光刻装置
    71.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108227400B

    公开(公告)日:2021-09-28

    申请号:CN201711315833.7

    申请日:2017-12-12

    Inventor: 金度亨 金成洙

    Abstract: 本发明提供一种光刻装置。该光刻装置包括:掩模版,具有彼此相反的第一表面和第二表面以及形成在第一表面上的图案区域;掩模版台,面对掩模版的第二表面,掩模版台用于夹住掩模版;在容纳掩模版和掩模版台的腔室内的保护导体;以及电源,用于供给电压到保护导体。

    制造半导体器件的方法和图案化方法

    公开(公告)号:CN106548931B

    公开(公告)日:2021-09-14

    申请号:CN201610831395.9

    申请日:2016-09-19

    Abstract: 提供了一种制造半导体器件的方法和图案化方法,所述制造半导体器件的方法包括:在基底的第一区域和第二区域上分别形成第一有源图案和第二有源图案;在第一有源图案和第二有源图案上分别形成第一栅极结构和第二栅极结构;形成包覆层以覆盖第一栅极结构和第二栅极结构以及第一有源图案和第二有源图案;在第一栅极结构之间的第一有源图案中形成第一凹进区,在第二栅极结构之间的第二有源图案中形成第二凹进区。

    印刷电路板、存储器模块和包括存储器模块的存储器系统

    公开(公告)号:CN109936913A

    公开(公告)日:2019-06-25

    申请号:CN201811471501.2

    申请日:2018-12-04

    Abstract: 提供了一种印刷电路板(PCB)、一种存储器模块和一种包括存储器模块的存储器系统。该PCB包括:第一绝缘层;垫,设置在第一绝缘层上;以及第一参考层,其上设置有第一绝缘层,第一参考层包括用于形成传输到垫的信号的返回路径的介电通道,导线设置在介电通道中并且设置为形成信号的传输路径。该PCB还包括:第二绝缘层,其上设置有第一参考层;以及第二参考层,其上设置有第二绝缘层,第二参考层进一步形成所述返回路径。垫的电容对应于垫与第二参考层之间的距离。

    半导体存储器件和导体结构

    公开(公告)号:CN109244078A

    公开(公告)日:2019-01-18

    申请号:CN201810749616.7

    申请日:2018-07-10

    Abstract: 提供了半导体存储器件和导体结构。该半导体存储器件可以包括衬底、堆叠在衬底上的栅电极结构、在栅电极结构之间的绝缘图案、穿透栅电极结构和绝缘图案的垂直沟道、以及数据存储图案。垂直沟道可以电连接到衬底。数据存储图案可以布置在栅电极结构与垂直沟道之间。栅电极结构的每个可以包括壁垒膜、金属栅极和晶粒边界填塞层。晶粒边界填塞层可以在壁垒膜与金属栅极之间。

    用于解码的设备和方法
    75.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103312338B

    公开(公告)日:2018-05-29

    申请号:CN201310063292.9

    申请日:2013-02-28

    CPC classification number: H03M7/425 H03M7/4043 H03M7/4062 H04N19/91

    Abstract: 提供一种用于解码的设备和方法。所述解码设备和方法存储至少一个表,其中,所述表包括至少一个码,接收至少一个指令信号,并基于所述至少一个指令信号从所述至少一个表提取符号值和符号长度。所述解码设备计算使产生的表的大小最小化并使所述至少一个码的非前缀长度的大小最小化的目标后缀长度。

    用于任务组迁移的方法和支持该方法的电子设备

    公开(公告)号:CN105320568A

    公开(公告)日:2016-02-10

    申请号:CN201510278061.9

    申请日:2015-05-27

    Abstract: 提供了一种用于在电子设备中进行任务迁移的方法。所述方法包括:向根据预设标准形成的组中的第一组指派具有特定功能的任务;向与所述电子设备以功能方式连接的第一处理单元之一指派所述第一组;以及当所述第一组匹配与所述电子设备以功能方式连接的第二处理单元的预设标准时,向所述第二处理单元之一迁移所述第一组。基于此,有可能创建各种其它实施例。

Patent Agency Ranking