該微蝕刻劑的印刷布線板之製法。上述微蝕刻劑由含有主劑和助劑的水溶液組成，上述主劑由硫酸和過氧化氫組成，上述助劑由苯基四唑及氯離子源組成。上述微蝕刻法的特徵在於，使上述微蝕刻劑與銅或銅合金表面接觸、蝕刻0.5~3μm，將上述表面糙化。上述印刷布線板之製法的特徵在於，用上述微蝕刻法將內層電路圖表面糙化。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种能提高与树脂的接合性，且对铜或铜合金连续处理也不会出现褐色或黑色析出物的铜或铜合金的微蚀刻剂，使用该微蚀刻剂之微蚀刻法及使用该微蚀刻剂的印刷布线板之制法。上述微蚀刻剂由含有主剂和助剂的水溶液组成，上述主剂由硫酸和过氧化氢组成，上述助剂由苯基四唑及氯离子源组成。上述微蚀刻法的特征在于，使上述微蚀刻剂与铜或铜合金表面接触、蚀刻0.5~3μm，将上述表面糙化。上述印刷布线板之制法的特征在于，用上述微蚀刻法将内层电路图表面糙化。

公开(公告)号：TWI634194B

公开(公告)日：2018-09-01

申请号：TW103107018

申请日：2014-03-03

Applicant: MEC股份有限公司 ,  MEC COMPANY LTD.

Inventor： 福井優 ,  FUKUI, YU ,  齊藤知志 ,  SAITO, SATOSHI ,  石田輝和 ,  ISHIDA, TERUKAZU

IPC: C09K13/00 ,  C23F1/18 ,  C23F1/46 ,  C23F1/02 ,  H05K3/06

公开(公告)号：TW201804020A

公开(公告)日：2018-02-01

申请号：TW106105290

申请日：2017-02-17

Applicant: MEC股份有限公司 ,  MEC COMPANY LTD.

Inventor： 松本啓佑 ,  MATSUMOTO, KEISUKE

IPC: C23F1/18 ,  C09K13/06 ,  H05K3/38

Abstract: 本發明係關於一種微蝕刻劑及配線基板的製造方法，該微蝕刻劑由銅的結晶性不同引起的粗化形狀的差異小，且對於電解銅及壓延銅的任一者均能夠形成與樹脂等的密接性優異的粗化形狀，該配線基板的製造方法具有使用該微蝕刻劑對銅表面進行粗化的步驟。本發明的銅的微蝕刻劑係含有無機酸、銅(II)離子源、鹵化物離子源、及聚合物的酸性水溶液。聚合物具有含有氮原子的官能基。微蝕刻劑較佳為含有硫酸根離子源。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系关于一种微蚀刻剂及配线基板的制造方法，该微蚀刻剂由铜的结晶性不同引起的粗化形状的差异小，且对于电解铜及压延铜的任一者均能够形成与树脂等的密接性优异的粗化形状，该配线基板的制造方法具有使用该微蚀刻剂对铜表面进行粗化的步骤。本发明的铜的微蚀刻剂系含有无机酸、铜(II)离子源、卤化物离子源、及聚合物的酸性水溶液。聚合物具有含有氮原子的官能基。微蚀刻剂较佳为含有硫酸根离子源。

公开(公告)号：TWI577832B

公开(公告)日：2017-04-11

申请号：TW105119131

申请日：2016-06-17

Applicant: MEC股份有限公司 ,  MEC COMPANY LTD.

Inventor： 小寺浩史 ,  KODERA, HIROFUMI ,  片山育代 ,  KATAYAMA, IKUYO ,  菱川翔太 ,  HISHIKAWA, SHOTA

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/02 ,  H05K3/06

CPC classification number: C23F1/18 ,  C09K13/06 ,  H05K3/067 ,  H05K2203/0789

公开(公告)号：TW201708614A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：TW105119131

申请日：2016-06-17

Applicant: MEC股份有限公司 ,  MEC COMPANY LTD.

Inventor： 小寺浩史 ,  KODERA, HIROFUMI ,  片山育代 ,  KATAYAMA, IKUYO ,  菱川翔太 ,  HISHIKAWA, SHOTA

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/02 ,  H05K3/06

CPC classification number: C23F1/18 ,  C09K13/06 ,  H05K3/067 ,  H05K2203/0789

Abstract: 本發明提供一種蝕刻液及其補給液、以及銅配線的形成方法，可於不降低銅配線的直線性(銅配線頂部的配線寬度(W2))之情況下抑制側蝕，並且可抑制銅配線底部的配線寬度(W1)之不均。 本發明之銅的蝕刻液包含酸、以及選自由脂肪族非環式化合物、脂肪族雜環式化合物、及雜芳香族化合物所組成之群組中的1種以上化合物；前述脂肪族非環式化合物為碳數2~10之飽和脂肪族非環式化合物(A)，僅具有2個以上的氮作為雜原子；前述脂肪族雜環式化合物為包含5員環至7員環之化合物(B)，前述5員環至7員環具有1個以上的氮作為構成環之雜原子；前述雜芳香族化合物為包含6員芳香雜環之化合物(C)，前述6員芳香雜環具有1個以上的氮作為構成環之雜原子。

Abstract in simplified Chinese: 本发明提供一种蚀刻液及其补给液、以及铜配线的形成方法，可于不降低铜配线的直线性(铜配线顶部的配线宽度(W2))之情况下抑制侧蚀，并且可抑制铜配线底部的配线宽度(W1)之不均。 本发明之铜的蚀刻液包含酸、以及选自由脂肪族非环式化合物、脂肪族杂环式化合物、及杂芳香族化合物所组成之群组中的1种以上化合物；前述脂肪族非环式化合物为碳数2~10之饱和脂肪族非环式化合物(A)，仅具有2个以上的氮作为杂原子；前述脂肪族杂环式化合物为包含5员环至7员环之化合物(B)，前述5员环至7员环具有1个以上的氮作为构成环之杂原子；前述杂芳香族化合物为包含6员芳香杂环之化合物(C)，前述6员芳香杂环具有1个以上的氮作为构成环之杂原子。

公开(公告)号：TWI553155B

公开(公告)日：2016-10-11

申请号：TW100145018

申请日：2011-12-07

Applicant: MEC股份有限公司 ,  MEC COMPANY LTD.

Inventor： 石田輝和 ,  ISHIDA, TERUKAZU ,  出口友香里 ,  DEGUCHI, YUKARI ,  佐藤未菜 ,  SATO, MINA

IPC: C23F1/02 ,  C23F1/18 ,  C23F1/34 ,  C09K13/00 ,  H01L21/3213 ,  H05K3/06

公开(公告)号：TWI551728B

公开(公告)日：2016-10-01

申请号：TW100141311

申请日：2011-11-11

Applicant: MEC股份有限公司 ,  MEC COMPANY LTD.

Inventor： 秋山大作 ,  AKIYAMA, DAISAKU ,  石田輝和 ,  ISHIDA, TERUKAZU ,  高橋勝 ,  TAKAHASHI, MASARU ,  矢熊紀子 ,  YAGUMA, NORIKO ,  大串亮 ,  OGUSHI, RYO ,  出口友香里 ,  DEGUCHI, YUKARI

IPC: C23F1/36 ,  H01M4/1391 ,  H01M4/66

CPC classification number: H01M4/70 ,  H01M4/136 ,  H01M4/5825 ,  H01M4/661