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公开(公告)号：TWI529265B
公开(公告)日：2016-04-11
申请号：TW103109190
申请日：2014-03-13
Applicant: 聖高拜陶器塑膠公司 , SAINT-GOBAIN CERAMICS & PLASTICS, INC.
Inventor： 奧厄利特 馬克 , OUELLETTE, MARC , 科林斯 約瑟 M , COLLINS, JOSEPH M. , 洛赫爾 約翰 瓦特 , LOCHER, JOHN WALTER , 馬克 吉爾福得 L , MACK, GUILFORD L., III , 詹林斯 艾比 M , JENNINGS, ABBIE M. , 巴茲尼亞克 詹 J , BUZNIAK, JAN J. , 瓊斯 克里斯多夫 D , JONES, CHRISTOPHER D.
CPC classification number: C30B15/34 , C01F7/02 , C30B29/20 , Y10T117/1044 , Y10T428/2976
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公开(公告)号：TWI474986B
公开(公告)日：2015-03-01
申请号：TW101108367
申请日：2012-03-12
Applicant: 聖高拜陶器塑膠公司 , SAINT-GOBAIN CERAMICS & PLASTICS, INC.
Inventor： 西緹 奧利維 , CITTI, OLIVIER , 卡斯美亞薩克 安德亞 L , KAZMIERCZAK, ANDREA L.
CPC classification number: C03B17/064 , C04B35/1015 , C04B35/111 , C04B35/62665 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3418 , C04B2235/3463 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6023 , C04B2235/6027 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C04B2235/782 , C04B2235/783 , C04B2235/786 , C04B2235/788 , C04B2235/95 , Y02P40/57
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公开(公告)号：TW201500536A
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW103121775
申请日：2014-06-24
Applicant: 聖高拜陶器塑膠公司 , SAINT-GOBAIN CERAMICS & PLASTICS, INC.
Inventor： 羅亞普雷 大衛 , LOUAPRE, DAVID , 布雷德 克里斯汀 K , BREDER, KRISTIN K. , 艾陽格 蘇杰薩 , IYENGAR, SUJATHA , 利奧爾 亞當 D , LIOR, ADAM D.
CPC classification number: C09K3/1409 , B01J2/20 , B01J2/26 , B24D11/00 , B24D18/0063
Abstract: 一種成形研磨粒子，具有至少約40%之主表面與側表面研磨取向差異百分比(MSGPD)。
Abstract in simplified Chinese: 一种成形研磨粒子，具有至少约40%之主表面与侧表面研磨取向差异百分比(MSGPD)。
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公开(公告)号：TW201435158A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW103109189
申请日：2014-03-13
Applicant: 聖高拜陶器塑膠公司 , SAINT-GOBAIN CERAMICS & PLASTICS, INC.
Inventor： 奧厄利特 馬克 , OUELLETTE, MARC , 科林斯 約瑟 M , COLLINS, JOSEPH M. , 洛赫爾 約翰 瓦特 , LOCHER, JOHN WALTER , 馬克 吉爾福得 L , MACK, GUILFORD L., III , 詹林斯 艾比 M , JENNINGS, ABBIE M. , 巴茲尼亞克 詹 J , BUZNIAK, JAN J. , 瓊斯 克里斯多夫 D , JONES, CHRISTOPHER D.
CPC classification number: C30B15/34 , C01F7/02 , C30B29/20 , Y10T117/1044 , Y10T428/2976
Abstract: 本發明係指向於一種以限邊薄片續填生長法(EFG)形成多個帶狀藍寶石之設備以及方法。本發明更進一步係指向於複數個同時生長而成之帶狀藍寶石，其具有例如低尺寸變異性以及可除去於一批量中同時生長而成之多個帶狀藍寶石之間的孔隙等特性。
Abstract in simplified Chinese: 本发明系指向于一种以限边薄片续填生长法(EFG)形成多个带状蓝宝石之设备以及方法。本发明更进一步系指向于复数个同时生长而成之带状蓝宝石，其具有例如低尺寸变异性以及可除去于一批量中同时生长而成之多个带状蓝宝石之间的孔隙等特性。
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公开(公告)号：TW201433559A
公开(公告)日：2014-09-01
申请号：TW103105360
申请日：2014-02-18
Applicant: 聖高拜陶器塑膠公司 , SAINT-GOBAIN CERAMICS & PLASTICS, INC.
Inventor： 西緹 奧利維 , CITTI, OLIVIER , 福卡德 朱利安 P , FOURCADE, JULIEN P. , 卡斯美亞薩克 安德亞 L , KAZMIERCZAK, ANDREA L. , 萊切維勒 大衛 J , LECHEVALIER, DAVID J.
CPC classification number: C04B35/481 , C04B35/6263 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3248 , C04B2235/3251 , C04B2235/3272 , C04B2235/3418 , C04B2235/5436 , C04B2235/6567 , C04B2235/72 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/85 , C04B2235/96
Abstract: 一種包括含鋯石(ZrSiO4)晶粒的本體之組成物，該本體係具有一存在於該等鋯石晶粒間且實質上均勻分布於該本體中之游離矽石晶間相。該本體包括一不大於該本體總重量的約2wt.%之游離矽石含量。
Abstract in simplified Chinese: 一种包括含锆石(ZrSiO4)晶粒的本体之组成物，该本体系具有一存在于该等锆石晶粒间且实质上均匀分布于该本体中之游离硅石晶间相。该本体包括一不大于该本体总重量的约2wt.%之游离硅石含量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TW201413809A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW102134178
申请日：2013-09-23
Applicant: 聖高拜陶器塑膠公司 , SAINT-GOBAIN CERAMICS & PLASTICS, INC.
Inventor： 里祖托 羅伯特 A , RIZZUTO, ROBERT A. , 克里希南 艾杰 , KRISHNAN, AJAY , 亞可納 克里斯多夫 , ARCONA, CHRISTOPHER , 塔尼凱拉 阿南德 , TANIKELLA, ANAND
IPC: H01L21/304 , B24B37/14
Abstract: 在此揭露了一種用於製備(加工)基片(如取向單晶基片)之改進的方法，該改進的方法係藉由使用磨料研磨一基片晶圓，以使得該基片的兩個主表面滿足平面度、平滑度或兩者的某些最低水平。在具體實施方式中，使用一較粗糙的磨料來研磨該晶圓的一個主表面，而使用一較細的磨料來同時研磨該晶圓的另一個主表面。其結果係，一單一的研磨步驟可以產生一具有不同表面粗糙度的相對表面的晶圓。這允許該較粗糙的磨料用於優先的材料去除以使該晶圓變薄，而該細的磨料產生一足夠光滑的表面用於許多用途或用於進一步拋光-從而消除了用於先前技術中的典型的第二下游精細拋光步驟。多個實施方式可以用於多種多樣之基片，包括由不同技術生長的藍寶石、碳化矽和氮化鎵單晶結構。
Abstract in simplified Chinese: 在此揭露了一种用于制备(加工)基片(如取向单晶基片)之改进的方法，该改进的方法系借由使用磨料研磨一基片晶圆，以使得该基片的两个主表面满足平面度、平滑度或两者的某些最低水平。在具体实施方式中，使用一较粗糙的磨料来研磨该晶圆的一个主表面，而使用一较细的磨料来同时研磨该晶圆的另一个主表面。其结果系，一单一的研磨步骤可以产生一具有不同表面粗糙度的相对表面的晶圆。这允许该较粗糙的磨料用于优先的材料去除以使该晶圆变薄，而该细的磨料产生一足够光滑的表面用于许多用途或用于进一步抛光-从而消除了用于先前技术中的典型的第二下游精细抛光步骤。多个实施方式可以用于多种多样之基片，包括由不同技术生长的蓝宝石、碳化硅和氮化镓单晶结构。
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公开(公告)号：TW201413070A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW102135097
申请日：2013-09-27
Applicant: 聖高拜陶器塑膠公司 , SAINT-GOBAIN CERAMICS & PLASTICS, INC.
Inventor： 巴茲尼亞克 詹 J , BUZNIAK, JAN J. , 特瓦里 納溫 , TIWARI, NAVEEN , 拉賈馬尼 維格奈許 , RAJAMANI, VIGNESH , 各斯達斯卡 查爾斯 , GASDASKA, CHARLES , 瓊斯 克里斯多夫 D , JONES, CHRISTOPHER D. , 馬克 吉爾福得 L III , MACK, GUILFORD L., III , 普拉那戴 菲瑞 , PRANADI, FERY , 理查 莫琳 , RICHARD, MAUREEN , 巴贊特 馬汀 Z , BAZANT, MARTIN Z.
CPC classification number: C30B15/34 , C30B29/20 , Y10T117/1044
Abstract: 一種用於從一熔體生長一帶狀晶體的裝置、模具及方法，其中，與模具開口的長度相比，毛細管的長度較短，而隔板的長度較長，這樣的配置可使熔體產生一基本上平行於固/液界面的橫向流，以協助將雜質移動到所期望的位置。在特定實施例中，可以形成一個帶狀晶體，其所含之微孔隙和雜質等缺陷，將較集中於帶狀晶體外緣的附近。晶體的外緣可以被去除，以產生基本上不含微孔隙且具有相對低雜質濃度的晶體基板。在另一特定實施例中，熔體的橫向流也可幫助增加晶體的生長速度。
Abstract in simplified Chinese: 一种用于从一熔体生长一带状晶体的设备、模具及方法，其中，与模具开口的长度相比，毛细管的长度较短，而隔板的长度较长，这样的配置可使熔体产生一基本上平行于固/液界面的横向流，以协助将杂质移动到所期望的位置。在特定实施例中，可以形成一个带状晶体，其所含之微孔隙和杂质等缺陷，将较集中于带状晶体外缘的附近。晶体的外缘可以被去除，以产生基本上不含微孔隙且具有相对低杂质浓度的晶体基板。在另一特定实施例中，熔体的横向流也可帮助增加晶体的生长速度。
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公开(公告)号：TW201411690A
公开(公告)日：2014-03-16
申请号：TW102132472
申请日：2013-09-09
Applicant: 聖高拜陶器塑膠公司 , SAINT-GOBAIN CERAMICS & PLASTICS, INC.
Inventor： 杜魯克漢耶 迪格蘭 , DOLUKHANYAN, TIGRAN , 格拉文 喬治 , GLAVIN, GEORGE , 瓊斯 克里斯多夫 D , JONES, CHRISTOPHER D. , 布魯斯南 莫琳 A , BROSNAN, MAUREEN A. , 柏索濟 特里薩 M , BESOZZI, THERESA M.
IPC: H01L21/02 , H01L21/304 , H01L21/306
CPC classification number: H01L21/02032 , H01L21/02617 , H01L33/007 , H01L33/0079
Abstract: 本發明實施方式涉及回收的晶圓、一種用於回收晶圓之方法、一種用於回收一批晶圓之方法、以及一種用於形成電子結構之方法。被回收後，該回收的晶圓基本上不含殘留物。
Abstract in simplified Chinese: 本发明实施方式涉及回收的晶圆、一种用于回收晶圆之方法、一种用于回收一批晶圆之方法、以及一种用于形成电子结构之方法。被回收后，该回收的晶圆基本上不含残留物。
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79.发明专利R平面藍寶石之製法及裝置 R-PLANE SAPPHIRE METHOD AND APPARATUS 失效R平面蓝宝石之制法及设备 R-PLANE SAPPHIRE METHOD AND APPARATUS
公开(公告)号：TW200930848A
公开(公告)日：2009-07-16
申请号：TW097145280
申请日：2008-11-21
Inventor： 格福德L 麥克三世 MACK, GUILFORD L. III , 克里斯多夫D 瓊斯 JONES, CHRISTOPHER D. , 費利 潘迪 PRANADI, FERY , 約翰W 羅奇 LOCHER, JOHN W. , 史帝夫A 奇拉 ZANELLA, STEVEN A. , 赫伯特E 貝茲 BATES, HERBERT E.
IPC: C30B
CPC classification number: C30B15/203 , C30B15/28 , C30B15/34 , C30B29/20 , C30B29/22
Abstract: 本發明揭示一種用於製作r平面單晶藍寶石之方法及設備。該方法及設備可使用定邊膜餵生長技術來製作展示沒有線條(lineage)之單晶材料。
Abstract in simplified Chinese: 本发明揭示一种用于制作r平面单晶蓝宝石之方法及设备。该方法及设备可使用定边膜喂生长技术来制作展示没有线条(lineage)之单晶材料。
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80.发明专利
公开(公告)号：TWI304099B
公开(公告)日：2008-12-11
申请号：TW092121647
申请日：2003-08-07
Inventor： 哈渥特 華勒 HOWARD WALLAR
IPC: C23C
CPC classification number: C23C4/11 , Y10T428/2982
Abstract: 適合應用在基板上做熱障壁塗層的熱噴塗粉末可以利用電漿噴霧化學上均勻的氧化鋯得到,該氧化鋯粉末使用穩定化氧化物如氧化釔穩定成正方晶形,該獲得的粉末包含實際上球形中空的氧化鋯顆粒具有小於200微米之大小。
Abstract in simplified Chinese: 适合应用在基板上做热障壁涂层的热喷涂粉末可以利用等离子喷雾化学上均匀的氧化锆得到,该氧化锆粉末使用稳定化氧化物如氧化钇稳定成正方晶形,该获得的粉末包含实际上球形中空的氧化锆颗粒具有小于200微米之大小。
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