公开(公告)号：CN100456512C

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN200410095711.8

申请日：2004-11-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑元哲 ,  金亨俊 ,  朴哉炫 ,  郑椙旭

IPC: H01L45/00 ,  G11C11/56 ,  G11C13/00

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L45/122 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1666

Abstract: 提供了相变存储器件和制造相变存储器件的方法，相变存储器件包括布置在衬底上的加热电极。加热电极包括加热电极中的电极孔。相变材料图形设置在电极孔中并接触电极孔的侧壁。在某些实施例中，电极孔贯穿加热电极。在某些实施例中，相可变材料图形仅仅在电极孔的侧壁处接触电极。